电子倍增体的制造方法、光电倍增管和光电倍增器的制造方法
【专利摘要】本发明提供电子倍增体的制造方法、光电倍增管和光电倍增器，该电子倍增体包括主体部以及在主体部的一个端面和另一个端面开口并且放出二次电子的通道，该电子倍增体的制造方法包括：准备具有表面和背面的第一板状部件和一对第二板状部件的工序；在第一板状部件形成从表面至背面且沿表面和背面延伸的孔部的工序；通过以由一对第二板状部件夹着第一板状部件的方式将第一板状部件和第二板状部件相互叠层而构成叠层体、从而在叠层体形成由孔部规定的通道的工序；将叠层体一体化的工序；通过将一体化的叠层体以使得通道在一个端面和另一个端面开口的方式切断而构成主体部的工序；和在通道的内面形成电阻层和二次电子倍增层的工序。
【专利说明】
电子倍増体的制造方法、光电倍増管和光电倍増器
技术领域
[0001]本发明涉及电子倍增体的制造方法、光电倍增管和光电倍增器。
【背景技术】
[0002]在专利文献1(美国专利第3、244、922号说明书)中记载有设置有波状通路的长方体形的倍增极元件的电子倍增体。在该电子倍增体，通过将形成有波状的槽部的两个块组合而形成通路和倍增极元件。
【发明内容】
[0003]发明所要解决的问题
[0004]如上所述，在专利文献I中记载的电子倍增体，在两个块分别形成波状的槽部，并且将这些块组合而形成通路(通道)。但是，利用这样的方法难以提高通道的加工性。
[0005]本发明是鉴于这样的情况而完成的发明，其目的在于提供能够提高通道的加工性的电子倍增体的制造方法、光电倍增管和光电倍增器。
[0006]用于解决问题的方式
[0007]本发明是电子倍增体的制造方法，该电子倍增体包括:在第一方向上延伸的主体部;和通道，其在第一方向上的主体部的一个端面和另一个端面开口，并且根据射入的电子放出二次电子，该电子倍增体的制造方法包括:准备工序，准备具有表面和表面的相反侧的背面的第一板状部件以及一对第二板状部件;孔形成工序，在第一板状部件形成从表面至背面并且沿表面和背面延伸的孔部;叠层工序，通过以利用一对第二板状部件夹着第一板状部件的方式将第一板状部件和第二板状部件相互叠层而构成叠层体，在叠层体形成由孔部规定的通道;将叠层体一体化的一体化工序;切断工序，通过将一体化的叠层体切断而构成主体部;和层形成工序，在通道的内面形成电阻层和二次电子倍增层;在切断工序中，以通道在一个端面和另一个端面开口的方式将叠层体切断。
[0008]在该电子倍增体的制造方法中，在第一板状部件形成从表面至背面并且沿表面和背面延伸的孔部。而且，以一对第二板状部件夹着第一板状部件的方式相互叠层而构成叠层体，并且形成由孔部规定的通道。将该叠层体一体化并通过进行切断而构成主体部。此夕卜，在通道的内面形成电阻层和二次电子倍增层。根据这样的方法，比较容易在板状部件形成孔部，由此能够提高通道的加工性。此外，基于同样的理由，能够降低制造成本。
[0009]在本发明的电子倍增体的制造方法中，在层形成工序中，也可以利用原子层沉积法(ALD:Atomic Layer Deposit1n)形成电阻层和二次电子倍增层。在这种情况下，能够在通道的内面容易地形成电阻层和二次电子倍增层。
[0010]在本发明的电子倍增体的制造方法中，也可以为如下方式:第一板状部件和第二板状部件由导电体构成，在层形成工序之前，进一步包括在主体部的表面和通道的内面形成绝缘膜的绝缘膜形成工序。在这种情况下，能够使用导电体作为第一板状部件和第二板状部件，因此能够利用多种材料制造电子倍增体。
[0011]在本发明的电子倍增体的制造方法中，也可以在孔形成工序，以到达第一方向上的第一板状部件的一端或另一端的方式形成孔部。在这种情况下，在切断工序之前，孔部到达第一板状部件的一端或另一端中的任意的一端。因此，在切断工序，能够仅通过仅将第一板状部件的一端或另一端中的任意的另一端切断，而使通道在主体部的一个端面和另一个端面开口。此外，在切断工序之前，孔部不到达第一板状部件的一端或另一端中的任意的另一端。因此，能够抑制第一板状部件分离为两个部分。基于这些原因，能够提高操作性。此夕卜，能够高精度而简便地形成通道的宽度。
