述二倍频晶体底座上设置有至少=个螺纹孔，所述二倍频晶 体底座通过与所述螺纹孔适配的固定螺钉固定在所述激光器腔体内；所述第二支撑板竖直 设置在所述二倍频晶体底座上，所述第二支撑板上设置有一个销钉孔、至少两个螺纹孔，所 述第二固定块的左侧面上设置有与所述销钉孔适配的圆柱凸起，所述第二固定块通过与第 二支撑板上的螺纹孔适配的螺钉固定在第二支撑板上;所述第二固定块内设置有用于容纳 所述第二组合圆柱体的第二通孔，所述第二通孔的一端开设在第二固定块的正面，所述第 二通孔的另一端开设在第二固定块的反面;所述第二固定块的顶面设置有螺纹孔，所述第 二固定块顶面的螺纹孔与所述第二通孔连通，所述第二组合圆柱体通过与第二固定块顶面 上的螺纹孔适配的压紧螺钉固定在所述第二通孔内；所述第二组合圆柱体的圆屯、处设置有 用于固定所述二倍频晶体的第二方孔。
[0016] 所述的紫外激光器中，所述第二组合圆柱体包括第=瓣体和第四瓣体，所述第= 瓣体和第四瓣体的径向截面为半圆形，所述第=瓣体的直边侧和第四瓣体的直边侧均设置 有矩形凹槽，所述第=瓣体的矩形凹槽和第四瓣体的矩形凹槽组合成所述第二方孔;所述 第=瓣体和第四瓣体内均设置有第二安装孔，所述第二安装孔内安装有溫度传感器和用于 给所述二倍频晶体加热的导线。
[0017] 所述的紫外激光器中，所述第一累浦激光光源包括第一累浦激光二极管、第一 SMA-905接头和用于对第一累浦激光二极管发出的累浦激光进行准直聚焦的第一禪合镜 组;所述第一累浦激光二极管与所述第一 SMA-905接头连接，所述第一累浦激光二极管通过 所述第一 SMA-905接头出射累浦激光，所述第一禪合镜组设置在所述累浦激光的光路上。
[0018] 相较于现有技术，本发明提供的一种紫外激光器，通过将=倍频晶体固定在=倍 频晶体座上，通过=倍频晶体座可调节=倍频晶体的=个转动自由度;将二倍频晶体固定 在二倍频晶体座上，通过二倍频晶体座可调节二倍频晶体的=个转动自由度;实现了=倍 频晶体与二倍频晶体分开调节，相互之间不会影响;通过=倍频晶体座和二倍频晶体座，使 得二倍频晶体和=倍频晶体的=个转动自由度可独立进行调节，两两自由度之间的调节不 会相互影响，调节非常快速方便，效率更高，调节的效果更好。
【附图说明】
[0019] 图1为本发明提供的紫外激光器中，激光器腔体的俯视图。
[0020] 图2为本发明提供的紫外激光器中，绿激光的光路示意图。
[0021] 图3为本发明提供的紫外激光器中，紫外激光的光路示意图。
[0022] 图4为本发明提供的紫外激光器中，激光晶体模块的立体图。
[0023] 图5为本发明提供的紫外激光器中，激光晶体模块的正视图。
[0024] 图6为本发明提供的紫外激光器中，二倍频晶体和=倍频晶体的=个旋转自由度 的示意图。
[0025] 图7为本发明提供的紫外激光器中，=倍频晶体模组的爆炸图。
[0026] 图8为本发明提供的紫外激光器中，=倍频晶体模组的正视图。
[0027] 图9为本发明提供的紫外激光器中，二倍频晶体模组的爆炸图。
[0028] 图10为本发明提供的紫外激光器中，二倍频晶体模组的正视图。
[0029] 图11为本发明提供的紫外激光器中，绿光吸收池的正视图。
[0030] 图12为图11中A-A的剖视图。
[0031] 图13为本发明提供的紫外激光器中，绿光吸收池内的光路示意图。
【具体实施方式】
[0032] 本发明提供一种紫外激光器。为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明 确，W下参照附图并举实施例对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施 例仅用W解释本发明，并不用于限定本发明。
[0033] 请参阅图1，本发明提供的紫外激光器，包括激光器腔体1，所述激光器腔体1内设 置有第一累浦激光光源2、第二累浦激光光源3、第一镜片4、第二镜片5、激光晶体模块6、红 外激光全反镜7、声光Q开关8、=倍频晶体模组9、二倍频晶体模组10、反射尾镜11和绿光吸 收池12。
