9]上述透明的导电氧化物可为至少一种选自以下元素的氧化物:铟(In)、锡(Sn)、锌
(211)、镓(6&)、铈((^)、镉(0(1)、镁(1%)、铍(86)、银(48)、钼(10)、钒(￥)、铜(01)、铱(10、铭(Rh)、舒(Ru)、妈(W)、钴(Co)、镍(Ni)、猛(Μη)、招(Α1)和镧(La)。
[0050]在本发明中，上述导电层可包含透明的导电氧化物。所述透明的导电氧化物可为至少一种选自以下元素的氧化物:铟(In)、锡(Sn)、锌(Zn)、镓(Ga)、铈(Ce)、镉(Cd)、镁(1%)、铍(8幻、银(48)、钼(10)、钒(￥)、铜(01)、铱(10、铑(1^)、钌(1?11)、钨(￥)、钴(0))、镍(附)、锰(111)、铝(八1)、和镧(1^)。
[0051]此外，上述导电层可包含一种或多种选自以下的金属:镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂?、银、铀、金、妈、钽、铜、锡、铅及其合金。
[0052]上述导电层可以利用选自以下的任一种物理气相沉积(PVD)法形成:溅镀法、电子束蒸镀法、热蒸镀法、激光分子束外延(L-MBE)法、和脉冲激光沉积(PLD)法;选自以下的任一种化学气相沉积法:热化学气相沉积法、等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)法、光化学气相沉积法、激光化学气相沉积法、金属-有机化学气相沉积(M0CVD)法和氢化物气相外延(HVPE)法;或原子层沉积(ALD)法。
[°°53] 上述导电层的厚度可为50nm至5μηι，但不限于此。
[0054]在本发明中，上述基板可由透明塑料或玻璃形成、也可由前述透明的导电氧化物形成，或由一种或多种选自以下的金属形成:镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、钆、铝、银、锡、铅、
铬、钼、铜及其合金。
[0055]本发明的一个示例性实施方案提供一种用于制造层压体的方法，其包含:1)在基板上形成第一层;2)在第一层上形成第二层，第二层具有突出结构，该突出结构的宽度大于第一层的宽度；以及3)在基板和第二层上形成导电层，设置于基板上的导电层与设置于第二层上的导电层形成电短路。
[0056]在制造层压体的方法中，基板、第一层和第二层的具体材料和形成方法与前述相同，因此将省略其具体描述。
[0057]在制造层压体的方法中，步骤2)中的突出结构可通过分别或同时蚀刻第一层和第二层形成。
[0058]在本发明中，所述方法还可另外包含在上述基板和第一层之间形成透明的导电氧化物层的阶段。
[0059]此外，本发明的示例性实施方案的电极可包含层压体。
[0060]特别是，上述包含层压体的电极可应用于显示器用有机发光元件与照明用有机发光元件，但不限于此。此时，设置于上述第二层上的导电层可用作阴极电极而基板和第一层可用作阳极电极和阳极电极的辅助电极，但不限于此。
[0061]用于相关技术领域的有机发光元件的电极示于下图1和图2中，且用于本发明的示例性实施方案的包含层压体的有机发光元件的电极示于下图3至图5中。
[0062]在有机发光元件的制造时伴随的的沉积过程中，将金属形成的遮罩用作蔽荫遮罩(shadow mask)。更具体而言，在有机材料的沉积过程中，至少会使用一个蔽荫遮罩，而在第二电极的沉积过程中，使用一个蔽荫遮罩。
[0063]然而，当制造本发明示例性实施方案的层压体时，不需要金属遮罩，因此不仅降低制备遮罩的成本并且降低了定期清洗和替换遮罩的管理成本。此外，因结合有机材料图案化技术，可进行不需要遮罩的沉积过程。另外，当将遮罩从沉积设备上移出时，可简化设备传送单元。特别是，随着设备尺寸和玻璃尺寸的增加，根据上述简化的成本降低的效果会更加显著。
