光材料组成。发光结构利用发光材料在电场作用下产生光的特性，将电能转换为光能。图2-4中，021为遮光层金属(英文-ShieldingMetal ；简称:SM) ；022 为缓冲层(Buffer),023 为多晶娃层(英文:polycrystallinesilicon;简称:P_Si)，024为栅极绝缘层(英文:Gate Insulator ;简称:GI)，025为中间绝缘层或中间介电层(英文:inter-layer Dielectric ;简称:ILD) ,026为钝化层(英文:Passivat1n ;简称:PVX)，027为源漏极，028为薄膜晶体管栅极，029为平坦化层(英文:Planarizat1n Layer ;简称:PL),0421 为电致发光(英文〖Electroluminescence ;简称:EL)图案，0422为像素定义层(英文:Pixel Definit1n Layer ;简称fDL)。
[0104]在需要进行图像显示时，通过开关控制电路06控制上电极034、第一下电极031和第二下电极032的电压，使上电极034旋转至能够反射显示区域的发光结构04发出的光的位置，进而使发光结构04发出的光从第二衬底基板05射出。如图2-5所示。图2-5中的其他标号可以参考图2-4进行说明。
[0105]在不需要进行图像显示时，通过开关控制电路06控制上电极034、第一下电极031和第二下电极032的电压，使上电极034旋转至无法反射显示区域的发光结构04发出的光的位置，如图2-6所示。图2-6中的其他标号可以参考图2-4进行说明。
[0106]需要说明的是，图2-4至图2-6所示的显示器的结构图是各个部分分解出来的结构图，而不是实际制造出来的显示器的结构图。
[0107]图2-7示出了本发明实施例提供的显示器的一种显示区域和非显示区域的俯视图，图2-7中的矩形区域为显示区域B，矩形之外的区域为非显示区域A。其中，显示区域B和非显示区域A形成有LTPS背板(图2-7未画出)，LTPS背板形成有开关控制电路，显示区域B形成有发光结构(图2-7未画出)，显示区域B周边的区域即非显示区域A形成有MEMS微镜阵列03，MEMS微镜阵列03用于反射显示区域B的发光结构发出的光。需要说明的是，显示区域的形状可以为矩形，也可以为圆形等异形形状，本发明实施例对显示区域的形状不做限定。
[0108]本发明实施例提供的显示器，通过MEMS微镜阵列反射显示区域的发光结构发出的光，解决了异形显示区域显示的图像周边存在锯齿状的问题，适用于所有异形显示区域的窄边框显示装置。
[0109]综上所述，本发明实施例提供的显示器，由于该显示器的第一衬底基板上形成有LTPS背板，形成有LTPS背板的第一衬底基板的非显示区域形成有用于反射显示区域的发光结构发出的光的MEMS微镜阵列，且MEMS微镜阵列能够在LTPS背板的开关控制电路的控制下开启和关闭，从而使显示区域周边区域的光比显示区域的光暗一些，相较于现有技术，尽管显示区域周边的像素排列呈阶梯状，但由于显示区域和周边环境之间形成了一个自然的过渡区，所以图像周边的锯齿状可以被有效消除，因此，提高了图像的显示质量，有效提高用户体验度。
[0110]本发明实施例提供了一种显示器的制造方法，如图3所示，该制造方法包括:
[0111]步骤301、在第一衬底基板上形成LTPS背板，该LTPS背板形成有开关控制电路控制。
[0112]步骤302、在形成有LTPS背板的第一衬底基板的非显示区域形成MEMS微镜阵列，该MEMS微镜阵列用于反射显示区域的发光结构发出的光，开关控制电路用于控制MEMS微镜阵列的开启和关闭。
[0113]步骤303、在形成有MEMS微镜阵列的第一衬底基板的显示区域形成发光结构。
[0114]综上所述，本发明实施例提供的显示器的制造方法，由于显示器的第一衬底基板上形成有LTPS背板，形成有LTPS背板的第一衬底基板的非显示区域形成有用于反射显示区域的发光结构发出的光的MEMS微镜阵列，且MEMS微镜阵列能够在LTPS背板的开关控制电路的控制下开启和关闭，从而使显示区域周边区域的光比显示区域的光暗一些，相较于现有技术，尽管显示区域周边的像素排列呈阶梯状，但由于显示区域和周边环境之间形成了一个自然的过渡区，所以图像周边的锯齿状可以被有效消除，因此，提高了图像的显示质量。
