中，以形成区域214。在一个实施例中，形成η型掺杂剂源层包括形成匕05层。随后，可以移除η型掺杂剂源层210，如图2F所示。
[0032]参见流程图100的操作110和对应的图2F，在一个实施例中，形成背接触太阳能电池触点的方法任选地还包括在多个包含η型掺杂剂的多晶硅区域212和多个固态ρ型掺杂剂源区域206以及对应区域214之间形成沟槽216。
[0033]在一个实施例中，在多晶硅层204中、在薄介电层202中以及部分地在基板202中形成沟槽216。在一个实施例中，用平版印刷和蚀刻处理形成沟槽216。在一个具体的实施例中，用不同的蚀刻操作对多晶硅层204然后对基板200进行图案化。
[0034]参见流程图100的操作112和对应的图2G，在一个实施例中，形成背接触太阳能电池触点的方法任选地还包括在形成沟槽216之后对沟槽216所暴露出的基板200的部分218进行纹理化。
[0035]在一个实施例中，纹理化提供无规纹理图案。无规纹理图案可以通过对基板200的暴露区域应用各向异性蚀刻处理而形成，并因此可由基板200的晶面，如单晶硅晶面测定。在一个实施例中，进行沟槽216的形成和基板200的纹理化时，沟槽216的形成与基板200的纹理化之间不进行固化操作。这样的固化操作可以包括加热操作、暴露于红外线(IR)辐射或暴露于紫外线(UV)辐射。
[0036]参见流程图100的操作114和对应的图2H，在一个实施例中，形成背接触太阳能电池触点的方法任选地还包括移除多个固态P型掺杂剂源区域206。在一个实施例中，使用湿法蚀刻技术通过施加包含氢氟酸水溶液或另一种HF源的润湿溶液移除多个固态ρ型掺杂剂源区域206。在一个实施例中，通过等离子蚀刻移除多个固态ρ型掺杂剂源区域206。
[0037]参见流程图100的操作116和对应的图21，形成背接触太阳能电池触点的方法还包括对基板200进行加热299，从而在多个ρ型掺杂的多晶硅区域222之中提供多个η型掺杂的多晶硅区域220。
[0038]在一个实施例中，加热基板200包括活化多个包含η型掺杂剂的多晶硅区域212中的掺杂剂，形成多个η型掺杂的多晶硅区域220。在一个实施例中，活化包括将至少一些掺杂剂的结合从间隙掺杂变成多晶硅层204内的替位掺杂。在一个具体的实施例中，活化包括提供多个具有50 - 300欧姆/平方范围内的低薄层电阻的η型掺杂的多晶硅区域220。
[0039]在一个实施例中，加热基板200还包括将源自多个固态ρ型掺杂剂源区域206的掺杂剂进一步驱入多晶硅层204，以及活化多晶硅层204中的掺杂剂，从而提供多个ρ型掺杂的多晶硅区域222。在一个实施例中，活化包括将至少一些掺杂剂的结合从间隙掺杂变成多晶硅层204内的替位掺杂。在一个具体的实施例中，活化包括提供多个具有50-300欧姆/平方范围内的低薄层电阻的ρ型掺杂的多晶硅区域222。
[0040]参见图2J，在一个实施例中，形成背接触太阳能电池触点的方法任选地还包括在多个η型掺杂的多晶硅区域220、多个ρ型掺杂的多晶硅区域222和基板200的暴露部分上形成介电层224。在一个实施例中，形成的介电层224的下表面与多个η型掺杂的多晶硅区域220、多个ρ型掺杂的多晶硅区域222和基板200的暴露部分适形形成，而介电层224的上表面基本平坦，如图2J所示。在一个具体的实施例中，介电层224为抗反射涂层(ARC)。[0041 ] 参见流程图100的操作118和对应的图2K，在一个实施例中，形成背接触太阳能电池触点的方法任选地还包括通过激光烧蚀形成多个通往多个η型掺杂的多晶硅区域220和多个Ρ型掺杂的多晶硅区域222的触点开口 226。在一个实施例中，通往η型掺杂的多晶硅区域220的触点开口 226与通往ρ型掺杂的多晶硅区域222的触点开口具有实质上相同的高度，如图2Κ所示。
[0042]参见图2L，在一个实施例中，形成背接触太阳能电池触点的方法任选地还包括在多个触点开口 226中形成导电触点228并将其耦合到多个η型掺杂的多晶硅区域220和多个P型掺杂的多晶硅区域222。在一个实施例中，导电触点228由金属构成并通过沉积、平版印刷和蚀刻方法形成。
[0043]在本发明的另一个方面，在多晶硅层和ρ型掺杂剂源上形成η型掺杂剂源，然后将η型和ρ型掺杂剂驱入多晶硅层，而一直不将对应的下层基板从反应室中取出。例如，图3示出了根据本发明实施例的形成背接触太阳能电池触点的方法中的操作流程图300。图2A-2L示出了根据本发明实施例的背接触太阳能电池制造中与流程图300的操作相对应的多个阶段的剖视图。
