2O3)、氧化硅(S12)、氧化钛(T12)、氮化硅(SiNx)、旋涂玻璃(SOG)或四乙氧基硅烷(TE0S)。接触层14用以传导电流，其材料包括GaP、AlxGai—xAs(0 I)或AlaGabIn1-a-bP(0<a< l，0<b< l，0<a+b< I)。
[0015]实施例如图2所示，发光装置4具有载体40;第二粘结层42位于载体40之上;第一发光结构41与第二发光结构43位于第二粘结层42之上；电绝缘层44位于第二粘结层42、第一发光结构41与第二发光结构43之上；以及电连接结构46位于电绝缘层44之上，电连接第一发光结构41与第二发光结构43。第一发光结构41与第二发光结构43与上述第一实施例的发光元件I类似，具有第一发光叠层2;隧穿层12;第二发光叠层3;以及接触层14位于透明粘结层42之上。但第一发光结构41与第二发光结构43还分别具有第一电极16位于接触层14之上与第二电极18位于第一发光叠层2之上；电连接结构46可电连接第一发光结构41的第二电极18与第二发光结构43的第一电极16。
[0016]载体40可用以生长及/或支持其上的发光结构，其材料可为透明材料，例如为蓝宝石(Sapphire)、钻石(Diamond)、玻璃(Glass)、石英(Quartz)、压克力(AcryI )、氧化锌(ZnO)或氮化铝(AlN)等。载体40的材料亦可为导热材料，包括铜(Cu)、铝(Al)、类钻碳薄膜(Diamond Like Carbon;DLC)、碳化娃(SiC)、金属基复合材料(Metal Matrix Composite ；MMC)、陶瓷基复合材料(Ceramic Matrix Composite ； CMC)、娃(Si)、磷化鹏(IP)、砸化锌(ZnSe),砷化镓(GaAs)、锗(Ge)、碳化硅(S i C)、磷化镓(GaP)、磷砷化镓(GaAsP)、砸化锌(ZnSe)、磷化铟(InP)、镓酸锂(LiGaO2)或铝酸锂(LiAlO2)13其中可用以生长发光结构的材料例如为蓝宝石(Sapphire)、砷化镓(GaAs)或碳化娃(SiC)等。
[0017]第二粘结层42用以粘结发光结构与载体40，其材料可为透明粘结材料，例如Su8、苯并环丁稀(BCB)、过氟环丁烧(PFCB)、环氧树脂(Epoxy)、丙稀酸树脂(Acrylic Resin)、环烯烃聚合物(COC)、聚亚酰胺(PI)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚醚酰亚胺(Polyetherimide)、氟碳聚合物(Fluorocarbon Polymer)、玻璃(Glass)、氧化铝(Al2O3)、氧化硅(S12)、氧化钛(T12)、氮化硅(SiNx)、旋涂玻璃(SOG)或四乙基硅烷(TEOS)。第二粘结层42可同时为电绝缘材料以电绝缘第一发光结构41与第二发光结构43。另一实施例中，第二粘结层42可置换为用以生长发光结构的缓冲层，其材料包括AlxGa1-xAs(0<x< l)、AlaGabIm-a-bP或AlaGabIm-a-bN(0<a< l，0<b< l，0<a+b< I)。
[0018]电绝缘层44用以保护与电绝缘第一发光结构41与第二发光结构43，其材料可为绝缘材料，例如Su8、苯并环丁烯(BCB)、过氟环丁烷(PFCB)、环氧树脂(Epoxy)、丙烯酸树脂(Acrylic Resin)、环稀经聚合物(COC)、聚甲基丙稀酸甲酯(PMMA)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚亚酰胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、聚醚酰亚胺(Polyetherimide )、氟碳聚合物(Fluorocarbon Polymer)、玻璃(Glass)、氧化招(AI2O3)、氧化娃(Si02)、氧化钛(Ti02)、氮化硅(SiNx)、旋涂玻璃(SOG)或四乙基硅烷(TEOS)。