120a的底面上。此时，第一金属层151可以接触接触电极135的上表面以与之电连接。
[0076]接触电极135可以接触第一导电型半导体层121以与之形成欧姆接触。接触电极135可以包括导电材料，诸如ΙΤ0、Ζη0、ΑΖ0、ΙΖ0等，具体地，在所述示例性实施例中，接触电极135可以由ITO形成。接触电极135可以由与透明电极130基本相同的材料形成，且可以在发光设备的制备中与透明电极130同时形成。
[0077]在其中包括导电性氧化物(诸如ΙΤ0)的接触电极135形成于第一导电型半导体层121的暴露区域上的结构中，金属层150不直接接触第一导电型半导体层121。因此，接触电极135可以防止金属原子(例如Ag)从金属层150扩散到第一导电型半导体层121中，并且可以防止电流泄露或者第一导电型半导体层121的结晶度的恶化。
[0078]此外，通过接触电极135，从第一导电型半导体层121与接触电极135之间的接触部到第二导电型半导体层125与透明电极130之间的接触部的分隔距离可以进一步减小。相应地，根据此示例性实施例的发光设备可以通过相对低的正向电压来驱动。
[0079]图3a是根据各种实施例的示例性发光设备的剖视图。
[0080]不同于图1所示的发光设备，图3a中所示的发光设备还包括波长转换层190。在下文中，将主要描述根据图3a所示实施例的发光设备的不同特征，省略与根据上述示例性实施例的发光设备相同的部件的详细描述。
[0081]参见图3a，根据此示例性实施例的发光设备包括发光结构120、透明电极130、第一绝缘层140、金属层150和波长转换层190。另外，所述发光设备可以进一步包括第二绝缘层160、第一电极171、第二电极173及绝缘单元180。
[0082]波长转换层190可以设置在发光结构120的下表面上。
[0083]波长转换层190起到转换从发光结构120发出的光的波长的作用，使得发光设备能够发出处于期望波段的光。波长转换层190可以包括荧光体及包含所述荧光体的承载构件。所述荧光体可以包括本领域技术人员已知的各种荧光体，且可以包括石榴石荧光体、铝酸盐荧光体、硫酸盐荧光体、氮氧化合物荧光体、氮化物荧光体、氟化物荧光体及硅酸盐荧光体中的至少一种。所述承载构件也可以由本领域技术人员熟知的材料形成，例如聚合物树脂，诸如环氧树脂或者丙烯酸树脂，或者硅酮树脂。波长转换层190可以由单层或者多层构成。
[0084]尽管在图3a中波长转换层190形成为覆盖发光结构120的下表面，但是本发明不限于此且可以存在其他实施方式。波长转换层190可以进一步覆盖发光设备的侧面的至少一部分。在此示例性实施例中，波长转换层190可以进一步覆盖发光结构120的侧面，同时覆盖第一电极171、第二电极173或者绝缘单元180的侧面的一部分。
[0085]借助其中发光设备还包括波长转换层190的结构，根据此示例性实施例的发光设备本身可以被用作白光芯片级封装。相应地，可以在无需单独部件来构成发光设备的封装的情况下提供白光发光设备的封装，从而能够减小发光设备封装尺寸。
[0086]图3b是根据各种实施例的示例性发光设备的剖视图。
[0087]图3b的发光设备与图3a的发光设备的不同之处在于第一绝缘层140、金属层150、第二绝缘层160和绝缘单元180的结构。在下文中，将主要描述根据图3b所示实施例的发光设备的不同特征，省略与根据上述示例性实施例的发光设备相同的部件的详细描述。
[0088]参见图3b，根据此示例性实施例的发光设备包括发光结构120、透明电极130、第一绝缘层140、金属层150和波长转换层190。另外，所述发光设备可以进一步包括第二绝缘层160、第一电极171、第二电极173及绝缘单元180。
[0089]不同于图3a的发光设备，在图3b的发光设备中，第一绝缘层140可以进一步覆盖发光结构120的侧面，且第一绝缘层140的一部分可以接触波长转换层190。另外，金属层150和第二绝缘层160可以设置在覆盖发光结构120的侧面的第一绝缘层140上。
[0090]借助这种结构，可以更有效地保护暴露于发光结构120的侧面的半导体层免受外部环境的影响。另外，金属层150也设置在发光结构120的侧面上，并且反射朝向发光结构120的侧面行进的光，从而改善发光设备的发光效率。
[0091]图4是根据各种实施例的示例性发光设备的剖视图。
[0092]不同于图1所示的发光设备，图4中所示的发光设备还包括电流阻挡层210。在下文中，将主要描述根据图4所示实施例的发光设备的不同特征，省略与根据上述示例性实施例的发光设备相同的部件的详细描述。
[0093]参见图4，根据所述示例性实施例的发光设备包括发光结构120、透明电极130、第一绝缘层140、金属层150和电流阻挡层210。另外，所述发光设备可以进一步包括第二绝缘层160、第一电极171、第二电极173及绝缘单元180。
