一种方管式三极管的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种三极管，尤其涉及一种方管式三极管。
【背景技术】
[0002]三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种电流控制电流的半导体器件.其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
[0003]目前的三极管的接线端均为圆管，不能够满足一些特殊的使用场合，且圆管形的接线端散热性能差，降低了三极管的使用寿命。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型的目的是为了克服现有技术的不足，提供了一种方管式三极管，能够提高三极管的散热性能，增强其使用寿命。
[0005]本实用新型是通过以下技术方案实现:
[0006]—种方管式三极管，包括三极管壳体，所述三极管壳体呈长方体状，在三极管壳体的上端设置有安装壳体，在所述安装壳体的中间位置贯穿设置有通孔，所述三极管壳体的下端安装有三根接线端杆，分别为集电极端杆、发射集端杆以及基极端杆，所述集电极端杆、发射集端杆和基极端杆均为方形，且可拆卸安装在三极管壳体的下端，在所述三极管壳体的左侧端面到右侧端面上开设有若干个散热槽，并在三极管壳体的表面开设有若干个散热孔。
[0007]作为本实用新型的优选技术方案，所述散热槽的截面为三角形，且所述散热槽的数量为三个，相邻的散热槽之间的距离相等。
[0008]作为本实用新型的优选技术方案，所述散热槽的深度为5mm-8mm。
[0009]作为本实用新型的优选技术方案，所述散热孔的截面为圆形，其深度为5_-8_。
[0010]与现有的技术相比，本实用新型的有益效果是:本实用新型结构简单、设计合理，通过将集电极端杆、发射极端杆以及基极端杆设置成方形状，能够增大其散热面积，通过设置有散热槽和散热孔，进一步提高其散热效果，增加三极管的使用寿命。
【附图说明】
[0011]图1为本实用新型的轴测图；
[0012]图2为本实用新型的主视图。
[0013]图中:1_三极管壳体；2_安装壳体；3-通孔；4_集电极端杆；5_发射集端杆；6-基极端杆.J-散热槽；8_散热孔。
【具体实施方式】
[0014]为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
[0015]请参阅图1，图1为本实用新型的结构示意图。
[0016]本实施例提供了一种方管式三极管，包括三极管壳体I，所述三极管壳体I呈长方体状，在三极管壳体I的上端设置有安装壳体2，在所述安装壳体2的中间位置贯穿设置有通孔3，所述三极管壳体I的下端安装有三根接线端杆，分别为集电极端杆4、发射集端杆5以及基极端杆6，所述集电极端杆4、发射集端杆5和基极端杆6均为方形，且可拆卸安装在三极管壳体I的下端，在所述三极管壳体I的左侧端面到右侧端面上开设有若干个散热槽7，并在三极管壳体I的表面开设有若干个散热孔8。通过将集电极端杆4、发射极端杆5以及基极端杆6设置成方形状，能够增大其散热面积，通过设置有散热槽7和散热孔8，进一步提高其散热效果，增加三极管的使用寿命。
[0017]在本实施例中:所述散热槽7的截面为三角形，且所述散热槽7的数量为三个，相邻的散热槽7之间的距离相等，所述散热槽7的深度为5_-8_，所述散热孔8的截面为圆形，其深度为5mm-8mm。以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种方管式三极管，包括三极管壳体(I)，所述三极管壳体(I)呈长方体状，在三极管壳体(I)的上端设置有安装壳体(2)，在所述安装壳体(2)的中间位置贯穿设置有通孔(3)，其特征在于:所述三极管壳体(I)的下端安装有三根接线端杆，分别为集电极端杆(4)、发射集端杆(5)以及基极端杆￠)，所述集电极端杆(4)、发射集端杆(5)和基极端杆(6)均为方形，且可拆卸安装在三极管壳体(I)的下端，在所述三极管壳体(I)的左侧端面到右侧端面上开设有若干个散热槽(7)，并在三极管壳体(I)的表面开设有若干个散热孔2.根据权利要求1所述的一种方管式三极管，其特征在于:所述散热槽(7)的截面为三角形，且所述散热槽(7)的数量为三个，相邻的散热槽(7)之间的距离相等。3.根据权利要求2所述的一种方管式三极管，其特征在于:所述散热槽(7)的深度为5mm-8mm04.根据权利要求1所述的一种方管式三极管，其特征在于:所述散热孔(8)的截面为圆形，其深度为5mm-8mm0
【专利摘要】本实用新型公开了一种方管式三极管，包括三极管壳体，所述三极管壳体呈长方体状，在三极管壳体的上端设置有安装壳体，在所述安装壳体的中间位置贯穿设置有通孔，所述三极管壳体的下端安装有三根接线端杆，分别为集电极端杆、发射集端杆以及基极端杆，所述集电极端杆、发射集端杆和基极端杆均为方形，且可拆卸安装在三极管壳体的下端，在所述三极管壳体的左侧端面到右侧端面上开设有若干个散热槽，并在三极管壳体的表面开设有若干个散热孔。本实用新型结构简单、设计合理，通过将集电极端杆、发射极端杆以及基极端杆设置成方形状，能够增大其散热面积，通过设置有散热槽和散热孔，进一步提高其散热效果，增加三极管的使用寿命。
【IPC分类】H01L23/367, H01L29/73, H01L23/48
【公开号】CN204834627
【申请号】CN201520678992
【发明人】李群星
【申请人】李群星
【公开日】2015年12月2日
【申请日】2015年9月4日