入口及具有所述入口的反应系统的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及洗涂器的入口W及具有所述入口的反应系统，其中该洗涂器用于半导 体制造工艺中的气体处理。
【背景技术】
[0002] 用于在晶片上形成薄膜的半导体工艺的各种反应气体含有氧化成分、易燃成分和 有害成分。因此，如果废气一-排出的反应气体一-直接排放到大气，将会毒害人体W及污 染环境。
[0003] 用于从废气去除有害成分的洗涂器可W安装在用于排出废气的半导体设备的排 出管路内。为了通过净化工艺（使废气的有害成分含量降低至等于或低于许可浓度的浓 度）将废气排放至大气，使用了洗涂器，该洗涂器可W是包括燃烧洗涂器、燃烧和湿式洗涂 器、燃烧和干燥洗涂器、干燥洗涂器W及湿式洗涂器在内的各种洗涂器中的一种。
[0004] 需要入口W连接半导体设备的排出管路与洗涂器。该入口可W将被引入排出管路 的废气与用W清除包含在所述废气中的污染物的清洁溶液一起引入洗涂器。运时，借助清 洁溶液与污染物之间的反应可产生反应产物。因此，所述入口可能被所产生的反应产物堵 塞。
【发明内容】
[0005] 发明所要解决的技术问题
[0006] 设计成解决该问题的本发明的目的是一种入口W及具有该入口的反应系统，该入 口可W延长更换周期和减少反应系统停机的时间，运有助于提高产量。
[0007] 解决技术问题所采用的技术方案
[000引本发明的目的可W运样来实现：提供一入口，该入口包括：本体，本体内设有传输 管道，该传输管道允许流体经过其中流动；至少一个第一喷嘴，该至少一个第一喷嘴连接到 本体的侧表面的一个区域，并且适于将清洁溶液喷入传输管道；W及挡片，该挡片设置成在 传输管道中与传输管道的内壁间隔开，其中从第一喷嘴喷出的清洁溶液被阻挡而不被引入 传输管道的位于挡片内部的一个区域。
[0009] 挡片的上端可W位于第一喷嘴的上侧，而挡片的下端可W位于第一喷嘴的下侧。
[0010] 本体可W设有固定部分，该固定部分位于传输管道中第一喷嘴的上侧，W支撑挡 片的上端。
[0011] 固定部分可W是本体的位于第一喷嘴上侧的一部分，其中固定部分的内径可W小 于本体其它部分的内径。
[0012] 至少一个第一喷嘴可W包括布置为彼此间隔开的多个第一喷嘴。
[0013] 各第一喷嘴与本体的位于各第一喷嘴上侧的外壁所成的角度可W在50°与70° 之间。
[0014] 挡片可W由树脂材料形成，树脂材料的摩擦系数小于本体的摩擦系数。挡片可W 由聚四氣乙締形成。
[0015] 挡片可W具有上端、下端和位于上端与下端之间的侧表面，W及可W形成为筒形 并且上端和下端处是开放的。
[0016] 挡片的上端可W形成为直径大于侧表面的直径的环形，W被固定部分保持住。挡 片的上端可W从侧表面突出。
[0017] 入口可W进一步地包括至少一个第二喷嘴，该至少一个第二喷嘴连接到位于挡片 下面的本体的侧表面的另一区域，并且适于将惰性气体喷入传输管道。至少一个第二喷嘴 可W包括布置为彼此间隔开的多个第二喷嘴。
[0018] 各第二喷嘴与位于各第二喷嘴上侧的本体的外壁所成的角度可W在50°与70° 之间。
[0019] 各第二喷嘴可W沿着传输管道的内壁喷射惰性气体。
[0020] 各第二喷嘴喷射惰性气体所沿的方向与传输管道的内壁的法线之间形成的角度 大于0°并且小于10。
[0021] 入口可进一步包括至少一个喷射喷嘴，该至少一个喷射喷嘴W预定的喷射压力将 气体或液体喷射到沉积在挡片的下端或沉积在挡片下面的传输管道的内壁上的反应产物 上，其中该反应产物是根据被引入传输管道的流体与清洁溶液之间的反应的产物。