[0034]所述第一累浦激光光源2和第二累浦激光光源3对向设置，换而言之，所述第一累 浦激光光源2和第二累浦激光光源3出射的累浦激光的方向相反。所述第一镜片4和激光晶 体模块6依次设置在所述第一累浦激光光源2出射的累浦激光的光路上;所述第二镜片5和 激光晶体模块6依次设置在所述第二累浦激光光源3出射的累浦激光的光路上;换而言之， 所述第一累浦激光光源2发出的累浦激光经过第一镜片4后从左侧进入到激光晶体模块6 中，所述第二累浦激光光源3发出的累浦激光经过第二镜片5后从右侧进入到激光晶体模块 6中。本实施例中，所述累浦激光的波长为808nm，即，所述累浦激光为808nm的累浦激光。
[003引所述第一镜片4朝向第一累浦激光光源2的表面（左表面)锻有波长808nm的增透 膜，所述第一镜片4背离第一累浦激光光源2的表面(右表面)锻有波长808nm的增透膜和波 长1064nm的全反膜；同样的，所述第二镜片5朝向第二累浦激光光源3的表面(右表面)锻有 波长808nm的增透膜，所述第二镜片5背离第二累浦激光光源3的表面（左表面)锻有波长 808nm的增透膜和波长1064nm的全反膜，所述第一镜片4和第二镜片5均与所述累浦激光垂 直。运样设置，使得808nm的累浦激光可W无损失的进入到激光晶体模块6中，产生基模振荡 并输出波长为l064nm的基频激光，所述基频激光一部分经第二镜片5反射出去，另一部分被 第一镜片4反射回激光晶体模块6中，不存在损失。本实施例中，所述第二镜片5竖直设置，其 左表面锻的全反膜成预定角度（即，左表面锻的全反膜为模形），W便将所述基频激光反射 到红外激光全反镜7上。当然，在其他实施例中，所述第二镜片5并非如第一镜片4那样竖直 设置，而是成预定角度，W便将所述基频激光反射到红外激光全反镜7上。
[0036] 所述红外激光全反镜7的入射面(右表面)锻有1064皿全反膜，红外激光全反镜7的 全反膜同样为模形，便于将基频激光反射到声光Q开关8中。换而言之，所述声光Q开关8、= 倍频晶体模组9、二倍频晶体模组10和反射尾镜11依次设置在红外激光全反镜7反射光的光 路上。所述声光Q开关8将连续的基频激光调制为脉冲基频激光，能够极大增加紫外激光的 转换效率。所述声光Q开关8的声光频率为41MHz，功率为15W，其两端面锻1064nm增透膜。
[0037] 所述=倍频晶体模组9,包括=倍频晶体和=倍频晶体座，所述=倍频晶体固定在 =倍频晶体座上，通过=倍频晶体座可调节=倍频晶体的=个转动自由度。
[0038] 所述二倍频晶体模组10,包括二倍频晶体和二倍频晶体座，所述二倍频晶体固定 在二倍频晶体座上，通过二倍频晶体座可调节二倍频晶体的=个转动自由度。
[0039] 所述反射尾镜11，用于反射所述基频激光和绿激光。换而言之，所述反射尾镜11的 入射面（左表面)锻有l〇64nm和53化m的全反膜，用于将入射的基频激光和绿激光按原路反 射回去。
[0040] 绿光吸收池12,用于吸收绿激光。
[0041] 所述第一累浦激光光源2发出的累浦激光经过第一镜片4进入到激光晶体模块6 中，所述第二累浦激光光源3发出的累浦激光经过第二镜片5进入到激光晶体模块6中；所述 第一累浦激光光源2发出的累浦激光与所述第二累浦激光光源3发出的累浦激光在激光晶 体模块6中产生基模振荡并输出基频激光，所述红外激光全反镜7将基频激光反射到声光Q 开关8中，声光Q开关8将连续的基频激光调制为脉冲基频激光并输出;所述脉冲基频激光依 次穿过所述=倍频晶体、二倍频晶体后，经反射尾镜11反射回二倍频晶体中；所述二倍频晶 体产生绿激光，并输出到=倍频晶体中，由所述=倍频晶体产生紫外激光;=倍频晶体中未 被转换成紫外激光的绿激光出射到绿光吸收池12中，被绿光吸收池12吸收，换而言之，所述 绿光吸收池12设置在=倍频晶体出射的绿激光的光路上。本实施例中，所述基频激光的波 长为1064nm，即，所述基频激光为1064nm的基频激光，所述基频激光的光路如图1中实线箭 头所示。所述绿激光的波长为53化m，即，所述绿激光为53化m的绿激光，所述绿激光的光路 如图2中实线箭头所示。所述紫外激光的波长为355nm，即，所述紫外激