一种存储器的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及存储器技术。
【背景技术】
[0002]通常的存储器，如包含有源存储单元电路的随机存储器、只读存储器和闪存，包含无源存储单元电路的电阻存储器，相变存储器等存储器，是制造在整块单晶硅基片上的，其存储单元电路、驱动电路、外围电路等都位于一个单晶硅基片上。如中国专利申请号为“92109280.6”所公开的一种掩膜只读存储器，中国专利申请号为“201010175802.8”所公开的多层交叉点电阻存储器及制造方法等都是电路集成在一个单晶硅基片上，这样虽然较易制作，但是将耗用较大面积的单晶硅基片，成本较高。
[0003]而如中国专利申请号为“97107683.9”所公开的组合基片只读存储器及其制造方法，其为包含无源存储单元电路的存储器，结构如图1所示，截面图如图2所示，组合基片只读存储器，具有第一单晶硅基片5、第二单晶硅基片5和绝缘基片4，以及位于第一单晶硅基片5上的字线驱动电路及字线驱动外围电路(第一电路单元6)，位于第二单晶硅基片5上的位线驱动电路及位线驱动外围电路(第二电路单元6)，位于所述绝缘基片4上的无源存储单元矩阵电路1，所述绝缘基片4的两个相邻侧面分别与所述第一单晶硅基片5的一个侧面和所述第二单晶硅基片5的一个侧面结合，字线驱动电路及位线驱动电路(电路单元6)通过引线排2分别连接无源存储单元矩阵电路I中的金属字线及金属位线。第一单晶硅基片5、字线驱动电路及字线驱动外围电路(第一电路单元6)组成的字线控制部分可称为第一控制芯片，第二单晶硅基片5、位线驱动电路及位线驱动外围电路(第二电路单元6)组成的位线控制部分可称为第二控制芯片。其虽然无源存储单元矩阵电路下方不占用单晶硅基片，但是由于需要将绝缘基片4的两个相邻侧面分别与所述第一单晶硅基片5的一个侧面和所述第二单晶硅基片5的一个侧面结合，而由于分为第一单晶硅基片5和第二单晶硅基片5后，每个单晶硅基片5则为长条形的基片，其侧面较窄，绝缘基片4的侧面也相对于其上下面较窄，将单晶硅基片5的侧面与绝缘基片4的侧面相结合制作较为困难。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型的目的是要克服包含无源存储单元电路的存储器耗用较大面积的单晶硅基片，而组合基片只读存储器制作困难的缺点，提供一种存储器。
[0005]本实用新型解决其技术问题，采用的技术方案是，一种存储器，包括绝缘基片、无源存储单元矩阵电路、引线排及至少一个控制芯片，无源存储单元矩阵电路和引线排在绝缘基片上表面，控制芯片通过引线排与无源存储单元矩阵电路连接，其特征在于，所述控制芯片倒装在绝缘基片上表面。
[0006]具体的，所述控制芯片包括单晶硅基片及电路单元，所述电路单元设置在单晶硅基片上，电路单元通过引线排与无源存储单元矩阵电路连接。
[0007]进一步的，所述控制芯片倒装在绝缘材料基片上表面是指:控制芯片的电路单元与绝缘基片上表面相接触。
[0008]具体的，所述无源存储单元矩阵电路包括金属字线、金属位线及金属字线与金属位线之间的导电材料，所述金属字线及金属位线分别与引线排连接。
[0009]再进一步的，所述引线排为金属引线排。
[0010]具体的，所述绝缘基片为塑料基片。
[0011]再进一步的，所述绝缘基片为玻璃基片。
[0012]在本实用新型方案中，由于无源存储单元矩阵电路和无源存储单元矩阵电路延长线在绝缘材料基片上表面，不占用单晶硅基片，其可以节省大量单晶硅基片，控制芯片倒装在绝缘材料基片上表面，制造比较容易。
【附图说明】
[0013]图1是现有组合基片只读存储器的结构示意图。
[0014]图2是现有组合基片只读存储器的截面示意图。
[0015]图3是本实用新型实施例中存储器的结构示意图。
[0016]图4是本实用新型实施例中存储器的截面示意图。
[0017]图5是本实用新型另一实施例中存储器的结构示意图。
