To-220封装框架的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种适应双台面的双向可控硅封装要求的Τ0-220封装框架。
【背景技术】
[0002]半导体封装技术中，在交流控制电机线路中所用到的高压双向可控硅因其工作的特殊性对正反向电压要求较高，一般要求其内部的电压保证900V?1000V以上，因其高的电压值对于普通封装框架的双向可控硅是达不到的，所以产生了双台面结构的双向可控娃，双台面结构的双向可控娃内部耐压值大于1000V。
[0003]目前，现有的Τ0-220封装框架，如图1所示，将双台面结构的双向可控硅芯片直接焊接在铜基板2上，由于多余的焊料会上翻到芯片上，影响芯片的内压，产品成品率低。
[0004]有鉴于上述的缺陷，本设计人，积极加以研宄创新，以期创设一种Τ0-220封装框架，使其更具有产业上的利用价值。
【实用新型内容】
[0005]为解决上述技术问题，本实用新型的目的是提供一种产品成品率高的Τ0-220封装框架。
[0006]本实用新型的Τ0-220封装框架，包括框架本体，框架本体上设有作为芯片组装区域的铜基板，铜基板上设有一凸于其平面的梯形台面。
[0007]进一步的，所述梯形台面的底部面积略大于其顶部面积。
[0008]进一步的，所述梯形台面的横截面为正方形。
[0009]进一步的，所述梯形台面的斜截面与所述铜基板的平面的夹角为10° -20°。
[0010]进一步的，所述梯形台面与所述铜基板一体成型。
[0011]借由上述方案，本实用新型至少具有以下优点:本实用新型的Τ0-220封装框架，由于在作为芯片组装区域的铜基板上方设有一梯形台面，封装双台面结构的双向可控硅芯片时，双台面结构的可控硅芯片通过高温焊料焊接在梯形台面上时，多余的焊料会通过梯形台面流到铜基板上面，不会上翻到芯片的台面上，保障了芯片的内压，产品的成品率尚O
[0012]上述说明仅是本实用新型技术方案的概述，为了能够更清楚了解本实用新型的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本实用新型的较佳实施例并配合附图详细说明如后。
【附图说明】
[0013]图1是现有的Τ0-220封装框架的结构示意图；
[0014]图2是本实用新型的Τ0-220封装框架的结构示意图；
[0015]图3是本实用新型的Τ0-220封装框架的侧面组装示意图。
【具体实施方式】
[0016]下面结合附图和实施例，对本实用新型的【具体实施方式】作进一步详细描述。以下实施例用于说明本实用新型，但不用来限制本实用新型的范围。
[0017]参见图2，本实用新型一较佳实施例所述的一种T0-220封装框架，包括框架本体1，框架本体I具有双台面的双向可控硅芯片组装区域，该组装区域为一铜基板2，铜基板2的上方冲压成型出一个凸于铜基板平面的铜制梯形台面3，梯形台面3与铜基板的平面的夹角为10° -20。?
[0018]作为优选，所述梯形台面3的横截面为正方形，其底部面积略大于顶部面积，底部边长为3.0mm,顶部边长为2.7mm，高为0.2mm，其斜截面与铜基板2的平面的夹角为15°。
[0019]参见图3，封装双台面结构的双向可控硅芯片4时，将该芯片4通过高温焊料焊接在梯形台面3上，多余的焊料5会从梯形台面3的斜面流到铜基板2上，不会上翻到芯片4上，保障了芯片4的内压，产品的成本率高。
[0020]本实用新型的T0-220封装框架，封装双台面结构的双向可控硅芯片时，采用常规的生产工艺和材料即可组装，工艺步骤简单，成本低，工作效率高；芯片焊接在梯形台面上，多余的焊料会从梯形台面的截面流到铜基板上，焊接时，多余的焊料不会影响芯片的内压，广品的成品率尚。
[0021]以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，并不用于限制本实用新型，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变型，这些改进和变型也应视为本实用新型的保护范围。
【主权项】
1.一种T0-220封装框架，包括框架本体，所述框架本体上设有作为芯片组装区域的铜基板，其特征在于:所述铜基板上设有一凸于其平面的梯形台面。2.根据权利要求1所述的Τ0-220封装框架，其特征在于:所述梯形台面的底部面积略大于其顶部面积。3.根据权利要求1所述的Τ0-220封装框架，其特征在于:所述梯形台面的横截面为正方形。4.根据权利要求1所述的Τ0-220封装框架，其特征在于:所述梯形台面的斜截面与所述铜基板的平面的夹角为10° -20°。5.根据权利要求1所述的Τ0-220封装框架，其特征在于:所述梯形台面与所述铜基板一体成型。
【专利摘要】本实用新型涉及一种产品成品率高的TO-220封装框架，包括框架本体，框架本体上设有作为芯片组装区域的铜基板，铜基板上设有一凸于其平面的梯形台面。本实用新型的TO-220封装框架，由于在作为芯片组装区域的铜基板上方设有一梯形台面，封装双台面结构的双向可控硅芯片时，双台面结构的双向可控硅芯片通过高温焊料焊接在梯形台面上，多余的焊料会通过梯形台面流到铜基板上面，不会上翻到芯片的台面上，保障了芯片的内压，产品的成品率高。本实用新型用于封装双台面结构的双向可控硅芯片。
【IPC分类】H01L23/495
【公开号】CN204651309
【申请号】CN201520245747
【发明人】诸建周, 谈益民
【申请人】无锡罗姆半导体科技有限公司
【公开日】2015年9月16日
【申请日】2015年4月21日