可优化去胶工艺的sonos存储器制造方法
【专利摘要】本申请公开了一种可优化去胶工艺的SONOS存储器制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，在已淀积ONO复合膜以及氧化层的硅衬底上，使用光刻胶进行ONO光刻；步骤二，进行ONO干法刻蚀；步骤三，进行ONO湿法刻蚀；步骤四，使用有机溶剂去除ONO光刻胶；步骤五，选择管栅氧生长前的湿法处理；步骤六，进行选择管栅氧生长。新的工艺流程在ONO去胶这步使用有机溶剂去除光刻胶，不与硅反应。因此后续的选择管栅氧生长的均匀性会好很多。
【专利说明】
可优化去胶工艺的SONOS存储器制造方法
技术领域
[0001 ]本申请涉及一种半导体集成电路器件的制作方法，特别是涉及一种S0N0S存储器 的制造过程中的去胶工艺的方法。
【背景技术】
[0002] 随着存储器工艺的不断发展，器件的尺寸不断的缩小，读操作的电流也随之越来 越小。而因为读操作电流的迅速变小，也同时压缩了存储器的工艺窗口。例如在2T S0N0S存 储器中，如果与S0N0S管串联的选择管饱和电流太小，就会影响到2T的整体的读电流，严重 时即使S0N0S管处于正常的擦除状态，读电流还是会受到选择管的影响而偏小，甚至无法达 到参考电流而出现假性的"无法擦除失效"。
[0003] 图1示出了0.13um S0N0S平台下的某产品的测试效果图，因为原有的工艺的窗口 太小，工艺波动会造成器件失效，严重时良率损失达到90%以上。导致这些低良的原因全部 都是因为原有工艺中，选择管的饱和电流偏低而出现的假性"擦除失效"。
【发明内容】
[0004] 本申请所要解决的技术问题是如何提高选择管的饱和电流来解决因为选择管的 饱和电流偏低而出现的假性"擦除失效"问题。
[0005] 为解决上述技术问题，本发明提供一种可优化去胶工艺的S0N0S存储器制造方法， 其特征在于，包括以下步骤：
[0006] 步骤一，在已淀积0N0复合膜以及氧化层的硅衬底上，使用光刻胶进行0N0光刻； [0007] 步骤二，进行0Ν0干法刻蚀；
[0008] 步骤三，进行0Ν0湿法刻蚀；
[0009]步骤四，使用有机溶剂去除0Ν0光刻胶；
[0010] 步骤五，选择管栅氧生长前的湿法处理；
[0011] 步骤六，进行选择管栅氧生长。
[0012] 较佳地，所述有机溶剂为丙二醇甲醚醋酸酯。
[0013] 较佳地，所述选择管栅氧厚度为110-120 Α并且与M0S管共用一道工艺生长栅氧。
【附图说明】
[0014] 图1是现有技术的S0N0S存储器制造方法某产品的测试效果图。
[0015]图2是本发明的可优化去胶工艺的S0N0S存储器制造方法流程图。
[0016]图3是本发明的可优化去胶工艺的S0N0S存储器进行0N0光刻步骤时的结构剖面 图。
[0017] 图4是本发明的可优化去胶工艺的S0N0S存储器进行0Ν0干法刻蚀步骤时的结构剖 面图。
[0018] 图5是本发明的可优化去胶工艺的S0N0S存储器进行0Ν0湿法刻蚀步骤时的结构剖 面图。
[0019] 图6是本发明的可优化去胶工艺的S0N0S存储器使用有机溶剂去除0N0光刻胶时的 结构剖面图。
[0020] 图7是本发明的可优化去胶工艺的S0N0S存储器进行选择管栅氧生长时的结构剖 面图。
【具体实施方式】
[0021] 请参阅图2,如图所示，本发明的可优化去胶工艺的S0N0S存储器制造方法包括： [0022]步骤一，如图3所示，在已淀积0Ν0复合膜(二氧化硅-氮化硅-二氧化硅复合膜)2以 及氧化层4的硅衬底3上，使用光刻胶1进行0Ν0光刻；
[0023] 步骤二，如图4所示，进行0Ν0干法刻蚀；
[0024] 步骤三，如图5所示，进行0Ν0湿法刻蚀；
[0025]步骤四，如图6所示，使用有机溶剂去除0Ν0光刻胶;例如:使用丙二醇甲醚醋酸酯 去除0Ν0光刻胶；
[0026] 步骤五，选择管栅氧生长前的湿法处理；
[0027] 步骤六，如图7所示，进行选择管栅氧5生长。较佳地，选择管栅氧厚度为:118 Α。
[0028] 原有工艺流程在0Ν0去胶这步使用含有氧气的气体与光刻胶反应，去除光刻胶的 同时，会在硅的表面生成一层附属氧化层，这层附属氧化层厚度由于受图形的密度影响（比 如在0Ν0图形密度较大的存储器区域，这层附属氧化层会明显高于低密度区域），因此难以 控制，会影响后续的选择管栅氧的生长，从而影响产品良率。
[0029]新的工艺流程在0Ν0去胶这步使用有机溶剂去除光刻胶，不与硅反应。因此后续的 选择管栅氧生长的均匀性会好很多。
[0030]以上仅为本申请的优选实施例，并不用于限定本申请。对于本领域的技术人员来 说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同 替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
【主权项】
1. 一种可优化去胶工艺的SONOS存储器制造方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤一，在已淀积ONO复合膜以及氧化层的硅衬底上，使用光刻胶进行ONO光刻； 步骤二，进行ONO干法刻蚀； 步骤三，进行ONO湿法刻蚀； 步骤四，使用有机溶剂去除ONO光刻胶； 步骤五，选择管栅氧生长前的湿法处理； 步骤六，进行选择管栅氧生长。2. 如权利要求1所述的可优化去胶工艺的SONOS存储器制造方法，其特征在于:所述有 机溶剂为丙二醇甲醚醋酸酯。3. 如权利要求1所述的可优化去胶工艺的SONOS存储器制造方法，其特征在于:所述选 择管栅氧厚度为11(Π2〇Α。
【文档编号】H01L21/027GK106024718SQ201610374614
【公开日】2016年10月12日
【申请日】2016年5月31日
【发明人】刘凯, 张可钢, 陈华伦, 邵国键
【申请人】上海华虹宏力半导体制造有限公司