单壳双体三端电容及电源电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及电子器件的技术领域，特别涉及一种单壳双体三端电容及电源电路。
【背景技术】
[0002]电容(也称电容器)是由两块金属电极之间夹一层绝缘电介质构成，当在两金属电极间加上电压时，电极上就会存储电荷，电容在电路中具有隔断直流电及通过交流电的作用。因此，电容作为一种重要的电子元器件，常用于电路中级间耦合、滤波、去耦、旁路及信号调谐等。
[0003]随着电子工业设备工作频率的迅速提高，电压与电流的频率越来越高(通常频率可达到数百MHz及GHz以上)，从而导致辐射干扰的问题日益严重。与此同时，随着电子设备精密程度与复杂程度的提高，设备内部强弱电混合安装、数字逻辑电路混合安装的情况越来越多，电路模块之间的相互骚扰也成为严重的问题。为解决上述问题，已出现了能滤除射频干扰的穿心电容，其是利用安装在金属面板起到高频隔离作用。然而，由于穿心电容最大的弱点是怕高温和温度冲击，因此，上述穿心电容在往金属面板上焊接过程中很容易发生损坏，而且当需要将大量的电容安装到面板上时，只要有一个电容损坏，在拆卸损坏的电容时会造成临近的电容损坏。
[0004]另一种解决方案是采用金属隔离舱将不同性质的电路隔离开，但该方案需要大量的连线与工艺要求，通常采用特殊工艺制造的滤波阵列或连接器，但这样无疑大大增加了制造成本；而且，即使将上述两种方案相结合，即采用穿心电容并使用隔离舱、阵列或连接器进行不同性质的电路隔离，但对于同一电路内特别是电源部份，仍存在零件与零件的射频干扰。
【实用新型内容】
[0005]本实用新型提出一种单壳双体三端电容及电源电路，其能对电容起到波导管屏蔽的作用，减少正负电源受到外界射频的干扰，提高电源的纯净度。
[0006]为实现上述实用新型目的，本实用新型提供一种单壳双体三端电容，其包括一金属壳体及收容于所述金属壳体内的第一电容、第二电容，所述第一电容的负极由导线引出所述金属壳体作为三端电容的负极端，所述第二电容的正极由导线引出所述金属壳体作为三端电容的正极端，所述第一电容的正极连接所述第二电容的负极后由导线引出所述金属壳体作为三端电容的接地端。
[0007]进一步地，在上述的单壳双体三端电容中，所述三端电容的正极端、负极端及接地端均由金属壳体的一侧面引出，所述第一电容的正负极及第二电容的正负极均朝向所述侧面。
[0008]进一步地，在上述的单壳双体三端电容中，所述第一电容的正负极及第二电容的正负极与金属壳体的侧面之间填充有绝缘材料。
[0009]进一步地，在上述的单壳双体三端电容中，所述绝缘材料为橡皮。
[0010]进一步地，在上述的单壳双体三端电容中，所述第一电容的正极与所述第二电容的负极相对设置。
[0011 ] 进一步地，在上述的单壳双体三端电容中，所述第一电容及第二电容均为同种电容，所述同种电容包括但不局限于电解电容及瓷片电容。
[0012]另，本实用新型还提供一种电源电路，所述电源电路包括上述的单壳双体三端电容。
[0013]本实用新型单壳双体三端电容及电源电路通过设置金属壳体对电容起到波导管屏蔽的作用，减少了正负电源受到外界射频的干扰，提高了电源的纯净度，从而提高了数码音视频的品质。
【附图说明】
[0014]图1为本实用新型单壳双体三端电容第一实施例的结构示意图；
[0015]图2为本实用新型单壳双体三端电容第二实施例的结构示意图。
【具体实施方式】
[0016]为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
[0017]本实用新型提供一种单壳双体三端电容，其包括一金属壳体及收容于所述金属壳体内的第一电容、第二电容，所述第一电容的负极由导线引出所述金属壳体作为三端电容的负极端，所述第二电容的正极由导线引出所述金属壳体作为三端电容的正极端，所述第一电容的正极连接所述第二电容的负极后由导线引出所述金属壳体作为三端电容的接地端。这样，通过所述金属壳体对电容起到波导管屏蔽的作用，减少正负电源受到外界射频的干扰，提高电源的纯净度，从而提高了数码音视频的品质。
[0018]请参阅图1，图1为本实用新型单壳双体三端电容第一实施例的结构示意图。本实施例中，所述第一电容、第二电容均为电解电容。所述单壳双体三端电容包括一金属壳体10及收容于所述金属壳体10内的第一电容20、第二电容30，所述第一电容20的负极由导线引出所述金属壳体10作为三端电容的负极端，所述第二电容30的正极由导线引出所述金属壳体10作为三端电容的正极端，所述第一电容20的正极连接所述第二电容30的负极后由导线引出所述金属壳体10作为三端电容的接地端。
[0019]本实施例中，所述三端电容的正极端、负极端及接地端均由金属壳体10的一侧面102引出，所述第一电容20的正负极及第二电容30的正负极均朝向所述侧面102。而且，所述第一电容20的正负极及第二电容30的正负极与金属壳体10的侧面102之间填充有绝缘材料40。本实施例中，所述绝缘材料40为橡皮。
