除这些残余应力，保证电极具有优良的导电性能，而上述退火时间范围和温度范围是经过多次试验所得到的更适宜该A1203薄膜退火的优选方案，然而，如果上述第一种PERC电池的制作方法中的退火过程中如果不采用这种优选方案，也并不影响其具体实施过程。
[0050]在上述四种方案中的表面制绒过程可以采用如下方案:利用湿法化学腐蚀工艺制备45°正金字塔绒面。这种制作工艺比较成熟，形成的绒面的减反射效果更好。当然，如果不采用这种方式，也并不会影响上述第一种PERC电池的制作方法的具体实施。
[0051]更进一步的，在上述步骤S2之后，还可以包括如下步骤:利用刻蚀工艺去除表面的磷硅玻璃和边结，这样就能够避免对后续步骤产生不良影响。
[0052]而且，上述步骤S3可以具体为:在所述硅片的正面利用等离子体增强化学气相沉积方式沉积折射率范围在2.04至2.11之间、厚度为70nm至80nm的Si3N4薄膜。需要说明的是，这只是上述第一种PERC电池的制作方法中的一个优选方案，如果不采用此方案也并不会影响方法的实施。
[0053]作为进一步的优选方案，在上述步骤S5中，所述制作前电极可以具体为:利用丝网印刷方式印刷银浆料，制作所述前电极。这种前电极采用银浆料能够有效降低生产成本，且丝网印刷方式也具有成本低的优势，当然这只是优选方案之一，还可以采用其他方式，如蒸发或溅射等等，这里并不做限制，而且，上述第一种PERC电池制作方法如果不采用此方式，也并不会影响具体实施。另外，所述制作背电极可以具体为:利用丝网印刷方式印刷铝浆料，制作所述背电极。这也是一种低成本的优选的制作方式，具体不再赘述。
[0054]在上述制作前电极和背电极之后还可以包括:对所述前电极和所述背电极进行烧结，这样就能够形成良好的欧姆接触，有利于后续的使用。当然，这只是另一个优选方案，如果上述第一种PERC电池的制作方法不采用此步骤，也并不会影响后续使用。
[0055]下面对本申请实施例提供的第二种PERC电池的制作方法进行说明。
[0056]本申请实施例提供的第二种PERC电池的制作方法如图2所示，图2为本申请实施例提供的第二种PERC电池的制作方法的示意图。该方法包括如下步骤:
[0057]A1:对硅片进行清洗并利用湿法化学腐蚀工艺制备45°正金字塔绒面；
[0058]在该步骤中，可采用成熟的单晶硅片碱制绒工艺，形成45度正金字塔绒面。
[0059]A2:扩散形成p-n结，利用刻蚀工艺去除表面的磷硅玻璃和边结；
[0060]在该步骤中，在具有所述金字塔绒面的一侧进行扩散，对于p型硅衬底，就是在金字塔上形成η型区，可以采用太阳能电池生产线上成熟的扩散工艺来实现，扩散完成后方阻约为95Ω，结深约为0.3um。
[0061]A3:在所述硅片的正面利用等离子体增强化学气相沉积方式沉积折射率范围在2.04至2.11之间、厚度为70nm至80nm的Si3N4薄膜；
[0062]在该步骤中，形成的Si3N4薄膜可采用折射率渐变的多层薄膜，可以减小表面的光反射，又可以起到表面钝化的效果。
[0063]A4:在所述硅片的背面覆盖掩膜网版，并利用所述掩膜网版利用原子层沉积方式，设置沉积温度为180°C至220°C，沉积厚度为4nm至15nm的所述A1203薄膜，设置退火的时间为20分钟至40分钟，温度为400°C至500°C进行退火，然后再利用等离子体增强化学气相沉积方式，沉积厚度为80nm至lOOnm的所述Si3N4薄膜，取下所述掩膜网版，形成开槽式钝化膜图案；
[0064]在该步骤中，网板的线宽和线间距与形成电池后背面的掺杂浓度和导电性能有关，例如线宽为50um，线间距为lOOum，网板的厚度应该大于背面钝化膜的厚度，约lum。网板与硅片之间应该紧密接触，不可留有空隙，否则会形成阴影，无法形成“开槽”钝化膜。
[0065]A5:利用丝网印刷方式印刷银浆料，制作所述前电极，利用丝网印刷方式印刷铝浆料，制作所述背电极，对所述前电极和所述背电极进行烧结。
