一种电磁炉用igbt功率组件的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型属于电子技术领域，具体涉及到一种电磁炉用IGBT功率组件。
【背景技术】
[0002]电磁炉领域目前使用的IGBT组件中，只集成了 IGBT芯片与FRD(二极管)芯片，整流桥部分为单独封装，这就导致IGBT单管与整流桥部分需要分立安装，影响安装。
[0003]如中国专利(CN102538035A)即公开了一种整流桥和IGBT器件单独设置的模块式电磁炉，在安装中需要单独安装整流桥部分，此种结构和市场上现有的IGBT组件的结构相同，安装、组装过程中需要分别安装IGBT器件和整流桥，耗费工时，元器件的集成度低。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型提供一种电磁炉用IGBT功率组件，本组件将IGBT部分与整流桥部分结合为整体，在对原有的应用方案不做大的改动的情况下，减小装配工作量，并利用整流桥部分对IGBT进行散热，改善IGBT因发热高导致温度偏高的问题。
[0005]本实用新型的电磁炉用IGBT功率组件，包括一体封装在铜底板上的DBC基片、IGBT芯片和二极管芯片，铜底板上通过焊片焊接DBC基片，DBC基板上通过焊片焊接IGBT芯片和二极管芯片，还包括封装在组件内的整流桥芯片，通过焊片焊接在DBC基片上。
[0006]所述IGBT芯片、二极管芯片和整流桥芯片通过铝线连接管脚。
[0007]本实用新型的IGBT功率组件用于电磁炉中，特别适用于2100W以下的电磁炉。
[0008]组件外形与现有整流桥外形基本相同，宽度为现有整流桥宽度的1.5倍，厚度与现有整流桥厚度相同，背面为铜底板，组件的7只管脚从左至右分别为IGBT控制端、IGBT高压端、IGBT低压端、整流桥高压输出端、整流桥输入端1、整流桥输入端2、整流桥低压输出端。
[0009]组件内部采用DBC工艺，进行芯片间的电性隔离及线路规划。其中铜底板、DBC基片在封装前即一体成型，线路也预腐蚀完成，芯片与管脚间以铝线连接。
【附图说明】
[0010]图1为本实用新型的电磁炉用IGBT功率组件封装外形图；
[0011]图2为本实用新型的电磁炉用IGBT功率组件内部结构图。
[0012]图中:1.铜底板；2.焊片；3.DBC基片；4.1GBT芯片；5.二极管芯片；6.整流桥芯片。
【具体实施方式】
[0013]下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步详细说明。
[0014]实施例1
[0015]参见图1和图2，本实用新型的电磁炉用IGBT功率组件，包括一体封装在铜底板上的DBC基片、IGBT芯片和二极管芯片，铜底板上通过焊片焊接DBC基片，DBC基板上通过焊片焊接IGBT芯片和二极管芯片，还包括封装在组件内的整流桥芯片，通过焊片焊接在DBC
基片上。
[0016]所述IGBT芯片、二极管芯片和整流桥芯片通过铝线连接管脚。
[0017]本实用新型的IGBT功率组件用于电磁炉中，特别适用于2100W以下的电磁炉。
[0018]组件外形与现有整流桥外形基本相同，宽度为现有整流桥宽度的1.5倍，厚度与现有整流桥厚度相同，背面为铜底板，组件的7只管脚从左至右分别为IGBT控制端、IGBT高压端、IGBT低压端、整流桥高压输出端、整流桥输入端1、整流桥输入端2、整流桥低压输出端。
[0019]组件内部采用DBC工艺，进行芯片间的电性隔离及线路规划。其中铜底板、DBC基片在封装前即一体成型，线路也预腐蚀完成，芯片与管脚间以铝线连接。
【主权项】
1.一种电磁炉用IGBT功率组件，包括一体封装在铜底板上的DBC基片、IGBT芯片和二极管芯片，铜底板上通过焊片焊接DBC基片，DBC基板上通过焊片焊接IGBT芯片和二极管芯片，其特征在于:还包括封装在组件内的整流桥芯片，通过焊片焊接在DBC基片上。2.根据权利要求1所述的电磁炉用IGBT功率组件，其特征在于:所述IGBT芯片、二极管芯片和整流桥芯片通过铝线连接管脚。
【专利摘要】本实用新型公开了一种电磁炉用IGBT功率组件，包括一体封装在铜底板上的DBC基片、IGBT芯片和二极管芯片，铜底板上通过焊片焊接DBC基片，DBC基板上通过焊片焊接IGBT芯片和二极管芯片，还包括封装在组件内的整流桥芯片，通过焊片焊接在DBC基片上；本组件将IGBT部分与整流桥部分结合为整体，减小装配工作量，并利用整流桥部分对IGBT进行散热，改善IGBT因发热高导致温度偏高的问题。
【IPC分类】H01L23/488, H01L25/18
【公开号】CN204834621
【申请号】CN201520528544
【发明人】李向坤, 王新强, 王丕龙
【申请人】青岛佳恩半导体有限公司
【公开日】2015年12月2日
【申请日】2015年7月20日