二极管以及二极管的制造方法
【专利摘要】本发明提供一种二极管以及二极管的制造方法，该二极管使具有p型接触区和n型接触区的二极管的耐压提高。二极管具有：多个p型接触区，它们与阳极电极接触；n型接触区，其在相邻的两个p型接触区之间与阳极电极接触；阴极区，其被配置于p型接触区与n型接触区的背面侧，且与阴极电极接触。p型接触区具有：第一区域，其与阳极电极接触；第二区域，其被配置于第一区域的背面侧，并具有与第一区域的p型杂质浓度相比较低的p型杂质浓度；第三区域，其被配置于第二区域的背面侧，并具有与第二区域的p型杂质浓度相比较低的p型杂质浓度。所述第二区域的厚度与所述第一区域的厚度相比较厚。
【专利说明】
二极管以及二极管的制造方法
技术领域
[0001]本说明书所公开的技术涉及一种二极管以及二极管的制造方法。
【背景技术】
[0002]专利文献I中公开了一种具备多个P型接触区、η型接触区、η型的阴极区的二极管。η型接触区被配置于相邻的两个P型接触区之间。P型接触区和η型接触区与阳极电极接触。阴极区被配置于P型接触区和η型接触区的背面侧，并与阴极电极接触。η型接触区的η型杂质浓度较低。P型接触区的P型杂质浓度较高。在向该二极管施加反向电压时，耗尽层将从P型接触区向η型接触区扩展。η型接触区通过耗尽层而被夹断。因此，在施加反向电压时，二极管中没有电流流通。在向该二极管施加正向电压时，空穴将从阳极电极流入P型接触区。随着空穴流入P型接触区，耗尽层将从η型接触区向P型接触区侧收缩，从而耗尽层从η型接触区消失。因此，在向二极管施加正向电压时，电流将通过η型接触区而从阳极电极流向阴极区。即，P型接触区不成为电流路径，而η型接触区成为电流路径，从而二极管导通。另外，由于如上文所述那样P型接触区的P型杂质浓度较高，因此阳极电极与P型接触区之间的势皇较小。当如上述那样阳极电极与P型接触区之间的势皇较小时，在施加正向电压时，空穴将易于从阳极电极流入P型接触区，从而耗尽层会在短时间内从η型接触区消失。因此，该二极管的响应速度较快。
[0003]此外，专利文献2中公开了一种在与专利文献I相同的二极管中将P型接触区设为两层结构的二极管。在该二极管中，P型接触区具有被形成在与阳极电极相接的范围内的高浓度区域以及被配置于高浓度区域的背面侧的低浓度区域。由于在专利文献2的二极管中，与阳极电极相接的高浓度区域的P型杂质浓度也较高，因此阳极电极与P型接触区之间的势皇较小。因此，专利文献2的二极管的响应速度也较快。
[0004]在先技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献I:日本特开2009-94433号公报
[0007]专利文献2:日本特开2013-120784号公报
【发明内容】
[0008]发明所要解决的课题
[0009]在专利文献I的二极管中，P型接触区的P型杂质浓度较高。因此，在向二极管施加有反向电压时，η型接触区将被耗尽，而P型接触区未被耗尽。因此，在P型接触区的端部附近会产生电场集中。因此，专利文献I的二极管的反向耐压较低。此外，在为了抑制电场集中而降低P型接触区的P型杂质浓度时，在施加有反向电压时，P型接触区将耗尽。由于当P型接触区耗尽时，耗尽层不会进一步向η型接触区扩展，因此难以夹断η型接触区。
[0010]在专利文献2的二极管中，P型接触区具有被配置于表面侧的高浓度区域和被配置于背面侧的低浓度区域。由于在施加有反向电压时，低浓度区域被耗尽，因此低浓度区域对η型接触区的耗尽几乎没有帮助。因此，为了可靠地夹断η型接触区，而需要将高浓度区域设置得比较厚。在向二极管施加有反向电压时，虽然低浓度区域被耗尽，但高浓度区域未被耗尽。即，在施加反向电压时，高浓度区域未被耗尽，而低浓度区域与η型接触区被耗尽。由于未耗尽的高浓度区域较厚，因此在施加反向电压时，在高浓度区域的端部附近会产生电场集中。专利文献2的二极管的反向耐压也较低。
