0057] 其中所述的第一驱动单元16、第二驱动单元26的结构相同（参阅图5)，包括：
[0058] -第三反相器41 ;
[0059] -第四反相器42,其输入端与第三反相器41输出端连接；
[0060] 一双端输入或非门43,其输入端43b连接至第四反相器42的输出端；
[0061] 一双端输入与非门44,其输入端44a连接至第三反相器42的输出端；
[0062] 一第四NM0S管48,其栅极连接至第三反相器41的输入端，源极接地；
[0063] 一第五NM0S管47,其栅极连接至或非门43的输出端，源极连接至第四NM0S管48 的漏极；
[0064] 一第四PM0S管46,其栅极连接至或非门43的输出端，漏极连接至第五NM0S管47 的漏极并连接至与非门44的输入端44b ;
[0065] 一第五PM0S管45,其栅极连接至第三反相器41的输出端，漏极连接至第四NM0S 管46的源极，源极连接至电源；
[0066] 一第六NM0S管52,其栅极连接至第三反相器41的输出端，源极接地；
[0067] 一第七NM0S管51，其栅极连接至与非门44的输出端，源极连接至第六NM0S管52 的漏极；
[0068] 一第六PM0S管50,其栅极连接至与非门44的输出端，其漏极和第七NM0S管51的 漏极连接至或非门43的输入端43a ;
[0069] 一第七PM0S管49,其栅极连接至第三反相器41的输出端，漏极连接至第六PM0S 管50的漏极；
[0070] -第八NM0S管54,其栅极连接至第七NM0S管51的漏极，源极接地，漏极接输出 端；
[0071 ] -第八PM0S管53,其栅极连接至第五NM0S管47的漏极，源极接电源，漏极接输出 端。
[0072] 以上所述的第一驱动单元16和第二驱动单元26的结构能够成功避免由于输出级 最后一级的PM0S管53和NM0S管54的同时导通而引起的大电流，减小了电路的风险。同 时其驱动能力经测试能提供1A的瞬时电流。
[0073] 本发明以0. 25 μπι的B⑶工艺制作。本发明集成了多种功能性部件，实现了用单 一芯片驱动脉冲激光器。封装后的芯片面积仅为5mm*5mm，裸片面积仅为3mm*3mm。仅需外 接3个电阻就可以驱动脉冲激光器。
[0074] 测试电路参见图9,设定重频为ΙΟΚΗζ，脉宽为100ns，由公式1可计算得调制电阻 R1约为1ΜΩ，由微分电路公式可以计算得到R2, R3约为1ΚΩ。使用上述电阻对芯片进行 测试：
[0075] 1、使用激光功率计对出射激光功率测试，其峰值功率可达40W ;
[0076] 2、使用光电探测器对出射激光功率进行测试，其接收到的信号参见图8,其脉宽达 到了预定的100ns左右，且其上升下降沿不超过脉冲宽度的20% (参阅图7)
[0077] 3、对光电探测器接收到的信号进行时序测试，其结果如图8所示，图中上半部分 为时钟信号，下半部分为探测器接收到的光信号。如图可见在每个时钟信号的上升沿，系统 出射一道脉冲激光，且重频在ΙΟΚΗζ左右。
[0078] 以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详 细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡 在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保 护范围之内。
【主权项】
1. 一种双路脉冲激光器驱动芯片，包括： 一内部振荡源； 一选择通道，该选择通道11的输入端与内部振荡源的输出端连接； 第一施密特触发器，其输入端与选择通道的输出端连接； 一第一电容，该第一电容的一端与第一施密特触发器的输出端连接； 一第二施密特触发器，该第二施密特触发器的输入端与该第一电容的另一端连接，该 第二施密特触发器的输入端与第一电容之间连接有一第一电阻，该第一电阻的另一端接 地，此第一电阻为外接可调电阻； 一第一驱动单元，该第一驱动单元的输入端与第二施密特触发器的输出端连接； 一第一MOS管，陔第一MOS管的栅极与第一驱动单元的输出端连接，漏极与电源之间连 