[0020]本实施例中，所述第一电容20的正极与所述第二电容30的负极相对设置，即所述第一电容20与第二电容30相对的两极极性相反，这样方便三端电容的正极端、负极端及接地端的引出导线的走线；当然，所述第一电容20的正极与所述第二电容30的正极相对设置，即所述第一电容20与第二电容30相对的两极极性相同。
[0021]请参阅图2，图2为本实用新型单壳双体三端电容第二实施例的结构示意图。本实施例中，所述第一电容、第二电容均为瓷片电容。所述单壳双体三端电容包括一金属壳体10’及收容于所述金属壳体10’内的第一电容20’、第二电容30’，所述第一电容20’的负极由导线引出所述金属壳体10’作为三端电容的负极端，所述第二电容30’的正极由导线引出所述金属壳体10’作为三端电容的正极端，所述第一电容20’的正极连接所述第二电容30’的负极后由导线引出所述金属壳体10’作为三端电容的接地端。
[0022]本实施例中，所述三端电容的正极端、负极端及接地端均由金属壳体10’的一侧面102’引出，所述第一电容20’的正负极及第二电容30’的正负极均朝向所述侧面102’。而且，所述第一电容20’的正负极及第二电容30’的正负极与金属壳体10’的侧面102’之间填充有绝缘材料40 ’。本实施例中，所述绝缘材料40 ’为橡皮。
[0023]本实施例中，所述第一电容20’的正极与所述第二电容30’的负极相对设置，即所述第一电容20’与第二电容30’相对的两极极性相反，这样方便三端电容的正极端、负极端及接地端的引出导线的走线；当然，所述第一电容20’的正极与所述第二电容30’的正极相对设置，即所述第一电容20’与第二电容30’相对的两极极性相同。
[0024]需要说明的是，本实用新型中第一电容及第二电容不局限于电解电容及瓷片电容，还可以为固体电容等其他种类的电容。
[0025]另外，本实用新型还提供一种包括上述单壳双体三端电容的电源电路。
[0026]相比于现有技术，本实用新型通过设置金属壳体对电容起到波导管屏蔽的作用，减少了正负电源受到外界射频的干扰，提高了电源的纯净度，从而提高了数码音视频的品质。
[0027]这里本实用新型的描述和应用是说明性的，并非想将本实用新型的范围限制在上述实施例中。这里所披露的实施例的变形和改变是可能的，对于那些本领域的普通技术人员来说实施例的替换和等效的各种部件是公知的。本领域技术人员应该清楚的是，在不脱离本实用新型的精神或本质特征的情况下，本实用新型可以以其它形式、结构、布置、比例，以及用其它组件、材料和部件来实现。在不脱离本实用新型范围和精神的情况下，可以对这里所披露的实施例进行其它变形和改变。
【主权项】
1.一种单壳双体三端电容，其特征在于，其包括一金属壳体及收容于所述金属壳体内的第一电容、第二电容，所述第一电容的负极由导线引出所述金属壳体作为三端电容的负极端，所述第二电容的正极由导线引出所述金属壳体作为三端电容的正极端，所述第一电容的正极连接所述第二电容的负极后由导线引出所述金属壳体作为三端电容的接地端。
2.根据权利要求1所述的单壳双体三端电容，其特征在于，所述三端电容的正极端、负极端及接地端均由金属壳体的一侧面引出，所述第一电容的正负极及第二电容的正负极均朝向所述侧面。
3.根据权利要求2所述的单壳双体三端电容，其特征在于，所述第一电容的正负极及第二电容的正负极与金属壳体的侧面之间填充有绝缘材料。
4.根据权利要求3所述的单壳双体三端电容，其特征在于，所述绝缘材料为橡皮。
5.根据权利要求4所述的单壳双体三端电容，其特征在于，所述第一电容的正极与所述第二电容的负极相对设置。
6.根据权利要求1所述的单壳双体三端电容，其特征在于，所述第一电容及第二电容均为同种电容，所述同种电容包括但不局限于电解电容及瓷片电容。
7.一种电源电路，其特征在于，所述电源电路包括如权利要求1-6任一项所述的单壳双体三端电容。
【专利摘要】本实用新型提供一种单壳双体三端电容及电源电路，所述单壳双体三端电容包括一金属壳体及收容于所述金属壳体内的第一电容、第二电容，所述第一电容的负极由导线引出所述金属壳体作为三端电容的负极端，所述第二电容的正极由导线引出所述金属壳体作为三端电容的正极端，所述第一电容的正极连接所述第二电容的负极后由导线引出所述金属壳体作为三端电容的接地端。本实用新型通过设置金属壳体对电容起到波导管屏蔽的作用，减少了正负电源受到外界射频的干扰，提高了电源的纯净度，从而提高了数码音视频的品质。
【IPC分类】H01G2-22
【公开号】CN204390911
【申请号】CN201520148851
【发明人】陈坚胜
【申请人】陈坚胜
【公开日】2015年6月10日
【申请日】2015年3月17日