[0012]在本发明的电子倍增体的制造方法中，也可以在孔形成工序中，以不到达第一板状部件的端部的方式形成孔部。在这种情况下，在切断工序之前，孔部不到达第一板状部件的端部。因此，能够更可靠地抑制第一板状部件分离为两个部分。由此，能够提高操作性。此夕卜，能够高精度而简便地制作通道的宽度。
[0013]在本发明的电子倍增体中，第一板状部件和第二板状部件的厚度也可以为5mm以下。在这种情况下，通过使第一板状部件和第二板状部件比较薄而更容易进行孔部的形成。因此，能够更加提高通道的加工性。
[0014]在本发明的电子倍增体的制造方法中，在准备工序中，准备多个第一板状部件，并且进一步准备第三板状部件，在叠层工序，在第一板状部件间设置第三板状部件并且以一对第二板状部件夹着第一和第三板状部件的方式将第一、第二和第三板状部件相互叠层，构成叠层体。在这种情况下，通过在第三板状部件与一对第二板状部件之间分别夹着第一板状部件，在它们的叠层方向上构成多个通道。因此，能够容易地制造多通道的电子倍增体。
[0015]在本发明的电子倍增体的制造方法中，在孔形成工序，也可以在第一板状部件形成多个孔部。在这种情况下，在沿第一板状部件的表面和背面的方向上构成多个通道。因此，能够容易地制造多通道的电子倍增体。
[0016]本发明的光电倍增管包括:利用上述的电子倍增体的制造方法制造的电子倍增体;容纳电子倍增体的管体;光电面，其以与一个端面的通道的开口相对的方式设置于管体，向通道供给光电子；和阳极，其在管体内以与另一个端面的通道的开口相对的方式配置，对应于射入通道的光电子而接受从通道放出的二次电子。
[0017]该光电倍增管具备由上述的电子倍增体的制造方法制造的电子倍增体。因此，能够恰当地获得上述作用效果。
[0018]本发明的光电倍增器具备:利用上述的电子倍增体的制造方法制造的电子倍增体;光电面，其以堵塞一个端面的通道的开口的方式设置，向通道供给光电子;和阳极，其以堵塞另一个端面的通道的开口的方式设置，对应于射入通道的光电子而接受从通道放出的二次电子。
[0019]该光电倍增器具备利用上述的电子倍增体的制造方法制造的电子倍增体。因此，能够恰当地获得上述作用效果。
[0020]根据本发明，能够提高通道的加工性。
【附图说明】
[0021 ]图1是本实施方式的光电倍增管的截面图。
[0022]图2是本实施方式的电子倍增体的立体图。
[0023]图3是表示本实施方式的电子倍增体的制造方法的一个工序的图。
[0024]图4是表示本实施方式的电子倍增体的制造方法的一个工序的图。
[0025]图5是表示本实施方式的电子倍增体的制造方法的一个工序的图。
[0026]图6是表示本实施方式的电子倍增体的制造方法的一个工序的图。
[0027]图7是表示本实施方式的电子倍增体的制造方法的一个工序的图。
[0028]图8是表示本实施方式的电子倍增体的制造方法的一个工序的图。
[0029]图9是表示利用第一变形例的电子倍增体的制造方法制造的电子倍增体的图。
[0030]图10是表示利用第二变形例的电子倍增体的制造方法制造的电子倍增体的图。
[0031]图11是表示利用第三变形例的电子倍增体的制造方法制造的电子倍增体的图。
[0032]图12是表示第三变形例的电子倍增体的制造方法的一个工序的图。
[0033]图13是表示第三变形例的电子倍增体的制造方法的一个工序的图。
[0034]图14是表示第三变形例的电子倍增体的制造方法的一个工序的图。
[0035]图15是表示第三变形例的电子倍增体的制造方法的一个工序的图。
[0036]图16是表示第三变形例的电子倍增体的制造方法的一个工序的图。
[0037]图17是应用图2所示的电子倍增体的光电倍增器截面图。
【具体实施方式】
[0038]以下，参照附图对本发明的一个实施方式进行说明。另外，对各图中相同或相当部分标注相同的附图标记，省略重复的说明。
