的设计步骤，易于工程人员掌握;加入过孔几乎不会增加探头的设计和加工 成本，成本低，易于推广和生产。 【【附图说明】】
[0038]图1为宽频带近场磁场探头本体三维结构展开图。
[0039] 图2(a)为宽频带近场磁场探头顶层的俯视图。
[0040] 图2(b)为宽频带近场磁场探头中间1层的俯视图。
[0041] 图2(c)为宽频带近场磁场探头中间2层的俯视图。
[0042] 图2(d)为宽频带近场磁场探头底层的俯视图。
[0043] 图3为无栅栏式过孔阵列结构的CB-CPW示意图。
[0044] 图4为图1中CB-CPW的S21仿真结果图。
[0045] 图5为有栅栏式过孔阵列结构的CB-CPW示意图。
[0046] 图6为图1和图3中CB-CPW的S21仿真结果对比图。
[0047] 图7为宽频带近场磁场探头本体底端局部放大图。
[0048] 图8为宽频带近场磁场探头本体有、无栅栏式过孔阵列结构的S21仿真结果对比 图。
[0049] 图9为磁场探头谐振抑制结构的构建方法流程图。
[0050] 图10为磁场探头与微带线构成的仿真模型图。
[0051 ] 附图标记说明：
[0052] 1-接地过孔，2-CB-CPW地平面，21-栅栏式过孔阵列，22-同轴过孔阵，
[0053] 23-短路过孔，3-CB-CPW中心导体，4-CB-CPW金属背面，
[0054] 31-磁场探头顶层屏蔽平面，32-磁场探头中间1层，33-磁场探头带状线，
[0055] 34-磁场探头底层屏蔽平面，35-磁场探头CB-CPW中心导体，
[0056] 36-顶层长方形缝隙，5-信号过孔，41-顶层"凸"字型缝隙，
[0057] 42-底层"凸"字型缝隙，6-微带线，7-SMA接头，8-磁场探头本体。
[0058] 图中标记符号说明：
[0059] 1: CB-CPW地平面的长度；
[0060] w: CB-CPW地平面的宽度；
[0061 ] s: CB-CPW中心导体宽度；
[0062] d: CB-CPW中心导体边缘与CB-CPW地平面边缘最近的距离；
[0063] h: CB-CPW介质的厚度；
[0064] G:接地过孔到CB-CPW中心导体边缘最近的距离；
[0065] D:接地过孔的间距； 【【具体实施方式】】
[0066] 结合附图，将进一步阐明磁场探头谐振抑制结构以及该结构的构建方法，公开仿 真设计思路和过程，公布仿真结果。
[0067] 本发明一种宽频带近场磁场探头的谐振抑制结构，该谐振抑制结构是以宽频带近 场磁场探头为基础，为了更好的说明本发明的谐振抑制结构，图1、图2(a) - (d)展示了本发 明中该磁场探头本体的结构图。
[0068]本发明在具体实施中一共分为三个部分:CB-CPW谐振及其抑制设计;磁场探头谐 振抑制结构的具体实施;磁场探头谐振抑制结构的构建方法。
[0069] 1. CB-CPW谐振及其抑制设计
[0070] 图3为无栅栏式过孔阵列结构的CB-CPW示意图。
[0071] 在CST微波工作室中构建图3所示的CB-CPW仿真模型。仿真模型中所选的坐标系x 轴方向沿着CB-CPW地平面长边方向，y轴沿着CB-CPW地平面宽边方向，z轴沿着CB-CPW介质 高度的方向。设置仿真模型中〇8<?1的介质为1?叩從 843508，相对介电常数^为3.66，介质 的长度为48mm，宽度为31.8mm，高度h为0.674mm;设置CB-CPW中心导体3的宽度s为1mm，厚度 为0.5oz;设置CB-CPW地平面每一块(一共两块，对称分布在CB-CPW中心导体3两侧）的长度1 为48mm，宽度w均为15mm，厚度为0.05oz;设置d为0.4mm;设置CB-CPW金属背面4长度为48mm， 宽度为31.8mm;这样所设计的CB-CPW的特性阻抗为50 Q。
[0072]按照构建的模型，代入CB-CPW的尺寸到下述公式得出谐振频率：
[0074] 由上述公式得出谐振频率:①f 〇1 = 1 ? 63GHz②f 〇2 = 3 ? 26GHz③f 〇3 = 4 ? 90GHz④f 12 = 6.16GHz ⑤ f 〇4 = 6.53GHz ⑥ f i3 = 6.53GHz ⑦ f 14 = 8.36GHz ⑧ f is = 9.69GHz ⑨ f 22，fi6 = 9.69GHz ⑩ fi7= 12.57GHz