接有一第一激光二极管，其中第一MOS管和第一激光二极管为外部连接； 一第三施密特触发器，其输入端与选择通道的输出端连接； 一第二电容，该第二电容的一端与第三施密特触发器的输出端连接； 一第四施密特触发器，该第四施密特触发器的输入端与该第二电容的另一端连接，该 第四施密特触发器的输入端与第二电容之间连接有一第二电阻，该第二电阻的另一端接 地，此第二电阻为外接可调电阻； 一第二驱动单元，该第一驱动单元的输入端与第二施密特触发器的输出端连接； 一第二MOS管，该第二MOS管的栅极与第二驱动单元的输出端连接，漏极与电源之间连 接有一第二激光二极管，其中第二MOS管和第二激光二极管为外部连接。2. 根据权利要求1所述的双路脉冲激光器驱动芯片，其中所述的内部振荡源是RC反馈 振荡器。3. 根据权利要求2所述的双路脉冲激光器驱动芯片，其中RC反馈振荡器包括一第一反 向器和串接的第二反向器，该第一反向器和第二反向器的首尾通过一电容连接，该第一反 向器和第二反向器之间与通过一电阻与第一反向器的输入端连接。4. 根据权利要求1所述的双路脉冲激光器驱动芯片，其中选择通道的另一输入端接收 外部时钟信号。5. 根据权利要求1所述的双路脉冲激光器驱动芯片，其中所述的第一施密特触发器、 第二施密特触发器、第三施密特触发器和第四施密特触发器的结构相同，包括： 一第一NMOS管、一第二NMOS管、一第一PMOS管和一第二PMOS管，其栅极连接在一起； 该第一NMOS管的漏极接第二NMOS管的源极；该第一PMOS管的源极接第二PMOS管的漏极； 该第二NMOS管和第一PMOS管的漏极相连接； 一第三NMOS管，其漏极与第一NMOS管的漏极连接； 一第三PMOS管，其漏极与第二PMOS管的漏极连接； 该第三NMOS管和第三PMOS管的栅极连接至第二NMOS管的漏极。6. 根据权利要求1所述的双路脉冲激光器驱动芯片，其中所述的第一驱动单元、第二 驱动单元的结构相同，包括： 一第三反相器； 一第四反相器，其输入端与第三反相器输出端连接； 一双端输入或非门，其输入端连接至第四反相器的输出端； 一双端输入与非门，其输入端连接至第三反相器的输出端； 一第四NMOS管，其栅极连接至第三反相器的输入端，源极接地； 一第五NMOS管，其栅极连接至或非门的输出端，源极连接至第四NMOS管的漏极； 一第四PMOS管，其栅极连接至或非门的输出端，漏极连接至第五NMOS管的漏极并连接 至与非门的输入端； 一第五PMOS管，其栅极连接至第三反相器的输出端，漏极连接至第四NMOS管的源极， 源极连接至电源； 一第六NMOS管，其栅极连接至第三反相器的输出端，源极接地； 一第七NMOS管，其栅极连接至与非门的输出端，源极连接至第六NMOS管的漏极； 一第六PMOS管，其栅极连接至与非门的输出端，其漏极和第七NMOS管的漏极连接至或 非门的输入端； 一第七PMOS管，其栅极连接至第三反相器的输出端，漏极连接至第六PMOS管的漏极； 一第八NMOS管，其栅极连接至第七NMOS管的漏极，源极接地，漏极接输出端； 一第八PMOS管，其栅极连接至第五NMOS管的漏极，源极接电源，漏极接输出端。
【专利摘要】一种双路脉冲激光器驱动芯片，包括：内部振荡源、选择通道、第一施密特触发器、第二施密特触发器、第一驱动单元、第一MOS管、第三施密特触发器、第四施密特触发器，该第四施密特触发器的输入端与该第二电容的另一端连接、第二驱动单元，该第一驱动单元的输入端与第二施密特触发器的输出端连接和第二MOS管，本发明集成了多种功能性部件，实现了用单一芯片驱动脉冲激光器。封装后的芯片面积仅为5mm*5mm，裸片面积仅为3mm*3mm。面积比原模块缩小61％。仅需外接3个电阻就可以驱动脉冲激光器。电阻电容数目比原来减少62％。使用该芯片可以大大缩小激光器驱动电路的体积，同时由于电路的集成化设计也使整个系统的可靠性得到提高。
【IPC分类】H01S5/042
【公开号】CN105261931
【申请号】CN201510765100
【发明人】纪亚飞, 赵柏秦
【申请人】中国科学院半导体研究所
【公开日】2016年1月20日
【申请日】2015年11月11日...