00A/m的直流磁场一边在340°C下进行了两个小时的 热处理。
[0140] -卷绕磁芯的铁损一
[0141] 通过将一次绕线和二次绕线卷绕在磁芯上，以频率50Hz使励磁磁通密度在 1. 35T~1. 50T的范围进行变化来测量了铁损。在下述表3中表示测量结果。表3中的卷 绕磁芯的试样No分别与所述表1中的薄带试样No相对应。
[0142] [表 3]
[0143]
[0144] 采用实施了激光处理的薄带试样2~薄带试样5而制作出的卷绕磁芯2~5与采 用未进行激光处理的薄带试样1而制作出的卷绕磁芯1相比，在各磁通密度中都显示低铁 损。此外，按照每个照射能量对比铁损。
[0145] 在将照射能量设为0. 3mJ/Pulse的薄带材料2、3中，采用薄带试样3的本发明的 卷绕磁芯3与采用薄带试样2的比较用的卷绕磁芯2相比，在各磁通密度中都显示低铁损。
[0146] 在将照射能量设为1. 26mJ/Pulse的薄带材料4、5中，采用薄带试样5的本发明的 卷绕磁芯5与采用薄带试样4的比较用的卷绕磁芯4相比，在各磁通密度中都是相同的铁 损或者显示低铁损。
[0147] 特别是，例如B= 1.50(T)时，采用薄带试样5的本发明的卷绕磁芯5能够得到比 采用薄带试样4的比较用的卷绕磁芯4低出0. 01W/kg的铁损，采用薄带试样3的本发明的 卷绕磁芯3能够得到比采用薄带试样2的卷绕磁芯2低出0. 01W/kg的铁损。
[0148] 在此，对于0. 01W/kg的铁损差来说，由于是相对于铁损是0. 14W/kg而言的0. 01W/ kg，因此可知，表示减少了 7%~8%铁损，是较大的减少效果。
[0149] 根据这些结果可知：在卷绕Fe基非晶态合金薄带而做成卷绕磁芯的情况下，通过 在Fe基非晶态合金薄带的宽度方向端部不实施激光处理、也就是仅对中央部进行激光处 理，与采用未进行激光处理的合金薄带的卷绕磁芯1、采用对幅宽整个区域进行了激光处理 的合金薄带的卷绕磁芯2、4相比显示低铁损。
[0150] (实施例2)
[0151] 在实施例1中，除了如下述表4所示变更激光处理的条件之外，与实施例1同样在 薄带宽度方向上的中央部形成凹部列，如图1 一 A所示制作了在除了距宽度方向两端预定 的区域之外的中央部（长度与整个幅宽1之比参照表4)形成有多个凹部的试样（薄带试 样7~薄带试样13)。此时，照射能量设为0. 3mJ/PulSe，凹部之间的间隔（数密度）设为 6 个 /mm〇
[0152] [表 4]
[0153]
[0154] -卷绕磁芯的制作和其热处理一
[0155] 接着，针对所述表4所示的薄带试样6~薄带试样13中，与实施例1同样地制作 卷绕磁芯，进行了热处理。在热处理中，温度、直流磁场施加等条件是同样的，但热处理炉使 用不同的热处理炉。
[0156] -卷绕磁芯的铁损一
[0157] 通过将一次绕线和二次绕线卷绕在磁芯上，以频率50Hz使励磁磁通密度在 1. 35 (T)~1.50 (T)的范围内进行变化来测量了铁损。在下述表5中表示测量结果。表5 中的卷绕磁芯的试样No分别与所述表4中的薄带试样No相对应。
[0158] [表 5]
[0159]
[0160] 采用向除了距宽度方向两端部5mm、7mm、10mm之外的中央部（长度与整个幅宽之 比：分别是0. 6、0. 44、0. 2)照射了激光的薄带试样8~10的卷绕磁芯8~10与采用未进 行激光处理的薄带试样6的卷绕磁芯6相比，在各磁通密度中都显示低铁损。此外，该卷绕 磁芯8~10与向除了距宽度方向两端部1mm之外的中央部（长度与整个幅宽之比：0. 92) 照射了激光的薄带试样7的卷绕磁芯7相比，在各磁通密度中都显示低铁损。
[0161] 根据这些结果可知：在卷绕Fe基非晶态合金薄带而做成卷绕磁芯的情况下，通过 在Fe基非晶态合金薄带的宽度方向两端部不实施激光处理、即仅对除了距宽度方向两端 部预定的区域之外的中央部（长度与整个幅宽之比：〇. 6、0. 44、或者0. 2)进行激光处理，从 而与合金薄带是未进行激光处理的卷绕磁芯6、对合金薄带的接近整个幅宽的区域（长度 与整个幅宽之比：〇. 92)实施了激光处理的卷绕磁芯7相比显示低铁损。
