一种sot23-6芯片封装工艺的制作方法
【技术领域】
[0001 ]本发明属于集成电路封装技术领域，涉及到一种新型S0T23-6封装解决方案，具体涉及到S0T23-6引线框单元和相应模具的重新设计。
【背景技术】
[0002]现有的8排S0T23-6引线框单元，上下相邻的两个引线框单元的管脚是对齐的，这样管脚与管脚之间的面积就被浪费掉了，框架利用率较低;塑封流道左右两边每次各塑封I颗产品，设置的塑封流道太多，塑封流道处浪费的塑封料也较多。随着封装越来越趋于微利化，如何减少框架面积和塑封料的浪费，成为降低封装成本，提高产品竞争力的关键。
【发明内容】
[0003]本发明的技术目的是克服现有技术中芯片封装过程中浪费材料并且存在着框架利用率低的技术缺陷，提供一种减少塑封流道进而减少了材料浪费并且提高引线框单元利用率的S0T23-6芯片封装工艺。
[0004]为实现以上技术目的，本发明的技术方案是:
一种S0T23-6芯片封装工艺，其特征是:
a.将整体的引线框基板大小设置为100mm*300mm;
b.同一列引线框单元中上下相邻的两颗引线框单元的管脚交叉错开，形成IDF型结构；
c.每隔4列引线框单元在其对称中心处设置一条塑封流道，塑封流道两侧每次各塑封2颗产品，直到塑封流道两侧的所有引线框单元都被塑封料填满；
d.引线框单元的内引脚设计成弯角结构；
e.引线框单元中相邻的管脚之间设置有连接条。
[0005]本发明能够产生的有益效果是:引线框基板直接做到最大尺寸，避免因反复开发造成的资源浪费;采用IDF结构，提高框架利用率，并提升一定的引线框单元强度;塑封流道减少，提高塑封料利用率；内引脚设计成带弯角的特殊形状，提高塑封后管脚与塑封体的结合力，确保切筋成型时所加的力不会把管脚从塑封体内扯出来;外引脚之间设置连接条，塑封时可以有效地阻止塑封料向管脚处流动，防止造成管脚溢胶。
【附图说明】
[0006]图1是本发明所提供的框架结构示意图；
图2是单颗引线框单元细节图。
【具体实施方式】
[0007]下面结合附图对本发明的设计方案和优点进行详细说明。
[0008]如图1所示，本发明的工艺中，引线框基板I的尺寸为100mm*300mm，直接做到设备所支持的最大尺寸，避免反复开发造成资源浪费。同一列引线框单元2中上下相邻的两颗引线框单元的管脚交叉错开，形成IDF型结构，可以在一定程度上增加引线框基板I的强度，不至于因为太软而产生变形；同时也可以排布更多的引线框单元2(27排x60列)，提高引线框基板I利用率。引线框基板I上每隔4列引线框单元2就在其对称中心处设置一条塑封流道3，塑封流道3左右两边各冲注2颗产品，相比于原来的现有技术塑封流道两边各冲I颗的设计，塑封流道数量要减少一半，可以提高塑封料利用率。
[0009]如图2所示，本发明提供的设计方案中，左右相邻的外引脚之间设置一条连接条4，塑封时可以有效地阻止塑封料向管脚处流动，防止造成管脚溢胶。内引脚5设计成如图中圈注的带“弯角”的特殊形状，提高管脚与塑封体的结合力，防止切筋成型时由于受到向下的压力导致管脚从塑封体内脱离。由于框架比以前做得更长更宽，流道设置也做了改进，所以我们也重新开发了配套的键合夹具、塑封模具、切筋模具，以适应量产的需要。本发明提供的设计方案结构新颖独特、简单合理，原材料利用率显著增加，对于降低产品的封装成本，提升产品的竞争力有非常明显的效果。
【主权项】
1.一种S0T23-6芯片封装工艺，其特征是: a.将整体的引线框基板大小设置为100mm*300mm; b.同一列引线框单元中上下相邻的两颗引线框单元的管脚交叉错开，形成IDF型结构； c.每隔4列引线框单元在其对称中心处设置一条塑封流道，塑封流道两侧每次各塑封2颗产品，直到塑封流道两侧的所有引线框单元都被塑封料填满； d.引线框单元的内引脚设计成弯角结构； e.引线框单元中相邻的管脚之间设置有连接条。
【专利摘要】本发明的一种SOT23-6芯片封装工艺，技术目的是提供一种减少塑封流道进而减少了材料浪费并且提高引线框单元利用率的SOT23-6芯片封装工艺。该工艺包括有：a.将整体的引线框基板大小设置为100mm*300mm；b.同一列引线框单元中上下相邻的两颗引线框单元的管脚交叉错开，形成IDF型结构；c.每隔4列引线框单元在其对称中心处设置一条塑封流道，塑封流道两侧每次各塑封2颗产品，直到塑封流道两侧的所有引线框单元都被塑封料填满；d.引线框单元的内引脚设计成弯角结构；e.引线框单元中相邻的管脚之间设置有连接条。本发明塑封流道减少，提高塑封料利用率；适用于芯片封装中应用。
【IPC分类】H01L23/495, H01L23/31
【公开号】CN105552058
【申请号】CN201510895416
【发明人】刘兴波, 宋波, 石艳
【申请人】广东气派科技有限公司
【公开日】2016年5月4日
【申请日】2015年12月8日