[0011]另外，专利文献1、2的二极管为在导通时空穴不从P型接触区流入η型漂移区的类型的二极管。该类型的二极管被称为JBSD(Junct1n Barrier Schottky D1de:结势皇肖特基二极管)。另一方面，还存在有在导通时空穴从P型接触区流入η型漂移区的类型(S卩，电子与空穴双方均有助于电流的类型)的二极管。该类型的二极管被称为MPSD(Merged PINShottky D1de:混合PIN肖特基二极管)。在MPSD中也会产生与JBSD相同的问题。因此，在本说明书中提供一种在半导体基板与阳极电极的接触面上具有P型接触区和η型接触区的二极管中，使反向耐压提高的技术。
[0012]用于解决课题的方法
[0013]本说明书公开的二极管具备:半导体基板；阳极电极，其被形成在所述半导体基板的表面上；阴极电极，其被形成在所述半导体基板的背面上。所述半导体基板具有多个P型接触区、η型接触区、阴极区。所述P型接触区为与所述阳极电极接触的P型区域。所述η型接触区为，被配置于相邻的两个所述P型接触区之间并与所述阳极电极接触的η型区域。所述阴极区为，被配置于所述P型接触区与所述η型接触区的背面侧，并与所述阴极电极接触的η型区域。所述P型接触区具有第一区域至第三区域。所述第一区域与所述阳极电极接触。所述第二区域被配置于所述第一区域的背面侧，并具有与所述第一区域的P型杂质浓度相比较低的P型杂质浓度。所述第二区域的P型杂质浓度相对于其平均值分布在-30%至+30%的范围内。所述第三区域被配置于所述第二区域的背面侧，并具有与所述第二区域的P型杂质浓度相比较低的P型杂质浓度。所述第二区域的厚度与所述第一区域的厚度相比较厚。
[0014]该二极管的P型接触区具有P型杂质浓度较高的第一区域、P型杂质浓度为中等程度的第二区域以及P型杂质浓度较低的第三区域。在第二区域内，P型杂质浓度分布在-30%至+30%的范围内，并且P型杂质浓度的差较小。此外，第二区域与第一区域相比较厚。即，在该二极管中，P型杂质浓度以中等程度分布的第二区域较厚。P型杂质浓度较高的第一区域是为了减小阳极电极与P型接触区之间的势皇以便加快二极管的响应速度而设置的。在向该二极管施加反向电压时，耗尽层将从P型接触区向η型接触区伸展，从而η型接触区被夹断。此处，虽然P型杂质浓度较低的第三区域被瞬间耗尽，因而对耗尽层向η型接触区的伸展几乎没有帮助，但P型杂质浓度较高的第一区域和P型杂质浓度为中等程度的第二区域有助于耗尽层向η型接触区的伸展。此外，由于第一区域的厚度较薄而第二区域的厚度较厚，因此能够可靠地夹断η型接触区。此外，在施加有反向电压时，P型杂质浓度较低的第三区域耗尽。此外，在施加有更高的反向电压的情况下，除了第三区域以外，P型杂质浓度为中等程度的第二区域也会耗尽。P型杂质浓度较高的第一区域不会耗尽。但是，由于第一区域的厚度较薄，因此即使第一区域未耗尽，也不易在第一区域的端部产生电场集中。即，在该二极管中，即使在施加有较高的反向电压的情况下，也会对电场集中进行抑制。因此，该二极管具有较高的反向耐压。如上文所说明的那样，通过设置P型杂质浓度的差较小且厚度较厚的第二区域，从而能够提高二极管的反向耐压。
[0015]此外，本说明书涉及一种制造二极管的方法，该方法包括第一工序至第四工序。在第一工序中，以在第一深度处停止的方式，以第一浓度向η型的半导体基板的表面中的隔开间隔而被配置的多个范围注入P型杂质浓度。在第二工序中，以在深于所述第一深度的深度范围内停止的方式向所述多个范围注入P型杂质。在第二工序中，以低于所述第一浓度的第二浓度向所述深度范围内的多个深度注入P型杂质。在第三工序中，形成与包含所述多个范围的所述表面接触的阳极电极。在第四工序中，在所述半导体基板的背面上形成阴极电极。
[0016]在该方法中，在第一工序中能够形成P型杂质浓度较高的第一区域。此外，在第二工序中，能够形成P型杂质浓度的差较小且厚度较厚，并位于第一区域的背面侧的第二区域。此外，通过使在第二工序中被注入的P型杂质的一部分向更深侧扩散，从而形成位于第二区域的背面侧并且P型杂质浓度较低的第三区域。另外，还可以进一步设置相对于第三区域而以低浓度注入P型杂质的工序。根据该方法，能够制造出反向耐压较高的二极管。
【附图说明】
[0017]图1为二极管10的纵剖视图(图2的1-1线处的纵剖视图)。
[0018]图2为表示半导体基板12的表面12a的俯视图。
