N型双面电池的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及太阳能电池技术领域，特别是涉及一种N型双面电池。
【背景技术】
[0002]太阳能电池是一种利用太阳光直接发电的光电半导体薄片，其中，N型太阳能电池具有寿命长、无光衰和转换效率高等优点，且N型太阳能电池的工艺流程相对简单，利于大规模产业化。此外，N型双面电池的两面均可接受太阳光，发电能力较强。
[0003]—般地，为了提高N型太阳能电池的使用效率，要N型双面电池的电池转换率越高越好。
【实用新型内容】
[0004]基于此，有必要针对如何提高N型双面电池的转换率的问题，提供一种N型双面电池。
[0005]—种N型双面电池，包括:
[0006]N型硅片，所述N型硅片具有第一绒面和第二绒面，所述N型硅片的第一绒面侧包括P+掺杂区域和P++重掺杂区域，所述P+掺杂区域形成于所述第一绒面上，所述P++重掺杂区域与所述P+掺杂区域接触相邻，且所述P++重掺杂区域的顶部表面与所述P+掺杂区域的顶部表面齐平，所述P++重掺杂区域延伸至所述N型硅片内，
[0007]所述N型硅片的第二绒面侧包括n+掺杂区域和n++重掺杂区域，所述n+掺杂区域形成于所述第二绒面上，所述n++重掺杂区域与所述n+掺杂区域接触相邻，且所述n++重掺杂区域的顶部表面与所述n+掺杂区域的顶部表面齐平，所述n++重掺杂区域延伸至所述N型硅片内；
[0008]第一钝化减反射膜层和第二钝化减反射膜层，所述第一钝化减反射膜层覆盖所述P+掺杂区域和所述P++重掺杂区域，所述第二钝化减反射膜层覆盖所述n+掺杂区域和所述n++重掺杂区域；以及
[0009]第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极分别位于所述第一钝化减反射膜层和所述第二钝化减反射膜层上。
[0010]上述N型双面电池，在第一绒面上形成P+掺杂区域，在第二绒面上形成n+掺杂区域，且该N型双面电池还包括p++重掺杂区域和n++重掺杂区域，p++重掺杂区域延伸至N型硅片内，且和P+掺杂区域接触相邻，P++重掺杂区域的顶部表面与P+掺杂区域的顶部表面齐平；n++重掺杂区域延伸至N型硅片内，且和n+掺杂区域接触相邻，n++重掺杂区域的顶部表面与n+掺杂区域的顶部表面齐平，再依次制备钝化减反射膜层和电极，从而得到N型双面电池，该N型双面电池包括p++重掺杂区域和n++重掺杂区域，从而有效降低接触电阻，提尚填充银子，进而提尚太阳能电池的转换效率，太阳能电池的转换效率能提尚0.5%以上。
[0011]在其中一个实施例中，所述第一绒面和所述第二绒面的形状均为金字塔状。
[0012]在其中一个实施例中，所述p++重掺杂区域的深度为0.5-1.5微米，所述p+掺杂区域的深度为0.3-0.5微米。
[0013]在其中一个实施例中，所述p++重掺杂区域的方块电阻小于等于40 Ω / 口，所述p+掺杂区域的方块电阻小于等于60 Ω/ 口。
[0014]在其中一个实施例中，所述n++重掺杂区域的深度为0.5-1.5微米，所述n+掺杂区域的深度为0.3-0.5微米。
[0015]在其中一个实施例中，所述n++重掺杂区域的方块电阻小于等于40 Ω / □，所述n+掺杂区域的方块电阻小于等于60 Ω/ 口。
[0016]在其中一个实施例中，所述p++重掺杂区域和所述n++重掺杂区域呈对称分布。
[0017]在其中一个实施例中，所述第一钝化减反射膜层和所述第二钝化减反射膜层均为二氧化硅膜层、氮化硅膜层、二氧化钛膜层或氧化铝膜层。
[0018]在其中一个实施例中，所述第一钝化减反射膜层和所述第二钝化减反射膜层均为二氧化硅膜层、氮化硅膜层、二氧化钛膜层以及氧化铝膜层中任何两种或两种以上膜层层叠的多层膜。
[0019]在其中一个实施例中，所述第一钝化减反射膜层和所述第二钝化减反射膜层的厚度均为50-80nm，所述第一钝化减反射膜层和所述第二钝化减反射膜层的折射率均为
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【附图说明】
[0020]图1为一实施例的Ν型双面电池的制作方法的流程示意图；
[0021]图2为一实施例的Ν型硅片制绒处理后的结构示意图；
[0022]图3为图2所不Ν型娃片激光处理后的结构不意图；
[0023]图4为图3所示Ν型硅片进行化学清洗后的结构示意图；
[0024]图5为图4所示Ν型硅片上形成钝化减反射膜层后的结构示意图；
[0025]图6为图5所示Ν型硅片进行电极制备后得到的Ν型双面电池的结构示意图。
【具体实施方式】