[0039]图1是本实施方式的电子倍增体的截面图，图2是本实施方式的电子倍增体的立体图。如图1和图2所示，光电倍增管I包括电子倍增体2、管体3、光电面4和阳极5。电子倍增体2通过对应于电子的入射而放出二次电子，从而将电子倍增。电子倍增体2具有主体部6和通道8。
[0040]主体部6向第一方向Dl延伸。此外，主体部6形成为长方体形。主体部6具有第一方向Dl的一个端面6a和另一个端面6b。主体部6的至少表面由绝缘体形成。此处，作为一个例子，主体部6由作为绝缘体的陶瓷形成。
[0041 ] 通道8对应于射入的电子而放出二次电子。通道8包括电子入射部8a和倍增部8b。电子入射部8a是用于从主体部6的外部向主体部6的内部射入电子的入口部分。电子入射部8a以在第一方向Dl的主体部6的一个端面6a开口的方式设置在主体部6。一个端面6a的电子入射部8a的开口从第一方向Dl看时呈矩形。此外，电子入射部8a沿第一方向Dl向后述的第二向D2逐渐变窄。即，电子入射部8a呈沿第一方向Dl缩小的锥形。
[0042]倍增部Sb对应于从电子入射部8a射入的电子而放出二次电子。倍增部Sb在第一方向Dl的主体部6的另一个端面6b开口。另一个端面6b的倍增部8b的开口与阳极5相对。倍增部Sb以到达电子入射部8a的方式设置在主体部6。因此，通道8作为整体在主体部6的一个端面6a和另一个端面6b开口。
[0043]倍增部8b包括在第一方向Dl遍及整个该倍增部8b延伸并且彼此相对的第一内面9和第二内面10。第一内面9和第二内面10在与第一方向Dl交叉的第二方向D2上分离。另外。第二方向D2是从第一内面9朝向第二内面10的方向。此处，是与第一方向Dl垂直的方向。
[0044]第一内面9包含沿第一方向Dl交替地排列的凸状的第一弯曲部9a和凹状的第二弯曲部9b。此外，第一内面9包含分别规定第一弯曲部9a和第二弯曲部9b的多个第一倾斜面9c。第一倾斜面9c呈平面形状。在本实施方式中，第一弯曲部9a和第二弯曲部9b呈角形曲折。
[0045]第二内面10包含沿第一方向Dl交替地排列的凸状的第三弯曲部1a和凹状的第四弯曲部10b。此外，第二内面10包括分别规定第三弯曲部1a和第四弯曲部1b的多个第二倾斜面10c。第二倾斜面1c呈平面形状。在本实施方式中，第三弯曲部1a和第四弯曲部1b呈角形折曲。
[0046]S卩，第一内面9和第二内面10以沿第一方向Dl呈之字形(例如波状)重复弯曲的方式形成。此处，在第一内面9和第二内面10，在第二方向D2上，第一弯曲部9a和第四弯曲部1b彼此相对，第二弯曲部9b与第三弯曲部1a彼此相对，第一倾斜面9c与第二倾斜面1c彼此相对。
[0047]在电子入射部8a的内面和倍增部8b的内面(至少第一内面9和第二内面10)，以相互叠层的方式设置有电阻层和二次电子倍增层。而且，电子入射部8a的表层和倍增部Sb的表层是二次电子倍增层。作为电阻层的材料，例如能够使用A1203(氧化铝)和ZnO(氧化锌)的混合膜或Al2O3和Ti02( 二氧化钛)的混合膜等。此外，作为二次电子倍增层的材料，例如能够使用AhO3或MgO(氧化镁)等。
[0048]此外，在主体部6的一个端面6a和另一个端面6b，利用蒸镀等方法分别设置有含有镍类的金属的金属层11、12。在主体部6，以与设置在一个端面6a的金属层11相比使得设置在另一个端面6b的金属层12成为更高电位的方式被赋予电位差。通过这样被赋予电位差，在通道8内也成为沿着第一方向Dl的电位差。
[0049]另外，如后所述，主体部6以利用一对第二板状部件22夹着多个(此处为四个)第一板状部件21的方式将第一和第二板状部件21、22相互叠层地构成。由此，通过在第一板状部件21的各个形成的孔部24相互连接并且利用第二板状部件堵塞叠层方向的两端而构成通道8。
[0050]管体3容纳电子倍增体2。如图1所示，管体3在第一方向Dl上延伸。在第一方向Dl管体3的一端3a开口并且另一端3b被密封。此处，电子倍增体2的主体部6的一个端面6a位于管体3的一端3a侧，电子倍增体2的主体部6的另一个端面6b位于管体3的另一端3b侧。
