高温高压安规电容器的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及电容器。
【背景技术】
[0002]薄膜电容器是以金属箔当电极，将其和聚乙酯，聚丙烯，聚苯乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜，从两端重叠后，卷绕成圆筒状的构造之电容器。薄膜介质由于紧密叠加的关系，在工作过程中相邻的薄膜层温度容易积蓄在一起，造成薄膜层升温过快，导致耐压性能降低。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型提供了高温高压安规电容器，解决薄膜介质升温过快，导致耐压性能降低的技术问题。
[0004]为解决上述技术问题，本实用新型采用如下技术方案:
[0005]高温高压安规电容器，包括电容器芯体，所述电容器芯体由金属化薄膜卷曲而成，所述金属化薄膜包括基层薄膜和金属极板，所述金属极板为镀蒸在基层薄膜上的金属镀层，所述基层薄膜的一端设有无金属镀层的留边，相邻叠加的金属化薄膜上的留边设在不同侧，所述金属镀层上设有若干根金属凸条。
[0006]作为优选的方案，所述金属凸条之间的间距为A，A的数值为I?2mm。
[0007]进一步的优选方案，所述金属镀层为镀锌层。
[0008]作为优选的方案，所述基层薄膜为聚丙烯薄膜。
[0009]本实用新型的有益效果为:
[0010]通过在金属镀层上设置若干根金属凸条，金属化薄膜的基层薄膜和金属镀层之间留出了空隙，防止相邻的金属化薄膜温度积蓄在一起，从而降低升温速度，提高了耐热性能和耐压性能，该电容器使用温度范围能达到-40°C?+110°C，耐电压由原来2.0UR提高到了
2.5UR，基层薄膜介质损耗小、并随温度和频率变化也比较小，同时具有较高的击穿强度，并有优异的自愈性能，能承受浪涌电压冲击，在瞬间大电流的冲击下不会直接短路，从而增加了电容器的可靠性。
【附图说明】
[0011]以下结合附图和【具体实施方式】对本实用新型进行进一步描述:
[0012]图1是本实用新型高温高压安规电容器的结构示意图。
【具体实施方式】
[0013]下面结合附图对本实用新型的【具体实施方式】作详细说明。
[0014]如图1所示，高温高压安规电容器，包括电容器芯体，电容器芯体由金属化薄膜卷曲而成，金属化薄膜包括基层薄膜I和金属极板，基层薄膜I为聚丙烯薄膜，金属极板为镀蒸在基层薄膜I上的金属镀层2，金属镀层2为镀锌层，基层薄膜I的一端设有无金属镀层2的留边，相邻叠加的金属化薄膜上的留边设在不同侧，金属镀层2上设有若干根金属凸条
3。金属凸条之间的间距为A，A的数值为I?2mm，A的竖直不宜过大，否则会导致基层薄膜和金属镀层接触面积过小的问题，适应取I?2_的数值。
[0015]通过在金属镀层上设置若干根金属凸条，金属化薄膜的基层薄膜和金属镀层之间留出了空隙，防止相邻的金属化薄膜温度积蓄在一起，从而降低升温速度，提高了耐热性能和耐压性能。
[0016]本实用新型高温高压安规电容器使用温度范围能达到-40°C?+110°C，耐电压由原来2.0UR提高到了 2.5UR，高温高频损耗小，内部温升低，基层薄膜介质损耗小、并随温度和频率变化也比较小，同时具有较高的击穿强度，并有优异的自愈性能，能承受浪涌电压冲击，在瞬间大电流的冲击下不会直接短路，从而增加了电容器的可靠性，适用于100?240Vac电源串联的电容降压电路场合，如电表、LED模块等。
[0017]以上就本实用新型较佳的实施例做了说明，但不能理解为是对权力要求的限制。本实用新型不仅局限于以上实施例，其具体结构允许有变化，本领域技术人员可以根据本实用新型作出各种改变和变形，只要不脱离本实用新型的精神，均属于本实用新型所附权利要求所定义的范围。
【主权项】
1.高温高压安规电容器，包括电容器芯体，所述电容器芯体由金属化薄膜卷曲而成，所述金属化薄膜包括基层薄膜和金属极板，所述金属极板为镀蒸在基层薄膜上的金属镀层，其特征在于:所述基层薄膜的一端设有无金属镀层的留边，相邻叠加的金属化薄膜上的留边设在不同侧，所述金属镀层上设有若干根金属凸条。2.根据权利要求1所述的高温高压安规电容器，其特征在于:所述金属凸条之间的间距为A，A的数值为I?2mm。3.根据权利要求2所述的高温高压安规电容器，其特征在于:所述金属镀层为镀锌层。4.根据权利要求1所述的高温高压安规电容器，其特征在于:所述基层薄膜为聚丙烯薄膜。
【专利摘要】本实用新型公开了高温高压安规电容器，属于半导体器件技术领域，解决了薄膜介质升温过快，导致耐压性能降低的技术问题，本实用新型高温高压安规电容器，包括电容器芯体，所述电容器芯体由金属化薄膜卷曲而成，所述金属化薄膜包括基层薄膜和金属极板，所述金属极板为镀蒸在基层薄膜上的金属镀层，所述基层薄膜的一端设有无金属镀层的留边，相邻叠加的金属化薄膜上的留边设在不同侧，所述金属镀层上设有若干根金属凸条。
【IPC分类】H01G4/33, H01G2/14, H01G4/002
【公开号】CN204668161
【申请号】CN201520299368
【发明人】刘金宝, 柯云, 李超超, 郑美
【申请人】长兴华强电子有限公司
【公开日】2015年9月23日
【申请日】2015年5月10日