[0115]本发明实施例提供了另一种显示器的制造方法，如图4-1所示，该制造方法包括:
[0116]步骤401、在第一衬底基板上形成LTPS背板。
[0117]如图4-2所示，在第一衬底基板01上形成LTPS背板02，LTPS背板02形成有开关控制电路控制(图4-2未画出)。
[0118]步骤402、在形成有LTPS背板的第一衬底基板的非显示区域形成MEMS微镜阵列。
[0119]如图4-3所示，在形成有LTPS背板02的第一衬底基板01的非显示区域A形成MEMS微镜阵列03。MEMS微镜阵列用于反射显不区域的发光结构发出的光，开关控制电路用于控制MEMS微镜阵列的开启和关闭。
[0120]具体的，MEMS微镜阵列可以包括第一下电极、第二下电极、支撑柱和上电极。相应的，步骤402如图4-4所示，包括:
[0121]步骤4021、在形成有LTPS背板的第一衬底基板的非显示区域形成下电极。
[0122]如图4-5所示，在形成有LTPS背板02的第一衬底基板01的非显示区域A形成下电极003。
[0123]步骤4022、对形成有下电极的第一衬底基板进行图案化，形成第一下电极和第二下电极。
[0124]如图4-6所示，对形成有下电极的第一衬底基板01进行图案化，形成第一下电极031和第二下电极032。第一下电极031和第二下电极032之间存在间隙。图4_6中的02为LTPS背板。
[0125]其中，如图4-7所示，步骤4022可以包括:
[0126]步骤4022a、在形成有下电极的第一衬底基板涂覆负性光刻胶。
[0127]如图4-8所示，在形成有下电极003的第一衬底基板01涂覆负性光刻胶07。图4-8中的02为LTPS背板。
[0128]步骤4022b、采用掩膜版对涂覆有光刻胶的第一衬底基板进行曝光。
[0129]如图4-9所示，采用掩膜版10的不透光区域11，对涂覆有负性光刻胶07的第一衬底基板01进行曝光。采用掩膜版对涂覆有负性光刻胶的第一衬底基板进行曝光的过程可以参考相关技术，在此不再赘述。图4-9中的02为LTPS背板。
[0130]步骤4022c、对曝光后的第一衬底基板进行显影、刻蚀得到第一下电极和第二下电极。
[0131]如图4-10所示，对曝光后的第一衬底基板01进行显影，未感光的负性光刻胶07溶解于负性光刻胶的显影液。示例的，该显影液可以为丁酮、甲苯等。然后对显影后的第一衬底基板01进行刻蚀，得到第一下电极031和第二下电极032。图4-10中的02为LTPS背板。
[0132]步骤4022d、剥离负性光刻胶。
[0133]剥离负性光刻胶后的第一衬底基板01的结构示意图如图4-11所示。图4-11中，02为LTPS背板，031为第一下电极，032为第二下电极。
[0134]步骤4023、在形成有第一下电极和第二下电极的第一衬底基板上形成牺牲层。
[0135]如图4-12所示，在形成有第一下电极031和第二下电极032的第一衬底基板01上形成牺牲层1001。图4-12中，02为LTPS背板。
[0136]步骤4024、对牺牲层进行部分移除，形成残余牺牲层和由第一下电极、第二下电极、残余牺牲层、LTPS背板围成的空腔。
[0137]如图4-13所示，对牺牲层进行部分移除，形成残余牺牲层1002和由第一下电极031、第二下电极032、残余牺牲层1002、LTPS背板02围成的空腔1003。空腔1003的宽度dl等于第一下电极031和第二下电极032之间的间隙d2。
[0138]步骤4025、向空腔填充支撑材料，形成支撑柱。
[0139]如图4-14所示，向空腔1003填充支撑材料，形成支撑柱1004。示例的，支撑材料可以为多晶硅，二氧化硅或铝。
[0140]步骤4026、在形成有支撑柱的第一衬底基板上形成上电极。
[0141]如图4-15所示，在形成有支撑柱1004的第一衬底基板01上形成上电极034。图4-15中，02为LTPS背板，031为第一下