[0019]图3为P型接触区20和η型接触区25的放大剖视图。
[0020]图4为表示P型接触区20内的P型杂质浓度分布的曲线图。
[0021 ]图5为表不向二极管10施加有反向电压时的电位分布的放大剖视图。
[0022 ]图6为表不向比较例的二极管施加有反向电压时的电位分布的放大剖视图。
[0023]图7为二极管10的制造方法的说明图。
[0024]图8为第一改变例的二极管的放大剖视图。
[0025]图9为第二改变例的二极管的放大剖视图。
【具体实施方式】
[0026]图1、2所示的实施例的二极管10具有半导体基板12。另外，在图2中，用斜影线来表示P型区域。半导体基板12由宽带隙半导体(例如SiC)构成。半导体基板12的表面12a上形成有阳极电极14和绝缘膜18。图2的虚线14表示形成有阳极电极14的范围(S卩，半导体基板12与阳极电极14接触的接触面15)的轮廓。阳极电极14被形成在半导体基板12的表面12a的中央部。表面12a的未被阳极电极14覆盖的区域(S卩，虚线14的外侧的区域:以下称为周边区域13)被绝缘膜18覆盖。半导体基板12的背面12b上形成有阴极电极16。
[0027]在半导体基板12的内部，形成有η型区域和P型区域。P型区域具有与阳极电极14接触的P型接触区20和不与阳极电极14接触的FLR(Field Limiting Ring:场限环)24。如图1所示，P型区域仅被形成在半导体基板12的表面12a附近的表层部处。η型区域占据半导体基板12的大部分。
[0028]P型接触区20具有条纹状P型接触区20a以及环状P型接触区20b。如图2所示，条纹状P型接触区20a与环状P型接触区20b被形成在半导体基板12的表面12a中的接触面15内。各个P型接触区20与阳极电极14相接。FLR24被形成在半导体基板12的表面12a中的接触面15的外侧。即，FLR24被形成在周边区域13内。FLR24的上表面被绝缘膜18覆盖。
[0029]如图2所示，各个环状P型接触区20b在接触面15内以环状延伸。多个环状P型接触区20b从外周侧趋向内周侧，以隔开间隔的方式而配置。最外周侧的环状p型接触区20b具有与其他的环状P型接触区20b相比较宽的宽度。最外周侧的环状P型接触区20b的与其宽度的中央相比靠内周侧的部分位于接触面15内，而与其宽度的中央相比靠外周侧的部分向接触面15的外侧突出。其他的环状P型接触区20b全部位于接触面15内。
[0030]如图1、2所示，条纹状P型接触区20a被形成在最内周侧的环状P型接触区20b的内周部。条纹状P型接触区20a分别相互平行地以直线状延伸。条纹状P型接触区20a在其两端部处与最内周侧的环状P型接触区20b连接。
[0031]图3图示了P型接触区20的放大剖视图。各P型接触区20(S卩，各条纹状P型接触区20a与各环状P型接触区20b)具有三层结构，该三层结构具有第一区域21、第二区域22以及第三区域23。第一区域21在半导体基板12的表面12a上露出，并与阳极电极14相接。第二区域22被形成在第一区域21的下侧。第三区域23被形成在第二区域22的下侧。图4图示了在各个P型接触区20的深度方向(半导体基板12的厚度方向)上的P型杂质浓度分布。如图4所示，第一区域21内的P型杂质浓度较高。第二区域22内的P型杂质浓度与第一区域21内的P型杂质浓度相比较低。第三区域23内的P型杂质浓度与第二区域22内的P型杂质浓度相比较低。此外，在第二区域22内，P型杂质以大致固定的浓度分布。第二区域22的P型杂质浓度的平均值为浓度Nb。浓度Nb优选为I X 117?I X 1018atomS/Cm3的范围内的值。P型杂质浓度相对于浓度Nb分布在-30%至+30%的范围内的区域为第二区域22。第一区域21为具有浓度Nb的1.3倍(他+30%)以上的？型杂质浓度的区域。第三区域23为具有浓度他的0.7倍(他-30%)以下的P型杂质浓度的区域。如图3、4所示，第二区域22的厚度T2与第一区域21的厚度Tl以及第三区域23的厚度T3中的任意一方相比均较厚。但是，厚度T3也可以厚于厚度T2。厚度Tl优选在0.2μπι以下。厚度T2优选为0.3?0.5μπι的范围内的值。厚度Τ3优选为0.3?0.5μπι的范围内的值。
