轨道角动量涡旋波束产生装置及方法_2

文档序号:9789672阅读:来源:国知局
反射单元所需 的补偿相位艳,.为:
[0化9]其中热"为第m行第n列的电磁超表面反射单元的补偿相位,A为电磁波的工作波 长,
毫米,/;,=化 0, O.4)米,二(0,(),1)衣。
[0060] 步骤4,绘制所有电磁超表面反射单元的相位分布图。
[0061] 根据第m行第n列补偿相位叛,,的值,绘制所有电磁超表面反射单元的相位分布图, 如图3所示,图3中的横坐标是每个电磁超表面反射单元在X轴上的位置,纵坐标是每个电磁 超表面反射单元在y轴上的位置,颜色深浅代表每个电磁超表面反射单元提供的补偿相位 C的大小。
[0062] 步骤5,构成电磁超表面结构。
[0063] 5.1)选取20 X 20个周期相同的电磁超表面反射单元与每个补偿相位一一对应,每 个电磁超表面反射单元采用不同尺寸的=平行振子结构,其具体尺寸根据每个补偿相位确 定,具体选取见Li Long等在IEEE Antennas and Wireless Propagation Letters ,《Novel broadband planar refIectarray with parasitic dipoles for wireless communication applications》中提到的寄生阵子反射阵设计方法;
[0064] 5.2)将运20 X 20个电磁超表面反射单元印制到介质基板上,形成电磁超表面结 构;
[0065] 步骤6,产生1 = 1的轨道角动量满旋波束。
[0066] 将卿趴天线放在电磁超表面结构的中屯、轴向处,由卿趴天线发出的入射波照射到 电磁超表面结构上,当入射波得到电磁超表面结构提供的补偿相位后,再经相移网络反射, 则可得到1 = 1的轨道角动量满旋波束,如图4所示。
[0067] 实施例2:产生1'=2的轨道角动量满旋波束。
[0068] 步骤一,设定参数。
[0069] 取八木天线的中屯、相对位置F,=化0, 0.3)米,即X轴的0处,y轴的0处,Z轴的0.3米 处;主波束指向為'=化〇,1)米,即X轴的0处,y轴的0处,Z轴的1米处;总行数M'=22,总列数N' =22,相邻两个电磁超表面反射单元中屯、间距D '二25毫米,介质基板的尺寸为0.55 X 0.55 XO.OOl米,电磁超表面反射单元的尺寸为25X25毫米,金属背板与介质基板的间距d'= 10 毫米。
[0070] 步骤二,根据设定参数,计算磁超表面反射单元的相对位置f':,,。和和方位方位角度 值心
[0071] 2.1)计算出第m '行第n '列电磁超表面反射单元中屯、的相对位置
.其中 m'=l,2,...,22,n'=l,2,...,22; [0073] 2.2)计算出第m'行第n'列电磁超表面反射单元中屯、在极坐标下的方位角度值 * m n
[00巧]步骤=,计算每个电磁超表面反射单元所需的补偿相位衡。I。
[0076]给定八木天线的工作频率f '为5.8GHz,取1' = 2,计算每个电磁超表面反射单元所 需的补偿相位为:
[0078] 其中为第m'行第n'列的电磁超表面反射单元的补偿相位,A'为电磁波的工作 波长,
毫米,?)=化0, 0.3)米,為=(0.0.1)衣。
[0079] 步骤四,绘制所有电磁超表面反射单元的相位分布图。
[0080] 根据第m'行第n '列补偿相位Cu的值,绘制所有电磁超表面反射单元的相位分布 图,如图5所示,图5中的横坐标是每个电磁超表面反射单元在X轴上的位置,纵坐标是每个 电磁超表面反射单元在y轴上的位置,颜色深浅代表每个电磁超表面反射单元提供的补偿 相位的大小。
[0081 ] 步骤五,构成电磁超表面结构。
[0082] 5.1)选取22 X 22个周期相同的电磁超表面反射单元与每个补偿相位一一对应,每 个电磁超表面反射单元采用不同尺寸的=平行振子结构,其具体尺寸设计与实施例的步骤 f5相同;
[0083] 5.2)将运22 X 22个电磁超表面反射单元印制到介质基板上,形成电磁超表面结 构;
[0084] 步骤六,产生1'=2的轨道角动量满旋波束。
[0085] 将八木天线放在电磁超表面结构的中屯、轴向处,由八木天线发出的入射波照射到 电磁超表面结构上,当入射波得到电磁超表面结构提供的补偿相位后,再经相移网络反射, 则可得到1' = 2的轨道角动量满旋波束,如图6所示。
[0086] 本发明效果可通过W下仿真进一步说明:
[0087] 仿真1,利用Ansys HFSS软件,对本发明实施例1中距离电磁超表面结构法向200个 波长处的电场相位进行仿真,得到电场相位图,如图7所示;
[0088] 图7中,电场相位曲线是1条逆时针旋转的曲线,与图8所示的理论的1 = 1的轨道角 动量电场相位曲线一致。
[0089] 仿真2,利用Ansys HFSS软件,对本发明实施例2中距离电磁超表面结构法向200个 波长处的电场相位进行仿真,得到电场相位图,如图9所示;