[0066]在该步骤中，也可采用蒸发、溅射等方式制备电池电极。
[0067]上述实施例通过网板掩膜技术的引入，避免了电池背面钝化膜激光开槽引入的损伤，可以有效降低电池的复合，提高开路电压和短路电流，又可改善电池背面的电极接触性能，降低电池的串联电阻，提高电池的输出电流，另外，掩膜网版是一次投入可多次重复使用的，可以避免激光刻蚀的能量损耗，成本低廉，技术较为成熟，开槽的线宽和线间距不受实验设备激光器的参数限制，可根据硅片的掺杂和导电能力随意改变，且不需要增加额外增加大型设备，能够和现有的产线兼容，适合工业上的大规模应用。
[0068]对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
【主权项】
1.一种PERC电池的制作方法，其特征在于，包括: 对娃片进行清洗并表面制绒； 扩散形成p-n结； 在所述硅片的正面制作钝化膜； 在所述硅片的背面覆盖掩膜网版，并利用所述掩膜网版沉积A1203薄膜，退火后再沉积Si3N4薄膜，取下所述掩膜网版，形成开槽式钝化膜图案； 制作前电极和背电极。2.根据权利要求1所述的PERC电池的制作方法，其特征在于，所述沉积A1203薄膜为: 利用原子层沉积方式，设置沉积温度为180°C至220°C，沉积厚度为4nm至15nm的所述A1203薄膜。3.根据权利要求2所述的PERC电池的制作方法，其特征在于，所述沉积Si3N4薄膜为: 利用等离子体增强化学气相沉积方式，沉积厚度为80nm至lOOnm的所述Si3N4薄膜。4.根据权利要求3所述的PERC电池的制作方法，其特征在于，在所述退火之前，还包括: 设置所述退火的时间为20分钟至40分钟，温度为400°C至500°C。5.根据权利要求1-4任一项所述的PERC电池的制作方法，其特征在于，所述表面制绒为: 利用湿法化学腐蚀工艺制备45°正金字塔绒面。6.根据权利要求5所述的PERC电池的制作方法，其特征在于，在所述扩散形成p-n结之后还包括: 利用刻蚀工艺去除表面的磷硅玻璃和边结。7.根据权利要求6所述的PERC电池的制作方法，其特征在于，所述在所述硅片的正面制作钝化膜为: 在所述硅片的正面利用等离子体增强化学气相沉积方式沉积折射率范围在2.04至2.11之间、厚度为70nm至80nm的Si3N4薄膜。8.根据权利要求7所述的PERC电池的制作方法，其特征在于，所述制作前电极为: 利用丝网印刷方式印刷银浆料，制作所述前电极。9.根据权利要求8所述的PERC电池的制作方法，其特征在于，所述制作背电极为: 利用丝网印刷方式印刷铝浆料，制作所述背电极。10.根据权利要求9所述的PERC电池的制作方法，其特征在于，所述制作前电极和背电极之后还包括: 对所述前电极和所述背电极进行烧结。
【专利摘要】本申请公开了一种PERC电池的制作方法，包括：对硅片进行清洗并表面制绒；扩散形成p-n结；在所述硅片的正面制作钝化膜；在所述硅片的背面覆盖掩膜网版，并利用所述掩膜网版沉积Al2O3薄膜，退火后再沉积Si3N4薄膜，取下所述掩膜网版，形成开槽式钝化膜图案；制作前电极和背电极。由于在上述方法中，在所述硅片的背面覆盖掩膜网版，并利用所述掩膜网版沉积Al2O3薄膜，退火后再沉积Si3N4薄膜，取下所述掩膜网版，形成开槽式钝化膜图案，因此既能实现晶硅电池的局部背接触，又能避免激光开槽所带来的损伤，从而降低复合，降低接触电阻，提高电池转换效率。
【IPC分类】H01L31/068, H01L31/18, H01L31/0224
【公开号】CN105470347
【申请号】CN201510976235
【发明人】杨洁, 福克斯·斯蒂芬, 蒋方丹, 金浩
【申请人】浙江晶科能源有限公司, 晶科能源有限公司
【公开日】2016年4月6日
【申请日】2015年12月22日