旋转弯曲接头的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明的实施例大致上是关于旋转接头，特别是关于使用弹性管件于用在半导体制程应用的低温旋转接头。
【背景技术】
[0002]离子植入是藉由带电离子轰击基板，以沉积化学物质进入基板的制程。在半导体制造上，离子植入机是用在改变目标物质(target materials)的导电型态与导电水准(conductivity level)。在集成电路(integrated circuit，IC)基板以及其薄膜结构中，精确的掺杂分布对集成电路的正常运作而言是重要的。为了达成所需的掺杂分布，可以不同的剂量以及能量水准(energy level)植入一个或多个离子种类。
[0003]图1示出离子植入系统I，离子植入机100包括电源供应器101，离子源102，萃取电极 104，90° 磁分析仪 106，第一减速(decelerat1n) (Dl)台(stage) 108。70。磁分析仪110，以及第二减速(decelerat1n) (Dl)台112。每一个第一与第二减速台(一般称作“减速镜片”)包括多个具有定义孔隙(defined aperture)的电极以让离子束穿越其中。藉由施加不同的电压电位组合至多个电极，第一与第二减速镜片可操纵离子能量，并造成离子束以所需的能量冲击目标工件114。多个量测装置116 (例如控制剂量法拉第杯，行程法拉第杯，或是设定法拉第杯)可被用来监视或是控制离子束的情况。虽然未示出于图1中，目标工件114可由平台支撑，平台可被用来在离子植入时固定或移动工件。
[0004]对硅晶圆工件而言，已发现在离子植入时，相对低的温度有利于硅晶圆的非晶化(amorphizat1n)。举例而言，在低于_60°C的温度执行离子植入可实质上地提升离子植入制程的效率。在离子植入的应用中，晶圆通常藉由提供至冷却平台的低温液体(cryogenicliquid)于植入制程中冷却，其中低温液体已经由冷水机冷却。
[0005]除了冷却外，一般可能会需要在离子植入时操纵晶圆的位置。举例而言，旋转的平台可被用来在离子植入时夹持晶圆，并提供冷却。旋转平台可让水平及垂直的晶圆倾斜，以让晶圆以合适的方式对齐离子束。在离子植入期间，藉由让平台旋转晶圆于离子束的穿越路径之间，可减少微弱离子束(minor beam)的不均勾效应。
[0006]—个这种配置的问题是通常是在低温下的冷却流体必须被供应至旋转平台。现有用来连接低温供应管至旋转平台的旋转接头已证实不适合在如此低的温度下长时间，并且多次数的循环使用。可理解的是，冷却流体的外泄是极度不希望发生的，因此，需要一种连接冷却流体供应源至旋转平台的改良配置。
【发明内容】
[0007]提供本概述以简要的形式介绍本发明选择的概念，详细的内容将进一步叙述于下方的实施方法。这里的概述并非是想要辨认本发明权利要求的关键特点或是主要特色，也不是想要用来定义权利要求所涵盖的范围。
[0008]揭示一种旋转平台装置。装置可包括平台基座，可旋转地连接至平台基座的平台，并且用来供应低温流体以冷却平台的旋转接头。旋转接头可连接于平台基座与平台之间，并且可包括挠曲弹性管件。挠曲弹性管件可具有与平台的非旋转位置有关的第一配置结构，以及与平台的旋转位置有关的第二配置结构。在第一配置结构中，挠曲弹性管件可具有第一弯曲半径，并且在第二配置结构中，挠曲弹性管件可具有第二弯曲半径。第一与第二弯曲半径可为相异。
[0009]揭示一种适用于半导体制程的旋转弯曲接头。接头可包括基座部分、旋转地连接至基座部分的杆，驱动区块部分由其第一端连接至杆，并且由其第二端连接至第一管接头，且挠曲弹性管件具有第一与第二端。第一端连接至驱动区块部分，且第二端连接至第二管接头。挠曲弹性管件可具有与接头的非旋转位置相关的第一配置结构，以及与接头的旋转位置相关的第二配置结构。在第一配置结构中，挠曲弹性管件可具有第一弯曲半径，并且在第二配置结构中，挠曲弹性管件可具有第二弯曲半径。第一与第二弯曲半径可为相异。