[0051]光电面4与光的入射相应地产生光电子。光电面4形成为平板状。光电面4以堵塞管体3的一端3a的开口的方式设置。光电面4与电子倍增体2的主体部6的一个端面6a的电子入射部8a的开口相对。由此，在光电面4产生的光电子被供给至电子入射部8a。另外，在管体3的一端3a的开口被光电面4堵塞的状态，管体3的内部被减压。
[0052]阳极5对应于射入至通道8的光电子而接受从通道8放出的二次电子。阳极5形成为平板状。阳极5以与主体部6的另一个端面6b的倍增部Sb的开口相对的方式配置在管体3内。阳极5与主体部6的另一个端面6b和管体3的另一端3b分离配置。另外，在阳极5连接有检测与该阳极5接受的二次电子对应的电信号的脉冲的检测器(未图示)。
[0053]接着，对以上那样的电子倍增体2的制造方法进行说明。利用该制造方法，首先，准备如图3所示那样具有表面21a和表面21a的相反侧的背面21b的多个(此处为四个)第一板状部件21以及一对第二板状部件22(准备工序)。另外，此处，在第一板状部件21不形成后述的孔部24。第一和第二板状部件21、22呈矩形。此外，第一和第二板状部件21、22各自的厚度为5mm以下。第一和第二板状部件21、22由作为绝缘体的陶瓷形成。另外，此处，因为利用陶瓷形成第一和第二板状部件21、22，所以能够通过利用碾压进行该叠层工序而将第一和第二板状部件21、22形成得比较薄。
[0054]在接下来的工序中，在第一板状部件21形成多个(此处为六个)孔部24(孔形成工序)。孔部24例如能够通过利用激光加工或使用模具进行的冲孔等形成。孔部24从表面21a到达背面21b并且沿表面21a和背面21b延伸。孔部24沿第一方向Dl和第二向D2 二维排列。
[0055]孔部24沿第一方向Dl延伸。具体而言，孔部24具有呈相对于第一方向Dl向相反方向扩展那样的三角形形成的三角形部24a和从该三角形24a向第一方向Dl延伸的延伸部24b。不过，孔部24以不到达第一板状部件21的端部(特别是第一方向Dl的一端25和另一端26)的方式形成。
[0056]在接下来的工序中，如图4和图5所示那样，以利用一对第二板状部件22夹着第一板状部件21的方式将第一和第二板状部件21、22相互叠层而构成叠层体27(叠层工序)。此处，采用利用一对第二板状部件22夹着四个第一板状部件21的结构。通过这样将第一和第二板状部件21、22相互叠层，在叠层体27内形成由孔部24规定的多个通道8。此处，孔部24的三角形部24a构成电子入射部8a，延伸部24b构成倍增部8b(参照图7)。另外，通过对叠层第一板状部件21的个数进行调整，能够调整板状部件的叠层方向上的通道8的宽度。
[0057]在接下来的工序中，将叠层体27—体化(一体化工序)。此处，通过冲压和烧结将由陶瓷形成的第一和第二板状部件21、22—体化。
[0058]在接下来的工序中，如图6和图7所示那样，通过对一体化的叠层体27进行切断而构成主体部6(切断工序)。在该切断工序中，沿在叠层体27设定的假想的切断预定线L1、L2、L3将叠层体27切断。切断预定线L1、L2、L3以将沿第一方向Dl和第二方向D2 二维排列而成的通道8逐一切断的方式设定成栅格状。切断预定线LI沿第一方向Dl设定。切断预定线LI规定沿第二向D2的主体部6的宽度。切断预定线L2、L3分别沿第二向D2设定。切断预定线L2、L3规定沿第一方向Dl的主体部6的长度。切断预定线L2以在沿切断预定线L2进行切断时、电子入射部8a在其切断面开口的方式设定。此外，切断预定线L3以沿切断预定线L3进行切断时、倍增部Sb在其切断面开口的方式设定。通过沿以上那样的切断预定线L1、L2、L3将叠层体27切断，构成分别具备单一的通道8的多个主体部6。
[0059]在接下来的工序中，在形成于主体部6的通道8的内面形成电阻层和二次电子倍增层(层形成工序)。电阻层和二次电子倍增层在此处由原子层沉积法形成。通过以上的工序，制造多个图8所示那样的电子倍增体2。