[0022] 所述至少一个第一喷嘴与所述至少一个喷射喷嘴喷射去离子水，所述至少一个喷 射喷嘴包括多个喷射喷嘴。
[0023] 从第一喷嘴喷出的去离子水的喷射压力与从喷射喷嘴喷出的去离子水的喷射压 力的比可W是1:1. 5至1:3。
[0024] 在本发明的另一方面中，在此提供的是一反应系统，该反应系统包括：用W供给源 气体的气体引入管、使用通过气体引入管供给的源气体W形成反应产物的反应器、用W使 来自反应器且在形成反应产物之后产生的气体流出的气体流出管、使用清洁溶液W清洁从 气体流出管流出的气体的洗涂器、W及用W将气体流出管连接到洗涂器的入口，其中该入 口包括：本体，该本体内设有传输管道，该传输管道允许流体经过其中流动；至少一个第一 喷嘴，该至少一个第一喷嘴连接到本体的侧表面的一个区域，并适于将清洁溶液喷入传输 管道；W及挡片，该挡片设置成在传输管道中与传输管道的内壁间隔开，其中从第一喷嘴喷 出的清洁溶液被阻挡而不被引入位于挡片内部的传输管道的一个区域。
[00巧]发明的有利效果
[0026] 根据一个实施例，更换周期可W延长，反应系统为更换入口而停机的时间缩短。由 此产量可W提高。
【附图说明】
[0027] 包括附图W提供对本发明的进一步理解，附图示出本发明的实施例，并与说明书 一起用于解释本发明的原理。
[0028] 在附图中：
[0029] 图1示出包括洗涂器和反应器的反应系统，其中洗涂器装配有根据示例性实施例 的入口；
[0030] 图2是根据第一实施例的入口的正视图；
[0031] 图3是示出图2所示入口的剖视图；
[0032] 图4示出图3所示的挡片；
[0033] 图5是示出图3所示挡片的功能的概念图；
[0034] 图6A示出未提供挡片的情况中的反应产物的形成；
[0035] 图6B示出提供了挡片的情况中的反应产物的形成。
[0036] 图7是示出根据第二实施例的入口的正视图；
[0037] 图8是示出图7所示入口的剖视图；
[0038] 图9是示出图8所示第二喷嘴的功能的概念图；
[0039] 图10是示出图8所示第二喷嘴的喷射方向的视图；
[0040] 图IlA和图IlB示出根据一个实施例的第二喷嘴的喷射方向；
[0041] 图12是示出根据第S实施例的入口的正视图；
[0042] 图13是示出图12所示入口的剖视图；
[0043] 图14示出图12所示入口的喷射喷嘴的设置；W及
[0044] 图15是示出图13所示喷射喷嘴的功能的概念图。
【具体实施方式】
[0045] 现在将具体参照本发明的优选实施例，运些实施例的实例在附图中示出。在各实 施例的披露中，当层（膜）、区域、格局、或结构被描述为在结构、层（膜）、区域、垫、或者格 局"上面"或者"下面"形成时，术语"在上面"和"在下面"不仅意味着"直接在上面"和"直 接在下面"，还意味着带有插入层而"间接在上面"和"间接在下面"。
[0046] 至于附图中示出的构成物的尺寸，为了清楚、容易的描述，该构成物被放大、省略、 或示例性地示出。此外，每个构成物的尺寸不完全反映实际尺寸。只要可W，在所有附图中 尽可能地用相同的附图标记标示相同或类似的部件。下面，将参照附图来描述根据实施例 的洗涂器和入口。
[0047] 图1示出反应系统100,反应系统100包括洗涂器30和反应器10,洗涂器30装配 有根据示例性实施例的入口 20,图2是示出根据第一实施例的入口 20的正视图。图3是示 出图2所示入口的剖视图。反应系统100可W是外延反应装置。但各实施例不限于此。
[0048] 参照图1至图3,反应系统100可W包括气体引入管5、反应器1