低热阻高散热超薄型led灯的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及LED灯领域技术，尤其是指一种低热阻高散热超薄型LED灯。
【背景技术】
[0002]LED灯具有能耗小、聚光效果佳、反应速度快、可承受高冲击力、使用寿命长、环保等优点，因此，其广泛应用于照明行业。
[0003]现有技术中，LED灯包括有LED支架及LED芯片，其LED支架包括有绝缘座以及由该绝缘座固定的金属支架，其绝缘座上设置有容置凹腔，前述LED芯片收纳于容置凹腔中；其金属支架包括有多个导电端子，每个导电端子均具有固晶部和焊脚部，其固晶部埋设于绝缘座内并其上表面露于容置凹腔底部，其焊脚部自绝缘座侧面伸出并弯折至绝缘座底部；其存在热阻大、散热性能欠佳等缺陷，同时，其LED支架整体厚度较厚，局限了 LED产品的设计应用。
[0004]因此，需要研究出一种新的技术方案来解决上述问题。
【实用新型内容】
[0005]有鉴于此，本实用新型针对现有技术存在之缺失，其主要目的是提供一种低热阻高散热超薄型LED灯，其热阻更小且散热面积更大，提高了 LED灯的散热效果，同时，LED灯整体可以做得更薄，适用于微型、薄型化产品上。
[0006]为实现上述目的，本实用新型采用如下之技术方案:
[0007]—种低热阻高散热超薄型LED灯，包括有LED支架及LED芯片，该LED支架包括有绝缘座和金属支架，该绝缘座上设置有容置凹腔，前述LED芯片收纳于容置凹腔中，该金属支架包括有至少两个导电端子，每个导电端子均具有伸入容置凹腔内的连接部和露于绝缘座外的焊接部，相邻连接部之间形成有间隔槽，每个连接部上开设有定位孔，前述绝缘座镶嵌成型固定于金属支架上，绝缘座底部过胶式穿过间隔槽及各定位孔，连接部的顶面露于容置凹腔底部，连接部的底面露于绝缘座底面。
[0008]作为一种优选方案，所述绝缘座底部的底面与连接部的底面齐平。
[0009]作为一种优选方案，所述定位孔为台阶孔结构，其包括有上下正对的第一孔段和第二孔段，该第一孔段的孔开口尺寸小于第二孔段的孔开口尺寸，该第二孔段的顶面形成有限位台阶面，绝缘座的过胶处受限于该限位台阶面。
[0010]作为一种优选方案，所述间隔槽所对应的相邻连接部侧面呈台阶结构，其侧面包括有第一竖向面、第二竖向面及连接于第一、二竖向面之间的横向台阶面，前述绝缘座的相应过胶处受限于横向台阶面。
[0011]作为一种优选方案，所述容置凹腔底面至绝缘座底面的厚度与连接部的厚度相等。
[0012]作为一种优选方案，所述导电端子呈平板状结构，其焊接部水平伸出绝缘座侧面，以及，该导电端子的连接部底面及焊接部底面均形成可供焊接的连接面。
[0013]作为一种优选方案，所述连接部的周侧面往外凸设有限位凸缘，限位凸缘裹设于绝缘座内，绝缘座分别限位于限位凸缘的顶、底端面。
[0014]本实用新型与现有技术相比具有明显的优点和有益效果，具体而言，由上述技术方案可知，其主要是通过将导电端子的连接部底面直接露于绝缘座底面，其容置凹腔底部的厚度相当于导电端子的厚度，容置凹腔底部的厚度得到了减薄，直接经导电端子外露散热，其热阻更小且散热面积更大，提高了 LED灯的散热效果，同时，LED灯整体可以做得更薄，适用于微型、薄型化产品上。
[0015]为更清楚地阐述本实用新型的结构特征和功效，下面结合附图与具体实施例来对本实用新型进行详细说明。
【附图说明】
[0016]图1是本实用新型之实施例中LED支架的正向视图；
[0017]图2是本实用新型之实施例中LED支架的背向透视图(未示LED芯片)；
[0018]图3是图2中M-M处截面结构示意图(未示LED芯片)；
[0019]图4是图2中N-N处截面结构示意图(未示LED芯片)；
[0020]图5是本实用新型之实施例中金属支架的截面结构示意图。
[0021]附图标识说明:
[0022]10、LED 支架
[0023]11、绝缘座111、容置凹腔
[0024]12、金属支架1201、导电端子
[0025]121、连接部122、焊接部
[0026]123、定位孔1231、第一孔段
[0027]1232、第二孔段1233、限位台阶面
[0028]124、间隔槽1241、第一竖向面
[0029]1242、第二竖向面1243、横向台阶面
[0030]125、限位凸缘
[0031]20、LED 芯片。
【具体实施方式】
[0032]请参照图1至图5所示，其显示出了本实用新型之实施例的具体结构，其包括有LED支架10及LED芯片20，该LED支架10包括有绝缘座11和金属支架12，该绝缘座11上设置有容置凹腔111，前述LED芯片20收纳于容置凹腔111中。
[0033]如图5所示，该金属支架12包括有至少两个导电端子1201，每个导电端子1201均具有伸入容置凹腔111内的连接部121和露于绝缘座11外的焊接部122，相邻连接部121之间形成有间隔槽124，每个连接部121上开设有定位孔123。