[0060]如以上说明的那样，在本实施方式的电子倍增体2的制造方法中，在第一板状部件21形成从表面21a到达背面21b并且沿表面21a和背面21b延伸的孔部24。而且，以利用一对第二板状部件22夹着第一板状部件21的方式相互叠层而构成叠层体27，并且形成由孔部24规定的通道8。通过将该叠层体27—体化并进行切断，构成主体部6。此外，在通道8的内面形成电阻层和二次电子倍增层。根据这样的方法，比较容易在板状部件形成孔部24，因此能够提尚通道8的加工性。此外，基于同样的理由，能够降低制造成本。
[0061]此外，在电子倍增体2的制造方法中，在层形成工序，利用原子层沉积的情况下形成电阻层和二次电子倍增层。因此，能够在通道8的内面容易地形成电阻和二次电子倍增层。
[0062]此外，在电子倍增体2的制造方法中，在孔形成工序，以到达第一板状部件21的端部的方式形成孔部24。因此，在切断工序之前，孔部24不到达第一板状部件21的端部。因此，能够更可靠地抑制第一板状部件21分离为两个部分。由此，能够提高操作性。此外，能够精度更高而简便地形成通道8的宽度。
[0063]此外，在电子倍增体2，第一和第二板状部件21、22的厚度为5_以下。因此，通过将第一和第二板状部件21、22形成得比较薄，孔部24的形成更加容易。因此，能够进一步提高通道8的加工性。
[0064]在本实施方式的光电倍增管I，具备利用上述的电子倍增体2的制造方法制造的电子倍增体2，因此能够恰当地获得上述作用效果。
[0065](第一变形例)
[0066]接着，对第一变形例的电子倍增体的制造方法进行说明。如图9(a)所示，第一变形例中的电子倍增体31具有呈类似漏斗形状(funnel，例如漏斗形)的电子入射部8a。即，主体部6的一个端面6a的电子入射部8a的开口在板状部件的叠层方向的中央部扩展，越靠近两端部越窄。
[0067]如图9(b)所示，为了构成上述那样的电子入射部8a，在电子倍增体31的制造方法中，在孔形成工序对第一板状部件21的各个分别形成三角形部24a的扩展角彼此不同的孔部24。而且，在叠层工序，一个端面6a使得电子入射部8a呈上述的类似漏斗形状的方式将多个第一板状部件21叠层。通过采用这样的工序，能够容易地形成上述那样的形状的通道8。
[0068](第二变形例)
[0069]接着，对第二变形例的电子倍增体的制造方法进行说明。如图10(a)和图10(b)所示，第二变形例中的电子倍增体32具有呈三维弯曲的形状(例如螺旋状)的通道8。在这样的电子倍增体32的制造方法中，在孔形成工序对第一板状部件21的各个分别形成三角形部24a和延伸部24b的形状彼此不同的孔部24。而且，在叠层工序以使得通道8呈三维弯曲的形状的方式将多个第一板状部件21叠层。通过这样的工序，能够容易地形成上述那样的形状的通道8。
[0070](第三变形例)
[0071]接着，对电子倍增体33的制造方法进行说明。如图11所示，第三变形例中的电子倍增体33具有沿板状部件的叠层方向和第二向D2呈二维状排列的多个通道8。即，电子倍增体33为多通道的电子倍增体33。在这样的电子倍增体33的制造方法中，首先，准备多个第一板状部件21、一对第二板状部件22和第三板状部件23(准备工序)。第三板状部件23的形状、材质等能够与第一和第二板状部件21、22相同。
[0072]在接下来的工序中，如图12所示那样，在第一板状部件21形成多个孔部24(孔形成工序)。此处，孔部24沿第一方向Dl和第二方向D2二维排列。在图12所示的例子中，在第一方向Dl上相互并列地形成两个孔部24，在第二向D2上相互并列形成地两个孔部24。
[0073]在接下来的工序中，如图13所示那样，在第一板状部件21间设置有第三板状部件23，并且以利用一对第二板状部件22夹着第一板状部件21的方式将第一、第二和第三板状部件23相互叠层而构成叠层体27(叠层工序)。即，此处，第二板状部件22、两个第一板状部件21、第三板状部件23、两个第一板状部件21和第二板状部件22依次叠层。通过这样将第一、第二和第三电子倍增体23相互叠层，在第三板状部件23的两面侧的各个第一板状部件21，在叠层体27内分别形成由孔部24规定的通道8(参照图16)。