[0094]电流阻挡层210可以设置在第二导电型半导体层125的一个区域上。例如，电流阻挡层210可以设置在与第二金属层153和透明电极130之间的接触部对应的位置上。另夕卜，电流阻挡层210可以包括沿其厚度方向形成的贯穿孔以暴露第二导电型半导体层125的上表面。电流阻挡层210可以具有倾斜侧面。
[0095]所述贯穿孔在平面图中可为圆形形状，且大致形成于电流阻挡层210的中央部分处。然而，应当理解，本发明并不限于此，所述贯穿孔可以具有多边形的形状，且所述电流阻挡层可以包括多个贯穿孔。
[0096]透明电极130可以至少部分覆盖第二导电型半导体层125和电流阻挡层210的上表面，且可以具有让电流阻挡层210的贯穿孔暴露的开口。
[0097]电流阻挡层210可以防止因通过电极直接向半导体层提供电流引起的电流拥塞。相应地，电流阻挡层210可以包括绝缘材料且由单层或多层构成。例如，电流阻挡层210可以包括Si02、SiNx, MgF2, ZrO2, Al2O3等，且可以包括其中具有不同折射率的绝缘材料交替相互堆叠的分布式布拉格反射器。相应地，电流阻挡层210可以展现出透光性或者反光性。
[0098]举例而言，在其中电流阻挡层210包括分布式布拉格反射器以提供反光性的结构中，所述分布式布拉格反射器防止光朝向第二金属层153行进，从而防止由第二金属层153引起的光吸收或者光损。相应地，所述分布式布拉格反射器的材料和厚度可以被确定以根据由有源层123发出的光的峰值波长反射期望波长段中的光。
[0099]在此示例性实施例中，透明电极130可以形成为与第二导电型半导体层125的上表面的轮廓对应的形状，以覆盖第二导电型半导体层125的上表面，并且还可以覆盖电流阻挡层210的外侧面和上表面的一部分。在这种结构中，透明电极130不形成于电流阻挡层210的上表面的剩余部分和贯穿孔上。透明电极130的开口可以具有与贯穿孔的形状对应的形状。所述开口可以具有比贯穿孔更大的直径。
[0100]另外，第二金属层153可以通过透明电极130的开口和电流阻挡层210的贯穿孔接触第二导电型半导体层125，并且可以接触透明电极130以与之电连接。在此示例性实施例中，第二金属层153可以与第二导电型半导体层125形成肖特基接触(Schottkycontact)，并且与透明电极130形成欧姆接触。设置在电流阻挡层210上的第二金属层153可以沿着第二导电型半导体层125、电流阻挡层210、透明电极130及第一绝缘层140的表面形成。
[0101]在通过第二金属层153供应电流时，电流可以沿水平方向通过透明电极130有效地散布，并且可以通过电流阻挡层210被防止在竖直方向上发生拥塞。
[0102]图5是根据各种实施例的示例性发光设备的剖视图。
[0103]图5的发光设备与图2所示的发光设备的不同之处在于第一绝缘层140、金属层150、第二绝缘层160、第一电极271和第二电极273的结构。在下文中，将主要描述根据图5所示实施例的发光设备的不同特征，省略与根据上述示例性实施例的发光设备相同的部件的详细描述。
[0104]参见图5，根据所述示例性实施例的发光设备包括发光结构120、透明电极130、第一绝缘层140和金属层150。另外，所述发光设备可以进一步包括第二绝缘层160、第一电极271、第二电极273及绝缘单元180。
[0105]透明电极130可以包括从发光结构120的一个侧面延伸的暴露区域。在此示例性实施例中，第二电极273可以设置在所述暴露区域上并且电连接第二导电型半导体层125。
[0106]第一电极271可以形成为覆盖第二绝缘层160，同时整个支撑发光结构120的一个表面。即，如图5中所示，第一电极271通过孔洞120a电连接第一导电型半导体层121，并且设置在发光设备的下部上以支撑发光结构120。
[0107]相应地，提供了一种其中第一电极271和第二电极273设置在其上部和下部处的竖直发光设备。
[0108]图6a、图6b和图7为根据各种实施例的不例性发光设备的平面图和剖视图。
[0109]根据此示例性实施的发光设备的发光结构120具有与图1所示发光设备的发光结构不同的结构。因此，所述发光结构的其他剩余部件具有不同的结构关系，将主要详细描述所述发光结构的不同特征。省略与根据上述示例性实施例的发光设备相同的部件的详细描述。
[0110]图6a是根据所述示例性实施例的发光设备的平面图，图6b是说明孔洞120h、第三开口 160a及第四开口 160b的位置的平面图，图7是沿图6a和图6b的线A-A截取的剖视图。
[0111]参见图6a、图6b和图7，根据所述不例性实施例的发光设备包括发光结构120、透明电极130、第一绝缘层140及金属层150，所述发光结构120包括第一导电型半导体层
121、有源层123和第二导电型半导体层125。此外，所