[0090] 图9中,电场相位曲线是2条逆时针旋转的曲线,与图10所示的理论的1 = 2的轨道 角动量电场相位曲线一致。
[0091] 图7和图9表明,本发明方法可有效产生多模态的轨道角动量满旋波。
[0092] 仿真3,利用Ansys HFSS软件,对本发明实施例1中电磁超表面结构的远场福射特 性进行仿真,得到远场福射方向图,如图11所示;
[0093] 图11中,轨道角动量满旋波束为中间凹陷的高增益波,与图12所示的理论的1 = 1 的轨道角动量满旋波束福射图一致。
[0094] 仿真4,利用Ansys HFSS软件,对本发明实施例2中电磁超表面结构的远场福射特 性进行仿真,得到远场福射方向图,如图13所示;
[00M]图13中,轨道角动量满旋波束为中间凹陷的高增益波,与图14所示的理论的1 = 2 的轨道角动量满旋波束福射图一致。
[0096]图11和图13表明,本发明方法可有效产生高增益的轨道角动量满旋波。
【主权项】
1. 一种轨道角动量满旋波束产生装置,包括馈源(1)和相移网络(4),馈源产生的入射 波经过相移网络反射,得到补偿相位,该补偿相位与馈源发出的入射波相位相加,实现反射 电磁波波前相位exp(il Φ )的螺旋分布特性,其特征在于: 相移网络(4)由电磁超表面结构(3)和金属背板(2)组成,该金属背板位于电磁超表面 结构的背面,同时兼作接地板; 电磁超表面结构(3)由MXN个周期相同的电磁超表面反射单元(31)和介质基板(32)构 成,Μ,N ^ 21,1是轨道角动量本征模态数,取值为整数; 馈源(1)位于电磁超表面结构的中屯、轴向方向,使馈源发出的电磁波束经过相移网络 反射后,产生满旋电磁波束(5),得到每个电磁超表面反射单元的补偿相位为:其中m=l,2,···,Μ···,Μ,,η=1,2,···,Ν···,Ν,苗。和?/分别是第m行第η列电磁超表面反射 单元中屯、相对位置和馈源中屯、相对位置,^为反射电磁波的主波束方向,脚《是第m行第η 列电磁超表面反射单元中屯、在极坐标下的方位角度值,λ为电磁波的工作波长,热"为第m行 第η列的电磁超表面反射单元的补偿相位。2. 根据权利要求1所述的系统,其特征在于电磁超表面结构(3)采用化学腐蚀和光刻技 术,ΜΧΝ个周期相同的电磁超表面反射单元(31)印制在介质基板(32)上。3. 根据权利要求1所述的系统,其特征在于馈源(1)采用卿趴天线或微带天线或八木天 线。4. 根据权利要求1所述的系统,其特征在于每个电磁超表面反射单元(31)采用不同尺 寸的Ξ平行振子结构。5. 根据权利要求1所述的系统,其特征在于金属背板(2)的尺寸与电磁超表面结构的介 质基板(32)相同,且与介质基板的间距为d,其中d< λ。6. -种产生轨道角动量满旋波束的方法,包括W下步骤: (1) 选定馈源中屯、相对位置^"/、主波束指向斬、每个电磁超表面反射单元的中屯、相对位 置4。和极坐标下的方位角度值; (2) 给定工作频率f和轨道角动量本征模态1,计算每个电磁超表面反射单元所需的补 偿相位擦》:其中m=l,2,…,M…,M,,n=l,2,…,N…,N,F胃和。分别是第m行第n列电磁超表面反射 单元中屯、相对位置和馈源中屯、相对位置,I;。为反射电磁波的主波束方向,辦是第m行第η 列电磁超表面反射单元中屯、在极坐标下的方位角度值,λ为电磁波的工作波长,热"为第m行 第η列的电磁超表面反射单元的补偿相位; (3) 选取ΜΧΝ个周期相同的电磁超表面反射单元与每个补偿相位一一对应,并将它们 印制到介质基板上,形成电磁超表面结构; (4)将馈源放置在电磁超表面结构的中屯、轴向处,由馈源发出的入射波照射到电磁超 表面结构上,当入射波得到电磁超表面结构提供的补偿相位后,再经相移网络反射,产生本 征模态为1的轨道角动量满旋波束。
【专利摘要】本发明公开了一种轨道角动量涡旋波束产生装置及方法。其技术方案是:由M行N列的电磁超表面反射单元(31)和介质基板(32)构成电磁超表面结构(3),由电磁超表面结构(3)和金属背板(2)组成相移网络(4),金属背板(2)位于电磁超表面结构(3)的背面,同时兼作接地板。将馈源(1)放置在电磁超表面结构(3)的中心轴向处,由馈源(1)发出的入射波照射到电磁超表面结构上,当入射波得到电磁超表面结构提供的补偿相位后,再经相移网络(4)反射,产生本征模态为l的轨道角动量涡旋波束(5)。本发明解决了现有技术结构复杂、成本高、波束发散和效率低的问题,可用于通信技术中信息的发射和接收,有利于扩大通信容量。
【IPC分类】H01Q3/26
【公开号】CN105552556
【申请号】CN201510997104
【发明人】李龙, 周潇潇, 余世星, 石光明, 朱诚, 史琰
【申请人】西安电子科技大学
【公开日】2016年5月4日
【申请日】2015年12月28日
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