[0026]如图1所示，一实施例的Ν型双面电池的制作方法，包括:
[0027]S1:将Ν型硅片的第一表面和第二表面进行制绒处理。
[0028]具体地，采用制绒添加剂对Ν型硅片的第一表面和第二表面进行织构化处理，制绒添加剂为水、异丙醇、碱以及添加剂的混合溶液，其中，碱为氢氧化钠、氢氧化钾或四甲基氢氧化铵。按质量比，制绒添加剂中的各组分的含量为:氢氧化钠0.1%?3%，异丙醇
2%?10 %，添加剂0.01 %?2 %，其余为水。按质量比，添加剂的各组分含量为:葡萄糖、葡萄糖酸钠或葡萄糖酸钾0.001%?3%，聚氧乙烯醚lOOppb?8000ppb，乳酸钠或柠檬酸钠
0.001%?2%，丙二醇0.001%?2%，硅酸钠0.01%?6%，碳酸钠或碳酸氢钠0.001%?2%，其余为水。
[0029]在本实施例中，制绒添加剂为:碱、异丙醇、添加剂以及水的质量比为
2.5:10:0.5:87ο将Ν型硅片110放入制绒添加剂中反应，控制反应温度为80°C，反应时间为20min，使得N型硅片110的第一表面和第二表面均呈金字塔形状的绒面结构，如图2所不ο
[0030]S2:在N型硅片的第一表面上形成硼掺杂源层，采用第一激光参数，对第一表面进行激光处理，在第一表面上形成Ρ+掺杂区域，并采用第二激光参数，对第一表面进行激光处理，在第一表面上形成Ρ++重掺杂区域，Ρ+掺杂区域和Ρ++掺杂区域构成第一掺杂层。
[0031]具体地，第一表面为Ν型硅片110的正面，在Ν型硅片110的正面旋涂硼掺杂源或通过气相沉积法在Ν型硅片110的正面沉积硼掺杂源，形成硼掺杂源层，硼掺杂源层为硼酸溶液干燥后所形成的膜层、硼硅玻璃、含硼氮化硅薄膜、含硼氧化硅薄膜或含硼非晶硅薄膜等，硼掺杂源的量为0.5-1克。当硼掺杂源为溶液时，通过旋涂的方法将硼掺杂源旋涂在正面上；当硼掺杂源为硼硅玻璃等时，通过气相沉积的方法，将硼掺杂源沉积在正面上。将旋涂或气相沉积的硼掺杂源烘干，烘干之后，对正面进行激光处理，在正面上形成Ρ+掺杂区域121，并在正面上形成ρ++重掺杂区域122，ρ++重掺杂区域122和ρ+掺杂区域121构成第一掺杂层120，且ρ++重掺杂区域122中的部分区域位于Ν硅片110内，在第一掺杂层120上有残留的硼掺杂源111。
[0032]ρ++重掺杂区域122可以通过激光重复扫描加工形成，也可以通过自动调整激光工艺参数一次形成。
[0033]在本实施例中，ρ++重掺杂区域122通过激光重复扫描加工形成。具体地，激光重复扫描加工的过程为:采用第一激光参数，对正面的整面进行激光扫描，在正面形成多个Ρ+结，Ρ+结方块电阻不高于60 Ω / □，多个Ρ+结组成Ρ+掺杂层，Ρ+掺杂位于正面上，且Ρ+掺杂层的厚度为0.3-0.5微米；接着，采用第二激光参数，对正面的特定区域进行激光扫描，从而Ρ+掺杂层中的硼掺杂源进行二次扩散，自Ν型硅片110的正面向Ν型硅片110内扩散，从而在正面上的特定区域内形成Ρ++重掺杂区域122，ρ++重掺杂区域122包括第二Ρ++重掺杂区域122a和第一 ρ++重掺杂区域122b，p++重掺杂区域122的深度要大于p+掺杂区域121的深度，从而第二 p++重掺杂区域122a位于N型硅片110内，第一 p++重掺杂区域122b和p+掺杂区域相邻，区域第一 p++重掺杂122b为p+掺杂和p++重掺杂的混合区域，P++重掺杂122的深度为0.5-1.5微米，此外，p++重掺杂区域130的方块电阻不高于40 Ω / □，如图3所示。
[0034]在另一个实施例中，通过自动调整激光工艺参数一次形成p+掺杂区域121和p++重掺杂区域122的过程为:先确定N型硅片110的正面的特定区域，在激光扫描之前设置好第一激光参数和第二激光参数，采用第一激光参数对正面进行激光扫描；当激光扫描到特定区域时，自动切换到第二激光参数，采用第二激光参数对该特定区域进行激光扫描，该特定区域中的硼掺杂源自正面向N型硅片110内扩散，在正面上形成p++重掺杂区域122，；当扫描完特定区域时，自动切换回到第一激光参数，继续进行激光扫描，直至扫描完整个正面，从而在正面的除了特定区域之外的区域上形成P+掺杂区域121，此外，p++重掺杂区域122包括区域第二 p++重掺杂122a和第一 p++重掺杂区域122b，第二 p++重掺杂区域122a位于N型硅片110内，第一 p++重掺杂区域122b和p+掺杂区121域相邻，第一 p++重掺杂区域122b也为p++重掺杂。
[0035]其中，第一激光参数和第二激光参数均为:激光波长为355-1064nm ;模式为脉冲模式、准连续模式或连续模式；脉冲宽度为30-300ns ;扫描速率为1-1.2m/s ;光斑直径为30-100微米