[0010]揭示一种旋转平台装置。装置包括平台基座，其具有旋转地连接于其上的平台，并且用来从流体供应源提供低温流体以冷却平台的旋转接头。旋转接头可连接于平台基座与平台之间。旋转接头可包括挠曲弹性管件，其具有与平台的非旋转位置相关的第一配置结构，以及与平台的旋转位置相关的第二配置结构。在第一配置结构中，挠曲弹性管件可具有第一弯曲结构，并且在第二配置结构中，挠曲弹性管件可具有小于第一弯曲半径的第二弯曲半径。
【附图说明】
[0011]随【附图说明】本发明到目前为止所揭示的方法，其为设计于实际应用中的较佳实施例，并且其中:
[0012]图1是示范性离子植入系统的示意图。
[0013]图2是示范性旋转平台系统的侧视图。
[0014]图3是图2的旋转平台系统在旋转位置上的侧视图。
[0015]图4是所揭示的旋转接头的立体图。
[0016]图5是图4的旋转接头的前视图。
[0017]图6是图4的旋转接头沿图5的线6-6的剖面图。
[0018]图7是图4的旋转接头沿图4的线7-7的剖面图。
[0019]图8是揭示的旋转接头的替换实施例的局部分解立体图。
[0020]图9是图8的旋转接头在非旋转位置上的轴侧视图。
[0021]图10是图8的旋转接头在旋转位置上的侧视图。
[0022]图11是图8包括保护盖盘的旋转接头的侧视图。
[0023]图12是旋转平台系统的一部分结合两个图8的旋转接头的端视图。
【具体实施方式】
[0024]以下将参考随附图以及其中所示的实施例更详细地揭示旋转接头。然而，本处所揭示的旋转接头可以多种形式实施，不应被理解为限制于本文所阐述的明确记载的实施例。
[0025]请参考图2，其示出用来冷却平台的示范性装置200。图2示出具有基座202a的旋转平台装置202，平台204以及连接至平台204的马达206。在这个例子中，散热垫208a、208b配置于平台204底下。散热垫208a、208b可包括多条散热通道212，低温流体可经由散热通道212沿散热垫208a、208b流动。当低温流体流经散热垫208a、208b，配置在平台204上的晶圆216可冷却至所需的温度。在散热垫208a、208b中的散热通道212可连接至一条或多条供应管与排管214，并且依序地连接至低温流体源和/或排管(未示出)。可被理解的是，在一些实施例中，只有使用单一个散热垫。还可被理解的是，虽然可使用散热垫，但它们并非是必要的。因此，在一些实施例中，散热通道可直接整合于平台中。图3示出装置200的另一侧的侧视图，其中操作臂205已被旋转90度(也就是在图2的箭头A的方向)，以使得晶圆能朝向垂直位置。可被理解的是，平台也可以，或者是使用于提供晶圆所需的平面旋转。另外可被理解的是，虽然如图所示，平台204是在水平或垂直位置，但平台204可被旋转至任何所需的角度，以使晶圆216出现于离子束中任何所需的方位。
[0026]请参考图4，图4揭示如同关于图2与图3的描述中，使用在旋转平台配置的旋转接头300。可被理解的是，所揭示的旋转接头300可被用在需要旋转移动的多种低温应用中的任何一种，因此，旋转接头300并不限制使用于图2与图3中的平台配置。
[0027]旋转接头300可包括第一与第二管连接件302、304以及挠曲管部分306。驱动区块部分310可被配置于挠曲管部分306与第一管连接件302之间。接头还可包括基座部分308以将接头连接至适当的旋转平台装置。基座部分308可具有凸缘(flange)部分312，其包括一个或多个开口或凹槽314，以接收适当的螺锁件来连接旋转接头300至旋转平台装置200(图2)。基座部分30