[0064]如上所述，根据本发明的示例性实施方案的层压体可应用于用于有机发光元件的电极。此外，根据本发明的示例性实施方案的层压体，在基板和突出结构上形成电短路导电层，因此在制备层压体的过程中，可避免使用相关技术领域中用于图案化形成的遮罩。因此，可降低制造有机发光元件的成本。
【主权项】
1.一种层压体，其包含: 基板； 第一层，其设置于上述基板上； 第二层，其设置于上述第一层上并具有宽度大于第一层的宽度的突出结构；以及 导电层，其设置于上述基板及第二层上， 其中设置于基板上的导电层与设置于第二层上的导电层形成电短路。2.权利要求1所述的层压体，其中设置于基板上的导电层与第一层形成电短路。3.权利要求1所述的层压体，其中设置于基板上的导电层与第二层形成电短路。4.权利要求1所述的层压体，其中第一层以及第二层所包含的材料在相同蚀刻剂下的蚀刻速度彼此不同。5.权利要求1所述的层压体，其中用于形成第一层以及第二层的蚀刻剂的类型彼此不同。6.权利要求4或5所述的层压体，其中所述蚀刻剂包含氢氟酸(HF)、磷酸(Η3Ρ04)、缓冲氧化物蚀刻剂(ΒΟΕ)、缓冲氢氟酸溶液(BHF)、过氧化氢系蚀刻剂、CH3⑶0H、HC1、ΗΝ03或铁系蚀刻剂中的一种或多种。7.权利要求1所述的层压体，其中第一层为金属层而第二层为绝缘层。8.权利要求7所述的层压体，其中所述金属层包含一种或多种选自以下的金属:镁、钙、钠、钾、钛、铟、锂?、银、锡、铅、络、钼、铜及其合金。9.权利要求7所述的层压体，其中所述绝缘层包含一种或多种的以下物质:光阻材料、聚酰亚胺、聚丙烯、氮化硅、氧化硅、氧化铝、氮化铝、碱金属氧化物、碱土金属氧化物。10.权利要求1所述的层压体，其还包含:透明的导电氧化物层，其位于基板和第一层之间。11.权利要求10所述的层压体，其还包含:透明的导电氧化物层，其位于基板和设置于基板上的导电层之间。12.权利要求1所述的层压体，其中所述导电层包含至少一种选自以下的元素的氧化物:铟(In)、锡(Sn)、锌(Ζη)、镓(Ga)、铈(Ce)、镉(Cd)、镁(Mg)、铍(Be)、银(Ag)、钼(Μο)、钒(V)、铜(Cu)、铱(Ir)、铭(Rh) ,IT(Ru)、妈(W)、钴(Co)、镍(Ni)、猛(Μη)、招(Α1)和镧(La)。13.权利要求1所述的层压体，其中所述导电层包含一种或多种选自以下的金属:镁、钙、钠、钾、钛、铟、?乙、锂?、银、铀、金、妈、钽、铜、锡、铅及其合金。14.一种制备层压体的方法，其包含: 1)在基板上形成第一层； 2)在第一层上形成第二层，第二层具有突出结构，该突出结构的宽度大于第一层的宽度；以及 3)在基板和第二层上形成导电层，设置于基板上的导电层与设置于第二层上的导电层形成电短路。15.权利要求14所述的方法，其还包含: 在基板和第一层之间形成透明的导电氧化物层。16.权利要求14所述的方法，其中在步骤2)中的突出结构通过分别或同时蚀刻第一层和第二层而形成。17.—种电极，其包含:权利要求1至5和7至13中任一项所述的层压体。
【专利摘要】本发明涉及一种层压体及其制造方法。根据本发明的层压体包含：基板；第一层，其设置于上述基板上；第二层，其设置于上述第一层上并具有宽度大于第一层的宽度的突出结构；以及导电层，其设置于上述基板和第二层上，其中设置于基板上的导电层与设置于第二层上的导电层形成电短路。
【IPC分类】B32B37/00, H01L51/56, H01L51/52
【公开号】CN105453297
【申请号】CN201480045672
【发明人】文英均, 姜旼秀
【申请人】株式会社Lg化学
【公开日】2016年3月30日
【申请日】2014年9月30日
【公告号】EP3016163A1, US20160181559, WO2015047057A1