Led芯片的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及半导体芯片领域，尤其涉及一种LED芯片。
【背景技术】
[0002]发光二极管(LED，light emitting d1de)被称为第四代光源，具有节能、环保、安全、寿命长、低功耗、低热、高亮度、防水、微型、防震、易调光、光束集中、维护简便等特点，可以广泛应用于各种指示、显示、装饰、背光源、普通照明等领域。
[0003]随着技术的发展，人们对LED芯片的亮度要求越来越高。常用的LED芯片为追求亮度高，版型设计主要以P电极加上单引脚，透明导电层设计非常薄。这样就导致LED芯片抗静电能力(ESD)介于2500V-4000V(也就是人体模式)，这样的LED芯片抗静电能力较弱，封装应用存在失效风险。
【发明内容】
[0004]本实用新型的目的在于提供一种LED芯片，其具有较好的抗静电能力、更高的可靠性。
[0005]为了解决上述技术问题，本实用新型一实施方式的LED芯片，包括:衬底；
[0006]设置于所述衬底上的N型半导体层和P型半导体层；
[0007]设置于所述N型半导体层和所述P型半导体层之间的发光层；
[0008]与所述N型半导体层相连的N型电极；
[0009]与所述P型半导体层相连的P型电极；
[0010]以及设置于所述P型半导体层上的电流阻挡层；所述P型电极位于所述电流阻挡层上，所述P型电极连接有电极引脚；其特征在于，所述电极引脚远离所述P型电极的一端连接有截止引脚。
[0011]作为本实用新型一实施方式的进一步改进，所述截止引脚为一字形、弧形或一字形和弧形的组合。
[0012]作为本实用新型一实施方式的进一步改进，所述截止引脚为弧形，所述弧形所在圆的圆心位于靠近所述P型电极的一侧。
[0013]作为本实用新型一实施方式的进一步改进，所述电流阻挡层在所述衬底上的形状与所述P型电极、电极引脚和截止引脚共同形成的电极在所述衬底上的形状相同。
[0014]作为本实用新型一实施方式的进一步改进，所述电流阻挡层在所述衬底上的面积大于所述P型电极、电极引脚和截止引脚共同形成的电极在所述衬底上的面积。
[0015]作为本实用新型一实施方式的进一步改进，所述弧形所在圆的圆心位于所述电极引脚上。
[0016]作为本实用新型一实施方式的进一步改进，所述衬底为蓝宝石衬底。
[0017]作为本实用新型一实施方式的进一步改进，所述P型半导体层为P形GaN，所述N型半导体层为N型GaN。
[0018]与现有技术相比，本申请的LED芯片在P电极引脚的端部设置截至引脚来增加该LED芯片的抗静电能力，从而使该LED芯片具有更高的可靠度。
【附图说明】
[0019]图1为本实用新型实施例1的LED芯片的侧剖示意图。
[0020]图2为本实用新型实施例1的LED芯片的俯视示意图。
[0021]图3为本实用新型实施例2的LED芯片的俯视示意图。
[0022]图4为本实用新型的实施例3的LED芯片制造流程图。
[0023]图5~8为LED芯片制造过程中的结构示意图。
【具体实施方式】
[0024]以下将结合附图所示的【具体实施方式】对本实用新型进行详细描述。但这些实施方式并不限制本实用新型，本领域的普通技术人员根据这些实施方式所做出的结构、方法、或功能上的变换均包含在本实用新型的保护范围内。
[0025]实施例1
[0026]如图1和图2所示，本实施例1提供一种LED芯片。该LED芯片包括:衬底110，设置于衬底I1上的N型半导体层120和P型半导体层140，设置于N型半导体层120和P型半导体层140之间的发光层130，与N型半导体层120相连的N型电极170，与P型半导体层140相连的P型电极160，以及设置于P型半导体层140上的电流阻挡层180和透明导电层150。其中，P型电极160位于电流阻挡层180上，也位于透明导电层150上。P型电极160连接有电极引脚161。在该实施例中，P型电极160为圆形，电极引脚161为长方形。
[0027]该LED芯片的衬底110包括上表面和下表面，其材质可为蓝宝石、S1、SiC、GaN、ZnO等。此处衬底110为蓝宝石衬底。
[0028]N型半导体层120可通过MOCVD (金属有机化合物化学气相淀积，Metal-organicChemical Vapor Deposit1n)方法在衬底110的上表面形成，其材质可为N型为半导体材料，此处为N型GaN。
[0029]发光层130设置于N型半导体层120的上方，其材质可为GaN、InGaN等。
[0030]P型半导体层140设置于发光层130的上方，其材质可为P型半导体材料，此处为P 型 GaN。
[0031]电流阻挡层180的材质可以为二氧化硅、氮化硅、二氧化钛、三氧化二钛、五氧化三钛、五氧化二钽、氧化锆等，在该实施例中，电流阻挡层180的材质为二氧化硅。
[0032]如图2所示，与P型电极160连接的电极引脚161呈直线形，电极引脚161远离P型电极160的一端连接有截止引脚162。截止引脚162可以为一字形、弧形或一字形和弧形的组合，当然也可以为其它合适的形状。在该实施例中，截止引脚162为弧形。
[0033]截止引脚162的弧形所在圆的圆心位于靠近P型电极160的一侧。更具体的，弧形所在圆的圆心位于电极引脚161上，弧形以电极引脚161所在直线为对称轴对称设置。
[0034]电流阻挡层180位于P型电极160的正下方，电流阻挡层180在衬底110上的形状与P型电极160、电极引脚161和截止引脚162共同形成的电极在衬底110上的形状相同。也就是说，如图1所示，顶视图中，电流阻挡层180的形状与P型电极160、电极引脚161和截止引脚162共同形成的电极形状相同。电流阻挡层180在衬底110上的面积大于P型电极160、电极引脚161和截止引脚162共同形成的电极在衬底110上的面积。图1中可以看得P型电极160、电极引脚161和截止引脚162共同形成的形状无法全部遮挡电流阻挡层180。
[0035]LED芯片为追求亮度高，版型设计主要采用P型电极160加上电极引脚161的形式。并且透明导电层180设计的非常薄。这样的LED芯片抗静电能力(ESD)介于250