电连接结构46用以电连接第一发光结构41与第二发光结构43，其材料为透明导电材料，例如氧化铟锡(IT0)、氧化铟(InO)、氧化锡(SnO)、氧化镉锡(CTO)、氧化锑锡(ΑΤΟ)、氧化锌(ZnO)、氧化镁(MgO)、砷化铝镓(AlGaAs)、氮化镓(GaN)、磷化镓(GaP)、氧化铝锌(AZ0)、氧化锌锡(ZT0)、氧化镓锌(GZ0)、氧化铟锌(IZ0)或氧化钽(Ta205)，或金属材料，例如锗(Ge)、铜(Cu)、铝(A1)、钼(Mo)、铜-锡(Cu-Sn)、铜-锌(Cu-Zn)、铜-镉(Cu-Cd)、镍-锡(N1-Sn)、镍-钴(Ni_Co)或金合金(Au alloy)。
[0019]本发明所列举的各实施例仅用以说明本发明，并非用以限制本发明的范围。任何人对本发明所作的任何显而易知的修饰或变更皆不脱离本发明的精神与范围。
【主权项】
1.一发光组件包含: 一第一发光叠层，包含一第一半导体层、一第二半导体层以及一第一发光层位于该第一半导体层及该第二半导体层之间，其中该第一半导体层与该第二半导体层的电性相异；以及 一第二发光叠层，位于该第一发光叠层之上且包含一第三半导体层、一第四半导体层以及一第二发光层位于该第三半导体层及该第四半导体层之间，其中该第三半导体层与该第四半导体层的电性相异； 其中该第一发光层发出一不可见光，且该第二发光层发出一可见光。2.如权利要求1所述的发光组件，其中该第一发光层具有一第一能隙，该第二发光层具有一第二能隙，该第一能隙与该第二能隙之能隙差介于0.3eV与0.5eV之间。3.如权利要求1所述的发光组件，还包含一粘结层，该粘结层接合该第一发光叠层与该第二发光叠层。4.如权利要求1所述的发光组件，还包括一基板，其中该第一发光叠层直接成长于该基板上。5.如权利要求1所述的发光组件，还包括一基板以及一粘结层，该粘结层接合该第一发光叠层于基板之上。6.如权利要求1所述的发光组件，还包含一隧穿层，该隧穿层位于该第一发光叠层与该第二发光叠层之间，其中该隧穿层之掺杂浓度大于8xl018/Cm3。7.如权利要求1所述的发光组件，其中该第一发光层由一第一量子阱与一第二量子阱交互堆栈形成，其中该第一量子阱具有一第一量子阱能隙，该第二量子阱具有一第二量子阱能隙，该第一量子阱能隙与该第二量子阱能隙相异。8.如权利要求1所述的发光组件，其中该第二发光层由一第三量子阱与一第四量子阱交互堆栈形成，其中该第三量子阱具有一第三量子阱能隙，该第四量子阱具有一第四量子阱能隙，该第三量子阱能隙与该第四量子阱能隙相异。9.如权利要求1所述的发光组件，其中该第一发光层发出之不可见光用以促进伤口愈合，该第二发光层发出之可见光用以消除细纹。10.如权利要求1所述的发光组件，其中该第一发光层发出之不可见光具有一主波长小于400nm或大于780nm，且该第二发光层发出之可见光具有一主波长介于400nm与780nm之间。
【专利摘要】本发明公开一种发光元件，该发光元件具有基板；第一发光叠层位于基板之上；隧穿层位于第一发光叠层之上；第二发光叠层位于隧穿层之上；以及接触层位于第二发光叠层之上。
【IPC分类】H01L33/08
【公开号】CN105428480
【申请号】CN201510759572
【发明人】林义杰, 李荣仁
【申请人】晶元光电股份有限公司
【公开日】2016年3月23日
【申请日】2011年8月1日
【公告号】CN102916088A, CN102916088B