[0075] 在CB-CPW-端定义为端口 1，另一端定义为端口2。仿真算法采用时域算法，仿真频 率为0~20GHz。端口 1和端口 2都设置为有相同尺寸的波导端口（Waveguide Port)。仿真得 到的S21如图4所示。在图4中标出计算得到的谐振频点。
[0076] 图5为有栅栏式过孔阵列结构的CB-CPW示意图。接地过孔1分别连接CB-CPW地平面 2和CB-CPW金属背面4,接地过孔1在CB-CPW中心导体3两侧等间距对称分布，每一个接地短 路孔1到CB-CPW中心导体边缘最近的距离均相等。接地过孔1将CB-CPW中心导体3围在中间， 所有的接地过孔1构成栅栏式过孔阵列。
[0077] 在构建的图3的CST模型的基础上，构建如图5所示的CST模型。在CB-CPW中心导体3 两侧对称仿真两排接地过孔1，设置为1.25mm，设置接地过孔1的半径为0.5mm，设置接地过 孔1之间的间距D为2mm。重新仿真得到的S21与图3模型仿真得到的S21对比如图6所示。图6 可以证明栅栏式过孔阵列可以有效抑制CB-CPW的谐振，延展CB-CPW的工作带宽。
[0078] 2.磁场探头谐振抑制结构的具体实施
[0079] 图7为宽频带近场磁场探头本体底端局部放大图。图7包含了磁场探头谐振抑制结 构，该结构是在磁场探头CB-CPW中心导体35两侧对称放置两排接地过孔1，每一排的接地过 孔1的个数为9个，每一排的接地过孔等间距分布，间距为0.52mm;每一个接地过孔1的半径 为0.125mm;为了保证每一个接地过孔1均能连接磁场探头顶层屏蔽平面31、磁场探头中间1 层32和磁场探头底层屏蔽平面34,每一个接地过孔都不能位于磁场探头底端长方形缝隙； 为了更好实现对探头谐振的抑制，在满足加工工艺的前提下所有接地过孔1与磁场探头CB-CPW中心导体35边缘的水平距离尽可能小(本发明中距离为0.72mm);接地过孔1将磁场探头 CB-CPW中心导体35围在中间，形成"栅栏"，这些接地过孔1构成栅栏式过孔阵列21;栅栏式 过孔阵列21可以为信号提供返回路径;接地过孔1抑制了 CB-CPW给平行板模式的能量传输， 从而避免了 CB-CPW在工作频带激励起的平行板模式，从而可以将谐振频点移至工作频带 外，提高了工作频带。图8为一种宽频带近场磁场探头有无栅栏式过孔阵列结构的S21仿真 结果对比图。图8证明了采用抑制CB-CPW谐振的方法应用到对所设计的磁场探头谐振抑制， 取得了良好的效果。
[0080] 3.磁场探头谐振抑制结构的构建方法
[0081] 图9为磁场探头谐振抑制结构的构建方法流程图，下面将详细阐述磁场探头谐振 抑制结构的构建方法步骤。
[0082]步骤一:在CST微波工作室中构建磁场探头与50 Q微带线构成的仿真模型，如图10 所示，此时的磁场探头本体结构中没有包含栅栏式过孔阵列；微带线基板的尺寸为80mmX 50mmX 1.6mm，基板材料为Rogers4350B，微带线的特性阻抗为50 Q。
[0083]步骤二:设置微波工作室的算法为时域算法;设置仿真背景为"Normal"，含义为背 景设置为真空，这与实际环境中的空气比较类似;设置边界条件为开放边界条件(open);虽 然所设计的磁场探头下限频率为300kHz，但是仿真是设计下限频率为0GHz可以加速仿真的 进程，因此设置仿真频率为0~20GHz;
[0084] 步骤三:在磁场探头CB-CPW中心导体35两侧对称放置两排接地过孔1;根据加工工 艺，接地过孔1选择最小的半径为0.125mm;由于磁场探头CB-CPW中心导体的长度为5~8_， 同时防止每一排中的接地过孔1发生粘连，设置接地过孔1的间距，设置每一排接地过孔1的 个数为7个；
[0085] 步骤四：微带线一端接50 n匹配负载，另一端定义为portl，磁场探头接SMA的一端 定义为P〇rt2,仿真S21参数;每一次仿真结束，分析S21参数在300kHz~20GHz工作频带内的 谐振;如果存在不能接受的谐振，调整每一排接地过孔1的个数，接地过孔1的间距，接地过 孔1与磁场探头CB-