[0032]FLR24为P型的半导体区域。FLR24分别被形成在周辺区域13中，并以包围阳极电极14的周围的方式而以环状延伸。
[0033]η型区域具有η型接触区25和阴极区30。
[0034]η型接触区25被形成在相邻的两个P型接触区20之间的各个范围内。η型接触区25与两侧的P型接触区20相接。η型接触区25与第一区域21、第二区域22以及第三区域23相接。η型接触区25的η型杂质浓度较低，在本实施例中，在9.5 X 1015atoms/cm3以下。η型接触区25与阳极电极14接触。η型接触区25与阳极电极14肖特基接触。
[0035]阴极区30被形成在P型接触区20以及η型接触区25的下侧。阴极区30与各个η型接触区25相连。此外，阴极区30与各个P型接触区20的下端部相接。阴极区30扩展至半导体基板12的背面12b，并与阴极电极16相接。此外，阴极区30也被形成在FLR24的下侧。阴极区30具有漂移区26和阴极接触区28。
[0036]漂移区26的η型杂质浓度较低，在本实施例中，在9.5X1015atoms/cm3以下。漂移区26的η型杂质浓度与η型接触区25的η型杂质浓度大致相等。漂移区26被形成在与P型接触区20、η型接触区25以及FLR24相邻的位置处。
[0037]阴极接触区28具有与漂移区26的η型杂质浓度相比较高的η型杂质浓度。在本实施例中，阴极接触区28的η型杂质浓度在3.0X1018atomS/Cm3以上。阴极接触区28被形成在漂移区26的下侧。阴极接触区28被形成在露出于半导体基板12的背面12b的范围内。阴极接触区28与阴极电极16欧姆接触。阴极接触区28通过漂移区26而与p型接触区20、n型接触区25以及FLR24分离。
[0038]接下来，对二极管10的动作进行说明。在向二极管10施加反向电压(S卩，使阴极电极16与阳极电极14相比成为高电位的电压)的状态下，耗尽层以横跨P型接触区20和η型接触区25的方式而扩展。η型接触区25的宽度方向上的整体被耗尽。此外，P型接触区20中的第二区域22和第三区域23的整体被耗尽。第一区域21只有一部分被耗尽，而大部分未被耗尽。之后，当向二极管10施加正向电压时，空穴将从阳极电极14流入P型接触区20。通过空穴流入P型接触区20，从而使耗尽层缩小。更详细而言，η型接触区25内的耗尽层朝向η型接触区25与P型接触区20的界面的ρη结32后退。其结果为，耗尽层从η型接触区25消失。此外，P型接触区20内的耗尽层朝向ρη结32后退。其结果为，耗尽层从P型接触区20内消失。当η型接触区25内的耗尽层消失时，电子穿过阳极电极14与η型接触区25之间的肖特基界面，而从漂移区26向阳极电极14流通。即，电子从阴极电极16起经由阴极接触区28、漂移区26以及η型接触区25而流向阳极电极14。由此，二极管10导通。另外，由于第一区域21的P型杂质浓度较高，因此第一区域21与阳极电极14之间的势皇较小。因此，在二极管导通时，空穴易于从阳极电极14流入P型接触区20。因此，在二极管导通时，耗尽层会高速地从η型接触区25以及P型接触区20消失。因此，该二极管的响应速度较快。此外，在二极管10中，在导通时P型接触区20内没有电流流通。即，二极管10为JBSD。
[0039]之后，当向二极管10施加反向电压时，耗尽层将从ρη结32向η型接触区25和P型接触区20扩展。耗尽层从η型接触区25的两侧的P型接触区20(S卩，两侧的ρη结32)向η型接触区25内扩展。从两侧扩展至η型接触区25的耗尽层在η型接触区25内连接。即，η型接触区25的宽度方向上的整个区域被耗尽。如此，由于η型接触区25通过耗尽层而被夹断，因此向η型接触区25流通的电流停止，从而二极管10断开。这时，由于第三区域23的P型杂质浓度较低，因此第三区域23整体通过从ρη结32延伸的耗尽层而被瞬间耗尽。因此，第三区域23对耗尽层向η型接触区25的伸展几乎没有帮助。由于第一区域21具有较高的P型杂质浓度，因此第一区域21仅部分被耗尽。此外，由于第二区域22具有比较高的P型杂质浓度，因此第二区域22未被瞬间地耗尽。因此，第一区域21与第二区域22有助于耗尽层向η型接触区25的伸展。此夕卜，为了夹断η型接触区25，有助于耗尽层向η型接触区25的进展的P型区域需要在半导体基板12的厚度方向上具有一定程度的厚度。在本实施方式中，虽然第一区域21的厚度Tl较薄，但第二区域22的厚度Τ2较厚。因此，能够通过从第一区域21和第二区域22延伸的耗尽层来夹断η型接触区25。