[0018]其中，I为无源存储单元矩阵电路，2为引线排，3为控制芯片，4为绝缘基片，5为单晶娃基片，6为电路单兀。
【具体实施方式】
[0019]下面结合实施例及附图，详细描述本实用新型的技术方案。
[0020]本实用新型的存储器，由至少一个控制芯片3及位于绝缘基片4上的无源存储单元矩阵电路I以及引线排2组成，与现有技术不同在于，控制芯片3倒装在绝缘基片4上并通过引线排2与无源存储单元矩阵电路I连接。
[0021]实施例
[0022]本实用新型实施例的存储器的结构示意图如图3，其截面示意图如图4。该存储器由两个控制芯片3及位于绝缘基片4上的无源存储单元矩阵电路I和引线排2组成。
[0023]与现有技术相同，无源存储单元矩阵电路I和引线排2位于绝缘基片4上，无源存储单元矩阵电路I包括金属字线、金属位线及金属字线与金属位线之间的导电材料，金属字线及金属位线分别与引线排2连接，控制芯片3包括单晶硅基片5及电路单元6，电路单元6设置在单晶硅基片5上，电路单元6通过引线排2与无源存储单元矩阵电路I连接。这里的电路单元6可以包括字线驱动电路和/或位线驱动电路及相应的外围电路等，引线排2可以为金属引线排，绝缘基片4为塑料基片或玻璃基片。
[0024]与现有技术不同在于，控制芯片3倒装在绝缘基片4上表面，即电路单元6与绝缘基片4上表面相接触，也就是说，若以绝缘基片4为底，则绝缘基片4在最下方，电路单元6在绝缘基片4上表面，电路单元6上方为单晶硅基片5，电路单元6通过引线排2与无源存储单元矩阵电路I连接。
[0025]当然，控制芯片3也可以为一个，其结构示意图可以如图5所示但并不限于图5所示的形状及排版方式，只需要达到无源存储单元矩阵电路I和引线排2位于绝缘基片4上，控制芯片3倒装在绝缘基片4上表面，并通过引线排2与无源存储单元矩阵电路I连接即可。
[0026]由于制作无源存储单元矩阵电路I及制作控制芯片3的方法均属于现有技术，因此此处不再详述。
[0027]由于本实用新型在绝缘基片4上制作无源存储单元矩阵电路1，在单晶硅基片5上制作控制芯片3，最后将制作完成的控制芯片3固定在绝缘基片4上，这样就避免了现有技术中控制芯片3中的单晶硅基片5较窄的侧面与绝缘基片4较窄的侧面结合相对麻烦的问题。
【主权项】
1.一种存储器，包括绝缘基片、无源存储单元矩阵电路、引线排及至少一个控制芯片，无源存储单元矩阵电路和引线排在绝缘基片上表面，控制芯片通过引线排与无源存储单元矩阵电路连接，其特征在于，所述控制芯片倒装在绝缘基片上表面。
2.如权利要求1所述的一种存储器，其特征在于，所述控制芯片包括单晶硅基片及电路单元，所述电路单元设置在单晶硅基片上，电路单元通过引线排与无源存储单元矩阵电路连接。
3.如权利要求1所述的一种存储器，其特征在于，所述无源存储单元矩阵电路包括金属字线、金属位线及金属字线与金属位线之间的导电材料，所述金属字线及金属位线分别与引线排连接。
4.如权利要求1所述的一种存储器，其特征在于，所述引线排为金属引线排。
5.如权利要求1或2或3或4所述的一种存储器，其特征在于，所述绝缘基片为塑料基片。
6.如权利要求1或2或3或4所述的一种存储器，其特征在于，所述绝缘基片为玻璃基片。
【专利摘要】本实用新型涉及存储器技术。本实用新型解决了现有包含无源存储单元电路的存储器耗用较大面积的单晶硅基片，而组合基片只读存储器制作困难的问题，提供了一种存储器，其技术方案可概括为：一种存储器，包括绝缘基片、无源存储单元矩阵电路、引线排及至少一个控制芯片，无源存储单元矩阵电路和引线排在绝缘基片上表面，控制芯片通过引线排与无源存储单元矩阵电路连接，所述控制芯片倒装在绝缘基片上表面。本实用新型的有益效果是，制造比较容易，适用于只读存储器。
【IPC分类】H01L25-18
【公开号】CN204538023
【申请号】CN201520276582
【发明人】于翔
【申请人】于翔
【公开日】2015年8月5日
【申请日】2015年4月30日