[0034]如图3所示，前述绝缘座11镶嵌成型固定于金属支架12上，绝缘座11底部过胶式穿过间隔槽124及各定位孔123，连接部121的顶面露于容置凹腔111底部，连接部121的底面露于绝缘座11底面，且所述绝缘座11底部的底面与连接部121的底面齐平；此处，所述定位孔123为台阶孔结构，其包括有上下正对的第一孔段1231和第二孔段1232，该第一孔段1231的孔开口尺寸小于第二孔段1232的孔开口尺寸，该第二孔段1232的顶面形成有限位台阶面1233，绝缘座11的过胶处受限于该限位台阶面1233 ;所述间隔槽124所对应的相邻连接部121侧面呈台阶结构，其侧面包括有第一竖向面1241、第二竖向面1242及连接于第一竖向面1241、第二竖向面1242之间的横向台阶面1243，前述绝缘座11的相应过胶处受限于横向台阶面1243。
[0035]如图4所示，所述连接部121的周侧面往外凸设有限位凸缘125，限位凸缘125裹设于绝缘座11内，绝缘座11分别限位于限位凸缘125的顶、底端面。
[0036]本实施例中，所述导电端子1201呈平板状结构，其焊接部122水平伸出绝缘座11侧面，以及，该导电端子1201的连接部121底面及焊接部122底面均形成可供焊接的连接面；前述容置凹腔111底面至绝缘座11底面的厚度与连接部121的厚度相等，减少了传统技术中LED灯的厚度。
[0037]本实用新型的设计重点在于，其主要是通过将导电端子的连接部底面直接露于绝缘座底面，其容置凹腔底部的厚度相当于导电端子的厚度，容置凹腔底部的厚度得到了减薄，直接经导电端子外露散热，其热阻更小且散热面积更大，提高了 LED灯的散热效果，同时，LED灯整体可以做得更薄，适用于微型、薄型化产品上。
[0038]以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型的技术范围作任何限制，故凡是依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何细微修改、等同变化与修饰，均仍属于本实用新型技术方案的范围内。
【主权项】
1.一种低热阻高散热超薄型LED灯，其特征在于:包括有LED支架及LED芯片，该LED支架包括有绝缘座和金属支架，该绝缘座上设置有容置凹腔，前述LED芯片收纳于容置凹腔中，该金属支架包括有至少两个导电端子，每个导电端子均具有伸入容置凹腔内的连接部和露于绝缘座外的焊接部，相邻连接部之间形成有间隔槽，每个连接部上开设有定位孔，前述绝缘座镶嵌成型固定于金属支架上，绝缘座底部过胶式穿过间隔槽及各定位孔，连接部的顶面露于容置凹腔底部，连接部的底面露于绝缘座底面。2.根据权利要求1所述的低热阻高散热超薄型LED灯，其特征在于:所述绝缘座底部的底面与连接部的底面齐平。3.根据权利要求1所述的低热阻高散热超薄型LED灯，其特征在于:所述定位孔为台阶孔结构，其包括有上下正对的第一孔段和第二孔段，该第一孔段的孔开口尺寸小于第二孔段的孔开口尺寸，该第二孔段的顶面形成有限位台阶面，绝缘座的过胶处受限于该限位台阶面。4.根据权利要求1所述的低热阻高散热超薄型LED灯，其特征在于:所述间隔槽所对应的相邻连接部侧面呈台阶结构，其侧面包括有第一竖向面、第二竖向面及连接于第一、二竖向面之间的横向台阶面，前述绝缘座的相应过胶处受限于横向台阶面。5.根据权利要求1所述的低热阻高散热超薄型LED灯，其特征在于:所述容置凹腔底面至绝缘座底面的厚度与连接部的厚度相等。6.根据权利要求1至5中任何一项所述的低热阻高散热超薄型LED灯，其特征在于:所述导电端子呈平板状结构，其焊接部水平伸出绝缘座侧面，以及，该导电端子的连接部底面及焊接部底面均形成可供焊接的连接面。7.根据权利要求2所述的低热阻高散热超薄型LED灯，其特征在于:所述连接部的周侧面往外凸设有限位凸缘，限位凸缘裹设于绝缘座内，绝缘座分别限位于限位凸缘的顶、底端面。
【专利摘要】本实用新型公开一种低热阻高散热超薄型LED灯，包括LED支架及LED芯片，LED支架包括绝缘座和金属支架，绝缘座上设置有收纳LED芯片的容置凹腔，金属支架包括导电端子，各导电端子均具有伸入容置凹腔内的连接部和露于绝缘座外的焊接部，相邻连接部之间形成有间隔槽，每个连接部上开设有定位孔，绝缘座镶嵌成型固定于金属支架上，绝缘座底部过胶式穿过间隔槽及各定位孔，连接部的顶面露于容置凹腔底部，连接部的底面露于绝缘座底面；藉此，其容置凹腔底部的厚度相当于导电端子的厚度，容置凹腔底部的厚度得到了减薄，直接经导电端子外露散热，其热阻更小且散热面积更大，提高了LED灯的散热效果，同时，LED灯整体可以做得更薄，适用于微型、薄型化产品上。
【IPC分类】H01L33/52, H01L33/64
【公开号】CN204732446
【申请号】CN201520352410
【发明人】何懿德
【申请人】深圳市长浩光电科技有限公司
【公开日】2015年10月28日
【申请日】2015年5月28日