[0040]此外，当在η型接触区25被耗尽之后反向电压进一步上升时，第二区域22整体将通过从ρη结32延伸的耗尽层而被耗尽。图5的虚线表示第二区域22被耗尽时的电位分布。当第二区域22耗尽时，在阳极电极14的附近未被耗尽的区域只有第一区域21。未耗尽的第一区域21成为向耗尽了的区域内突出的状态。因此，电场集中在第一区域21的下端附近(尤其是下端的角部附近)。但是，如上所述，第一区域21的厚度Tl较薄。即，未耗尽的第一区域21向耗尽了的区域内突出的量较小。因此，抑制了电场集中在第一区域21的下端附近的情况。图6图示了 P型接触区20整体具有较高的P型杂质浓度的情况(S卩，P型接触区20的大致整体未耗尽的情况)下的电场分布，以作为比较例。如图6所示，当未耗尽的P型接触区20的厚度较厚时，等电位线在P型接触区20的下端的角部附近变密，从而在该区域产生较高的电场。对此，如图5所示，在本实施方式的二极管10中，由于未耗尽的第一区域21的厚度Tl较薄，因此不易在第一区域21的下端附近产生较高的电场。因此，本实施方式的二极管10具有较高的反向耐压。
[0041]此外，当第一区域21的下侧的第二区域22以及第三区域23被耗尽时，会抑制在施加有反向电压时泄漏电流经由第一区域21而流通的情况。特别是由于厚度T2较厚的第二区域22被耗尽，因此在二极管10中能够有效抑制泄漏电流。
[0042]接下来，对二极管10的制造方法进行说明。二极管1由与漂移区26具有大致相同的η型杂质浓度的η型的半导体基板12(加工前的半导体基板12)制造而成。首先，如图7所示，在半导体基板12的表面上形成具有开口部60的掩膜62。开口部60以位于应该形成P型接触区20的区域以及应该形成FLR24的区域的上部的方式而被形成。接下来，朝向半导体基板12的表面12a照射P型杂质离子。所照射的P型杂质离子被注入到开口部60内的半导体基板12的表面12a上。此处实施第一至第三注入工序。
[0043]在第一注入工序中，以较低的照射能量长时间照射P型杂质。由此，P型杂质以高浓度被注入至图7的深度Dl (即，最表层部)。
[0044]在第二注入工序中，在改变照射能量的同时多次照射P型杂质。由此，P型杂质被注入至图7的深度D2、D3、D4、D5 (即，与深度DI相比较深的深度范围内)。此处，通过使照射时间短于第一注入工序，从而以使各深度D2、D3、D4、D5处的P型杂质浓度与深度Dl处的P型杂质浓度相比较低的方式进行注入。此外，以深度D2、D3、D4、D5各深度处的P型杂质浓度大致相同的方式进行注入。
[0045]在第三注入工序中，以较高的照射能量短时间照射P型杂质。由此，P型杂质以低浓度被注入至与深度D5相比较深的深度D6。
[0046]接下来，通过对半导体基板12进行退火，从而使被注入到半导体基板12中的P型杂质活化。在实施退火时，P型杂质将在半导体基板12中扩散。由此，P型杂质以图4所示的分布而进行分布。即，在第一注入工序中被注入P型杂质的深度处形成第一区域21。在第二注入工序中被注入P型杂质的深度处形成第二区域22。在第三注入工序中被注入P型杂质的深度处形成第三区域23。由于在第二注入工序中P型杂质以大致相同的浓度被注入至多个深度，因此形成P型杂质浓度大致均匀且厚度T2较厚的第二区域22。
[0047]之后，通过形成阳极电极14、绝缘膜18、阴极接触区28以及阴极电极16而完成图1?3所示的二极管10。
[0048]另外，在上述的制造方法中，在第三注入工序中以低浓度将P型杂质注入至深度D6 ο但是，也可以不实施第三注入工序。即使在这种结构中，通过使在第二注入工序中被注入的P型杂质在退火时进行扩散，从而也会形成第三区域23。
