一种实现高密度引脚的引线框架的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及半导体制造工艺领域，具体涉及一种引线框架，尤其涉及一种实现高密度引脚的引线框架。
【背景技术】
[0002]目前，在半导体制造工艺领域，引线框架作为集成电路的芯片载体，是实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接、形成电气回路的关键结构件，它起到了和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成电路中都需要使用引线框架。
[0003]在半导体集成电路中，若要实现功率的控制和输出，功率芯片与控制芯片往往需要封装在同一半导体中。一般来说，控制芯片的管脚数量需求较大；功率芯片对管脚的数量无太大需求，其关注的是管脚的散热及高电流承载能力。
[0004]现有技术中，引线框架在加工时，要求材料厚度较薄才能顺利的蚀刻或冲压出高密度排列的管脚，但是引线框架的厚度往往是参考管脚的散热及高电流承载能力进行选定的。如此，控制芯片的管脚数量受到大大限制，往往需要增加另外的引线框或其他的一些电子元器件，以扩展控制芯片的管脚数量，但是势必会增大产品的制造成本和增大产品的体积。
【实用新型内容】
[0005]本实用新型的目的在于提出一种实现高密度引脚的引线框架，来解决以上技术问题。
[0006]为达此目的，本实用新型采用以下技术方案:
[0007]本实用新型提供一种实现高密度引脚的引线框架，包括:控制芯片框架和功率芯片框架；
[0008]所述控制芯片框架上设置有控制芯片管脚；所述功率芯片框架上设置有功率芯片管脚；
[0009]所述控制芯片框架的厚度小于所述功率芯片框架的厚度。
[0010]优选的，所述控制芯片框架和所述功率芯片框架为分体结构；
[0011]所述控制芯片框架包括用于连接所述功率芯片框架的第一连接端；所述功率芯片框架包括用于连接所述控制芯片框架的第二连接端；
[0012]所述第一连接端与所述第二连接端固定连接。
[0013]优选的，所述第二连接端设置有凹槽；
[0014]所述第一连接端设置于所述凹槽内。
[0015]优选的，所述第一连接端通过铆接、粘接或焊接的方式与所述第二连接端固定连接。
[0016]优选的，所述控制芯片框架的厚度比所述功率芯片框架的厚度小0.1-0.4毫米。
[0017]优选的，所述控制芯片框架的厚度为0.1-0.9毫米。
[0018]优选的，所述控制芯片框架的厚度为0.2毫米，所述功率芯片框架的厚度为0.5毫米。
[0019]优选的，所述控制芯片框架和所述功率芯片框架为一体结构。
[0020]本实用新型的有益效果:引线框架的控制芯片框架部分和功率芯片框架部分选用不同厚度的材料，其中，控制芯片框架采用较薄的材料，以利于蚀刻或冲压出高密度排列的管脚，功率芯片框架采用较厚的材料，以增强散热及高电流承载的能力，如此，既能满足控制芯片的多管脚需求，也能实现功率芯片管脚的散热及高电流承载的能力。
【附图说明】
[0021]图1为本实用新型实施例提供的实现高密度引脚的引线框架的正视图。
[0022]图2为本实用新型实施例提供的实现高密度引脚的引线框架的一种结构的侧视图。
[0023]图3为本实用新型实施例提供的实现高密度引脚的引线框架的另一种结构的侧视图。
[0024]图4为本实用新型实施例提供的实现高密度引脚的引线框架的又一种结构的侧视图。
[0025]图中:10、控制芯片框架；20、功率芯片框架；11、控制芯片管脚；12、控制芯片底座；21、功率芯片管脚；22、功率芯片底座；23、凹槽。
【具体实施方式】
[0026]下面结合附图并通过【具体实施方式】来进一步说明本实用新型的技术方案。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本实用新型，而非对本实用新型的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本实用新型相关的部分而非全部内容。
[0027]下面结合附图并通过【具体实施方式】来进一步说明本实用新型的技术方案。
[0028]请参考图1，图1为本实用新型实施例提供的实现高密度引脚的引线框架的正视图，该引线框架包括:控制芯片框架10和功率芯片框架20。
[0029]控制芯片框架10上设置有控制芯片管脚11和控制芯片底座12 ;功率芯片框架20上设置有功率芯片管脚21和功率芯片底座22。其中，控制芯片框架10的厚度小于功率芯片框架20的厚度。
[0030]控制芯片框架10采用较薄的材料，以利于蚀刻或冲压出高密度排列的管脚，功率芯片框架20采用较厚的材料，以增强散热及高电流承载的能力，如此，既能满足控制芯片的多管脚需求，也能实现功率芯片管脚的散热及高电流承载的能力。
[0031]具体的，控制芯片框架10和功率芯片框架20可采用分体结构，也可采用一体结构。