[0074]在接下来的工序中，如图14所示那样，将叠层体27—体化(一体化工序)。
[0075]在接下来的工序中，如图15和图16所示那样，通过将一体化的叠层体27切断而构成主体部6(切断工序)。在该切断工序中，沿在叠层体27设定的假想的切断预定线L1、L2、L3将叠层体27切断。切断预定线L1、L2、L3以将沿第一方向Dl和第二向D2 二维排列的通道8每多个(此处为每两个)地分断的方式设定成栅格状。切断预定线LI沿第一方向Dl设定。切断预定线LI以将在第二方向D2上相邻的两个通道8作为一组分断的方式设定。切断预定线L2、L3分别沿第二向D2设定。切断预定线L2以在沿切断预定线L2进行切断时、两个通道8各自的电子入射部8a在其切断面开口的方式设定。此外，切断预定线L3以沿切断预定线L3进行切断时、两个通道8各自的倍增部Sb在其切断面开口的方式设定。通过沿以上那样的切断预定线L1、L2、L3将叠层体27切断，构成分别具备在第二方向D2上相邻的两个通道8的多个主体部6。
[0076]在接下来的工序中，在形成于主体部6的通道8的内面形成电阻层和二次电子倍增层(层形成工序)。通过以上的工序，制造图11所示那样的多通道的电子倍增体33。
[0077]在该电子倍增体33的制造方法中，在准备工序准备多个第一板状部件21，并且进一步准备第三板状部件23，在叠层工序，在第一板状部件21间设置第三板状部件23，并且以利用一对第二板状部件22夹着第一和第三板状部件21、23的方式将第一、第二和第三板状部件21、22、23相互叠层而构成叠层体27。因此，通过在第三板状部件23与一对第二板状部件22之间分别夹着第一板状部件21，在这些叠层方向上构成多个通道8。因此，能够容易地制造多通道的电子倍增体33。
[0078]此外，在该电子倍增体33的制造方法中，在孔形成工序，在第一板状部件21形成多个孔部24。因此，在沿着第一板状部件21的表面21a和背面21b的方向上构成多个通道8。因此，能够容易地制造多通道的电子倍增体33。
[0079]以上的实施方式是对本发明的电子倍增体的制造方法、光电倍增管和光电倍增器的一个实施方式进行的说明。因此，本发明的电子倍增体的制造方法、光电倍增管和光电倍增器并不限定于上述的内容。本发明的电子倍增体的制造方法、光电倍增管和光电倍增器能够在不改变各
【发明内容】
的主旨的范围内对上述的内容任意地进行变更。
[0080]例如，也可以在孔形成工序以到达第一板状部件21的一端25或另一端26的方式形成孔部24。在这种情况下，在切断工序之前，孔部24到达第一板状部件21的一端25或另一端26中的任意的一端。因此，在切断工序中，能够通过仅将第一板状部件21的一端25或另一端26中的任意的另一端切断，而使通道8在主体部6的一个端面6a和另一个端面6b开口。此外，在前段工序之前，孔部24不到达第一板状部件21的一端25或另一端26中的任意的另一端。因此，能够抑制第一板状部件21分离为两个部分。基于这些原因，能够提高操作性。此外，能够高精度而简便地形成通道8的宽度。
[0081 ] 此外，如图17所示，电子倍增体2能够使用光电面29和阳极30构成光电倍增器35。光电面29从第一方向Dl看呈与电子倍增体2的主体部6的外形大致相同的形状。此外，光电面29形成为平板状。光电面29以堵塞主体部6的一个端面6a的电子入射部8a的开口的方式设置在一个端面6a。由此，在光电面29产生的光电子被供给至电子入射部8a。
[0082]阳极30对应于射入通道8的光电子而接受从通道8放出的二次电子。阳极30以堵塞主体部6的另一个端面6b的通道8的开口的方式设置在通道8内。由此，阳极30接受在电子倍增体2的通道8行进而到达另一个端面6b的二次电子。
[0083]本实施方式的光电倍增器35具备上述的电子倍增体2。因此，能够恰当地获得电子倍增体2的作用效果。