[0049]此外，在上述的实施方式中，第一区域21具有与第二区域22大致相同的宽度。但是，如图8、9所示，第一区域21的宽度Wl也可以窄于第二区域22的宽度W2。
[0050]此外，在上述的实施方式的二极管10中，在二极管导通时，空穴不从P型接触区20流入阴极区30。但是，在二极管导通时，空穴也可以从P型接触区20流入阴极区30。即，二极管也可以为MPSD。
[0051]对本说明书公开的技术要素在下文列述。另外，以下的各个技术要素为分别独立有用的要素。
[0052]在本说明书所公开的一个示例的二极管中，所述第二区域的厚度也可以与所述第三区域的厚度相比较厚。
[0053]在本说明书所公开的一个示例的二极管中，所述第一区域的宽度也可以与所述第二区域的宽度相比较窄。
[0054]以上，虽然对本发明的具体例进行了详细说明，但这些只不过是示例，并不对权利要求书进行限定。在权利要求书中所记载的技术中，包括对上文所例示的具体例进行了各种的改形、变更的技术。
[0055]在本说明书或附图中所说明的技术要素通过单独或各种组合的形式来发挥技术上的有用性，并不被限定于申请时权利要求所记载的组合。此外，在本说明书或附图中所例示的技术为同时达到多个目的的技术，达到其中一个目的本身便具有技术上的有用性。
[0056]符号说明
[0057]10: 二极管；
[0058]12:半导体基板；
[0059]14:阳极电极；
[0060]16:阴极电极；
[0061]18:绝缘膜；
[0062]20: P型接触区；
[0063]21:第一区域；
[0064]22:第二区域；
[0065]23:第三区域；
[0066]25: η型接触区；
[0067]26:漂移区；
[0068]28:阴极接触区；
[0069]30:阴极区。
【主权项】
1.一种二极管，具备: 半导体基板； 阳极电极，其被形成在所述半导体基板的表面上； 阴极电极，其被形成在所述半导体基板的背面上， 所述半导体基板具有: 多个P型接触区，它们与所述阳极电极接触； η型接触区，其被配置于相邻的两个所述P型接触区之间，并且与所述阳极电极接触；η型的阴极区，其被配置于所述P型接触区与所述η型接触区的背面侧，且与所述阴极电极接触， 所述P型接触区具有: 第一区域，其与所述阳极电极接触； 第二区域，其被配置于所述第一区域的背面侧，并具有与所述第一区域的P型杂质浓度相比较低的P型杂质浓度，并且P型杂质浓度相对于其平均值分布在-30%至+30%的范围内； 第三区域，其被配置于所述第二区域的背面侧，并具有与所述第二区域的P型杂质浓度相比较低的P型杂质浓度， 所述第二区域的厚度与所述第一区域的厚度相比较厚。2.如权利要求1所述的二极管，其中， 所述第二区域的厚度与所述第三区域的厚度相比较厚。3.如权利要求1或2所述的二极管，其中， 所述第一区域的宽度与所述第二区域的宽度相比较窄。4.一种制造二极管的方法，包括: 以在第一深度处停止的方式，以第一浓度向η型的半导体基板的表面中的隔开间隔而被配置的多个范围注入P型杂质浓度的工序； 以在深于所述第一深度的深度范围内停止的方式向所述多个范围注入P型杂质，且以低于所述第一浓度的第二浓度向所述深度范围内的多个深度注入P型杂质的工序； 形成阳极电极的工序，所述阳极电极与包含所述多个范围的所述表面接触； 在所述半导体基板的背面上形成阴极电极的工序。5.如权利要求4所述的方法，还包括: 以在与所述深度范围相比较深的深度处停止的方式，以低于所述第二浓度的第三浓度向所述多个范围注入P型杂质的工序。
【文档编号】H01L29/861GK106057912SQ201610211107
【公开日】2016年10月26日
【申请日】2016年4月6日 公开号201610211107.X, CN 106057912 A, CN 106057912A, CN 201610211107, CN-A-106057912, CN106057912 A, CN106057912A, CN201610211107, CN201610211107.X
【发明人】三宅裕树, 永冈达司, 宫原真一朗, 青井佐智子
【申请人】丰田自动车株式会社, 株式会社电装