[0032]请参考图2，图2为本实用新型实施例提供的实现高密度引脚的引线框架的一种结构的侧视图。
[0033]图2中所示的控制芯片框架10和功率芯片框架20采用分体结构。其中，控制芯片框架10包括用于连接功率芯片框架20的第一连接端；功率芯片框架20包括用于连接控制芯片框架10的第二连接端；所述第一连接端与所述第二连接端固定连接。
[0034]其中，所述第一连接端与所述第二连接端通过铆接、粘接或焊接的方式固定连接。
[0035]具体的，所述第一连接端与所述第二连接端固定连接，为了实现引线框架表面的平滑效果或视觉效果，所述第二连接端设置有凹槽23，所述第一连接端设置于凹槽23内，凹槽23的深度和控制芯片框架10的厚度相匹配，以使所述第一连接端和所述第二连接端的连接处保持平滑，实现控制芯片管脚11 一侧的引线框架的表面的平滑效果或视觉效果，即设置凹槽23的深度略大于或等于控制芯片框架10的厚度。请参考图3，图3为本实用新型实施例提供的实现高密度引脚的引线框架的另一种结构的侧视图。图3中所示的控制芯片框架10和功率芯片框架20采用分体结构。其中，所述第一连接端设置于凹槽23内，所述第一连接端与所述第二连接端通过铆接、粘接或焊接的方式固定连接。
[0036]请参考图4，图4为本实用新型实施例提供的实现高密度引脚的引线框架的又一种结构的侧视图。图4中所示的控制芯片框架10和功率芯片框架20采用一体结构。加工引线框架时，使控制芯片框架10变薄，以利于蚀刻或冲压出高密度排列的管脚；功率芯片框架20仍采用较厚的材料，以增强散热及高电流承载的能力。
[0037]一般来说，控制芯片管脚11的数量比功率芯片管脚21的数量要大，实际应用中，不同的产品管脚的数量要求不一样，控制芯片框架10的管脚一般为功率芯片框架20的管脚的1-5倍。
[0038]芯片管脚的密度和引线框架的材料厚度相关。目前，根据现今的半导体加工工艺的技术水平，一般芯片管脚间的最小间距略小或等于引线框架的厚度，如，引线框架的厚度为0.5毫米时，芯片管脚间的最小间距为0.5毫米或略小于0.5毫米。
[0039]具体的，控制芯片框架10的厚度为0.1-0.9毫米。控制芯片框架10的厚度比功率芯片框架20的厚度小0.1-0.4毫米。
[0040]更具体的，控制芯片框架10的厚度为0.2毫米，功率芯片框架20的厚度为0.5毫米，如此设置，控制芯片管脚11的数量可比功率芯片管脚21的数量大2倍以上，可满足目前大多数功率模块半导体的需求。
[0041]具体的，引线框架采用铜合金材料。铜合金材料具有导电导热率高、覆镀性好、价格低廉等诸多优势。
[0042]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种实现高密度引脚的引线框架，其特征在于，包括；控制芯片框架和功率芯片框架； 所述控制芯片框架上设置有控制芯片管脚；所述功率芯片框架上设置有功率芯片管脚； 所述控制芯片框架的厚度小于所述功率芯片框架的厚度。2.根据权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述控制芯片框架和所述功率芯片框架为分体结构； 所述控制芯片框架包括用于连接所述功率芯片框架的第一连接端；所述功率芯片框架包括用于连接所述控制芯片框架的第二连接端； 所述第一连接端与所述第二连接端固定连接。3.根据权利要求2所述的引线框架，其特征在于，所述第二连接端设置有凹槽； 所述第一连接端设置于所述凹槽内。4.根据权利要求2所述的引线框架，其特征在于，所述第一连接端通过铆接、粘接或焊接的方式与所述第二连接端固定连接。5.根据权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述控制芯片框架的厚度比所述功率芯片框架的厚度小0.1-0.4毫米。6.根据权利要求5所述的引线框架，其特征在于，所述控制芯片框架的厚度为0.1-0.9毫米。7.根据权利要求6所述的引线框架，其特征在于，所述控制芯片框架的厚度为0.2毫米，所述功率芯片框架的厚度为0.5毫米。8.根据权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述控制芯片框架和所述功率芯片框架为一体结构。
【专利摘要】本实用新型公开了一种实现高密度引脚的引线框架，包括控制芯片框架和功率芯片框架，所述控制芯片框架上设置有控制芯片管脚，所述功率芯片框架上设置有功率芯片管脚，所述控制芯片框架的厚度小于所述功率芯片框架的厚度。引线框架的控制芯片框架部分和功率芯片框架部分选用不同厚度的材料，既能满足控制芯片的多管脚需求，也能实现功率芯片管脚的散热及高电流承载的能力。
【IPC分类】H01L23/495
【公开号】CN204651308
【申请号】CN201520243784
【发明人】曹周
【申请人】杰群电子科技（东莞）有限公司
【公开日】2015年9月16日
【申请日】2015年4月21日