[0084]此外，在上述实施方式中，层形成工序接着切断工序进行，不过也可以接着叠层工序进行，还可以接着一体化工序进行。
[0085]此外，也可以使用由金属等导电体构成的第一和第二板状部件21、22。在这种情况下，在切断工序之后、层形成工序之前，进一步实施在主体部6的表面和通道8的内面形成绝缘膜的绝缘膜形成工序。在这种情况下，能够使用金属等导电体作为第一和第二板状部件21、22，因此能够利用多种材料制造电子倍增体2。
【主权项】
1.一种电子倍增体的制造方法，其特征在于， 所述电子倍增体包括:在第一方向上延伸的主体部;和通道，其在所述第一方向上的所述主体部的一个端面和另一个端面开口，并且对应于射入的电子而放出二次电子， 所述电子倍增体的制造方法包括: 准备工序，准备具有表面和所述表面的相反侧的背面的第一板状部件以及一对第二板状部件； 孔形成工序，在所述第一板状部件形成从所述表面到达所述背面并且沿所述表面和所述背面延伸的孔部； 叠层工序，通过以由一对所述第二板状部件夹着所述第一板状部件的方式将所述第一板状部件和所述第二板状部件相互叠层而构成叠层体，在所述叠层体形成由所述孔部规定的所述通道； 将所述叠层体一体化的一体化工序； 切断工序，通过将一体化的所述叠层体切断而构成所述主体部;和 层形成工序，在所述通道的内面形成电阻层和二次电子倍增层， 在所述切断工序中，以所述通道在所述一个端面和所述另一个端面开口的方式将所述叠层体切断。2.如权利要求1所述的电子倍增体的制造方法，其特征在于: 在所述层形成工序中，利用原子层沉积法形成所述电阻层和所述二次电子倍增层。3.如权利要求1或2所述的电子倍增体的制造方法，其特征在于: 所述第一板状部件和所述第二板状部件由导电体构成， 在所述层形成工序之前还包括在所述主体部的表面和所述通道的内面形成绝缘膜的绝缘膜形成工序。4.如权利要求1?3中的任一项所述的电子倍增体的制造方法，其特征在于: 在所述孔形成工序中，以到达所述第一方向上的所述第一板状部件的一端或另一端的方式形成所述孔部。5.如权利要求1?3中的任一项所述的电子倍增体的制造方法，其特征在于: 在所述孔形成工序，以不到达所述第一板状部件的端部的方式形成所述孔部。6.如权利要求1?5中的任一项所述的电子倍增体的制造方法，其特征在于: 所述第一板状部件和所述第二板状部件的厚度为5mm以下。7.如权利要求1?6中的任一项所述的电子倍增体的制造方法，其特征在于: 在所述准备工序中，准备多个所述第一板状部件，并且还准备第三板状部件， 在所述叠层工序中，在所述第一板状部件间设置所述第三板状部件并且以由一对所述第二板状部件夹着所述第一和第三板状部件的方式将所述第一、第二和第三板状部件相互叠层而构成所述叠层体。8.如权利要求1?7中的任一项所述的电子倍增体的制造方法，其特征在于: 在所述孔形成工序，在所述第一板状部件形成多个所述孔部。9.如权利要求1?8中的任一项所述的电子倍增体的制造方法，其特征在于: 所述第一以及第二板状部件由陶瓷形成。10.一种光电倍增管，其特征在于， 包括: 由权利要求1?8中的任一项所述的电子倍增体的制造方法制造的电子倍增体； 容纳所述电子倍增体的管体； 光电面，其在所述管体以与所述一个端面上的所述通道的开口相对的方式设置，并向所述通道供给光电子;和 阳极，其在所述管体内以与所述另一个端面上的所述通道的开口相对的方式配置，接受对应于射入所述通道的所述光电子而从所述通道放出的二次电子。11.一种光电倍增器，其特征在于， 具备: 由权利要求1?8中的任一项所述的电子倍增体的制造方法制造的电子倍增体； 光电面，其以堵塞所述一个端面上的所述通道的开口的方式设置，并向所述通道供给光电子;和 阳极，其以堵塞所述另一个端面上的所述通道的开口的方式配置，接受对应于射入所述通道的所述光电子而从所述通道放出的二次电子。
【文档编号】H01J9/12GK105938787SQ201610117976
【公开日】2016年9月14日
【申请日】2016年3月2日
【发明人】须山本比吕, 小林浩之, 服部真也
【申请人】浜松光子学株式会社