[0044]参见流程图300的操作302和对应的图2Α，形成背接触太阳能电池触点的方法包括在基板200上形成薄介电层202。
[0045]在一个实施例中，薄介电层202由二氧化硅构成并具有5-50埃范围内的厚度。在一个实施例中，薄介电层202用作隧穿氧化层。在一个实施例中，基板200为整体单晶基板，如η型掺杂的单晶硅基板。然而，在可供选择的实施例中，基板200包括设置在整个太阳能电池基板上的多晶硅层。
[0046]参见流程图300的操作304和对应的图2Β，形成背接触太阳能电池触点的方法还包括在薄介电层202上形成多晶硅层204。应当理解，术语多晶硅层的使用旨在还涵盖可被称为无定形娃或α娃的材料。
[0047]在一个实施例中，通过图案化在多个固态ρ型掺杂剂源区域206之间暴露多晶硅层204的区域208，如图2C所示。在一个实施例中，形成并图案化固态ρ型掺杂剂源206包括形成并图案化硼硅酸盐玻璃(BSG)层。在一个具体的实施例中，形成的BSG层为均匀的毯层，然后通过平版印刷和蚀刻处理进行图案化。在另一个具体的实施例中，沉积的BSG层已经具有图案，因此，形成和图案化同时进行。在一个这样的实施例中，图案化的BSG层通过喷墨印刷法或丝网印刷法形成。应当理解，固态ρ型掺杂剂源为包含掺杂剂杂质原子的膜层并可以沉积在基板上方。这与离子注入法相对应。
[0048]参见流程图300的操作308以及对应的图2D和2Ε，形成背接触太阳能电池触点的方法还包括在反应室中装入基板200。无需从反应室取出基板200，在多晶硅层204的暴露区域208上以及多个固态ρ型掺杂剂源区域206上形成η型掺杂剂源层210。将来自η型掺杂剂源层210的掺杂剂至少部分地驱入多晶硅层204的暴露区域208，以在多个固态ρ型掺杂剂源区域206之间形成多个包含η型掺杂剂的多晶硅区域212。
[0049]在一个实施例中，再次参见图2Ε，形成η型掺杂剂源层210还包括至少部分地将掺杂剂从多个固态Ρ型掺杂剂源区域206驱入多晶硅层204中，以形成区域214。在一个实施例中，形成η型掺杂剂源层包括形成匕05层。应当注意，可能的情况是:将掺杂剂从多个固态Ρ型掺杂剂源区域206驱入(或进一步驱入)多晶硅层204以形成区域214时，除了仅形成η型掺杂剂源层210之外，还需要在处理室中进行另外的操作。例如，在一个实施例中，参见流程图300的可选操作310，该方法还包括单独的操作，其中当基板200仍装在反应室中时，来自固态Ρ型掺杂剂源的掺杂剂被至少部分地驱入多晶硅层204，形成或进一步形成区域214。在一个实施例中，操作310涉及在远高于与操作308相连的所述的操作温度下加热基板200。
[0050]参见流程图300的操作312，形成背接触太阳能电池触点的方法还包括，在将基板200单次引入反应室时进行上述加工操作之后，从反应室中取出基板200。随后，可以移除η型掺杂剂源层210，如图2F所示。
[0051]参见流程图300的操作314和对应的图2F，在一个实施例中，形成背接触太阳能电池触点的方法任选地还包括在多个包含η型掺杂剂的多晶硅区域212和多个固态ρ型掺杂剂源区域206以及对应的区域214之间形成沟槽216。
[0052]在一个实施例中，在多晶硅层204中、在薄介电层202中以及部分地在基板202中形成沟槽216。在一个实施例中，用平版印刷和蚀刻处理形成沟槽216。在一个具体的实施例中，用不同的蚀刻操作对多晶硅层204然后对基板200进行图案化。
[0053]参见流程图300的操作316和对应的图2G，在一个实施例中，形成背接触太阳能电池触点的方法任选地还包括在形成沟槽216之后对沟槽216所暴露出的基板200的部分218进行纹理化。
[0054]在一个实施例中，纹理化提供无规纹理图案。无规纹理图案可以通过对基板200的暴露区域应用各向异性蚀刻处理而形成，并因此可由基板200的晶面，如单晶硅平面测定。在一个实施例中，进行沟槽216的形成和基板200的纹理化时，沟槽216的形成与基板200的纹理化之间不进行固化操作。这样的固化操作可以包括加热操作、暴露于红外线(IR)辐射或暴露于紫外线(UV)辐射。
[0055]参见流程图300的操作318和