[0162] 另外，对于没有照射激光的卷绕磁芯的铁损而言，在对表1~表2所记载的No. 1 和表4~表5所记载的No. 6进行对比时，No. 6的铁损大于No. 1的铁损。其原因可推测为 使用了不同的热处理炉。
[0163] 在对采用改变薄带长度方向上的凹部形成间隔DL(mm)并照射了激光的合金薄带 吣.8、11、12、13(01分别是5_、2_、7_、1〇111111)的卷绕磁芯8、11、12、13、采用未进行激光 处理的合金薄带的卷绕磁芯6、以及采用对接近整个幅宽的区域（长度与整个幅宽之比： 0. 92)进行了激光处理的合金薄带7的卷绕磁芯7进行对比时，卷绕磁芯8、11、12、13与卷 绕磁芯6相比在各磁通密度中大致全都显示低铁损。另外，在DL = 2mm的卷绕磁芯11中， 其在B = 1. 45T和1. 50T时的损耗与卷绕磁芯7在B = 1. 45T和1. 50T时的损耗是大致相 同程度，这表示在薄带长度方向上的DL是2mm以下时利用激光处理实现的卷绕磁芯的低铁 损化效果变小。根据上述结果可知：薄带长度方向上的凹部形成间隔DL优选为2mm以上。
[0164] 产业h的可利用件
[0165] 本发明适合配电用变压器、高频变压器、可饱和电抗器、磁开关等领域。
[0166] 日本申请2013 - 051035公开的全部内容通过参照编入到本说明书中。
[0167] 本说明书所记载的全部文献、专利申请、以及技术标准以与各个文献、专利申请、 以及技术标准通过参照想要编入的内容是具体地记载且各自记载的情况下的内容相同的 程度通过参照编入到本说明书中。
【主权项】
1. 一种卷绕磁芯，其中， 该卷绕磁芯通过卷绕Fe基非晶态合金薄带而成，在Fe基非晶态合金薄带的宽度方向 上的中央部具有凹部列，该中央部的该宽度方向上的长度与该Fe基非晶态合金薄带的该 宽度方向上的整个幅宽之比是〇. 2以上且0. 8以下，该凹部列由利用激光照射形成的多个 凹部构成。2. 根据权利要求1所述的卷绕磁芯，其中， 所述凹部列的、合金薄带长度方向上的间隔是2mm以上且20mm以下。3.根据权利要求1或2所述的卷绕磁芯，其中， 所述Fe基非晶态合金薄带的厚度是15 y m以上且40 y m以下。4.根据权利要求1~3中任一项所述的卷绕磁芯，其中， 所述Fe基非晶态合金薄带的整个幅宽是15mm以上且250mm以下。5.根据权利要求1~4中任一项所述的卷绕磁芯，其中， 所述凹部列的相邻的凹部之间的中心间距离均等，而且所述凹部的形成间隔在宽度方 向上是4个/mm以上且8个/mm以下的范围。6. 根据权利要求5所述的卷绕磁芯，其中， 俯视所述凹部时的形状是圆形或椭圆形。7. -种卷绕磁芯的制造方法，其中， 该制造方法包括： 凹部形成工序，在该凹部形成工序中，通过向Fe基非晶态合金薄带的宽度方向上的中 央部以脉冲状照射激光而形成凹部，该中央部的该宽度方向上的长度与该Fe基非晶态合 金薄带的该宽度方向上的整个幅宽之比是0. 2以上且0. 8以下；以及 卷绕工序，在该卷绕工序中，通过卷绕已形成有所述凹部的Fe基非晶态合金薄带而做 成磁芯。8. 根据权利要求7所述的卷绕磁芯，其中， 在所述凹部形成工序中，通过在合金薄带长度方向上设置2mm以上且20mm以下的间隔 并以脉冲状照射激光而形成所述凹部。9.根据权利要求7或8所述的卷绕磁芯的制造方法，其中， 所述Fe基非晶态合金薄带的厚度是15 y m以上且40 y m以下。
【专利摘要】本发明提供卷绕磁芯和其制造方法。该卷绕磁芯通过卷绕Fe基非晶态合金薄带而成，在Fe基非晶态合金薄带的宽度方向上的中央部具有凹部列，该中央部的该宽度方向上的长度与该Fe基非晶态合金薄带的该宽度方向上的整个幅宽之比是0.2以上且0.8以下，该凹部列由利用激光照射形成的多个凹部构成。
【IPC分类】H01F41/02, H01F27/24, H01F27/25
【公开号】CN105074841
【申请号】CN201480014465
【发明人】东大地, 伊藤直辉, 佐佐木淳, 和井伸一
【申请人】日立金属株式会社
【公开日】2015年11月18日
【申请日】2014年3月12日
【公告号】WO2014142204A1