电极对称设置，主栅线电极的根数为5根，宽度为1mm ;副栅线电极的根数为100根，宽度为lOOum。
[0058]上述N型双面电池的制作方法，通过激光，对进行制绒处理了的N型硅片110的第一表面和第二表面进行处理，又N型硅片110的第一表面上形成有硼掺杂源层，N型硅片110的第二表面上形成有磷掺杂源层，通过采用不同的激光参数对分别对第一表面和第二表面进行激光处理，在第一表面上形成P+掺杂区域121，在第二表面上形成n+掺杂区域131，且在第一表面上形成p++重掺杂区域122，p++重掺杂区域122和p+掺杂区域121构成第一掺杂层120，在第二表面上形成n++重掺杂区域132，n++重掺杂区域132和n+掺杂区域131构成第二掺杂层130，再分别在第一掺杂层120和第二掺杂层130上依次制备钝化减反射膜层和电极，从而得到N型双面电池，通过激光对掺杂源进行处理，利用激光的热效应，能实现P+掺杂区域121、n+掺杂区域131、p++重掺杂区域122以及n++重掺杂区域132的形成，可以降低对N型硅片110的热损伤，且形成的p++重掺杂区域122和n++重掺杂区域132可以提尚填充因子，进而提尚电池转换率。
[0059]如图6所示，一实施例的N型双面电池100包括N型硅片110、第一钝化减反射膜层140、第二钝化减反射膜150、第一电极160以及第二电极170。
[0060]具体地，N型硅片110包括第一绒面和第二绒面，N型硅片110的第一绒面和第二绒面均呈金字塔形状的绒面结构。
[0061]其中，N型硅片110的第一绒面侧包括p+掺杂区域121和p++重掺杂区域122，N型硅片110的第二绒面侧包括n+掺杂区域131和n++重掺杂区域132。p+掺杂区域121和p++重掺杂区域122接触相邻，n+掺杂区域131和n++重掺杂区域132接触相邻。
[0062]p++重掺杂区域122延伸至N型硅片110内，p++重掺杂区域122的顶部表面与p+掺杂区域121的顶部表面齐平。其中，p++重掺杂区域122的顶部表面为p++重掺杂区域122中的远离第一绒面的表面，p+掺杂区域121的顶部表面也为p+掺杂区域121中的远离第一绒面的表面。
[0063]p++重掺杂区域122的深度为0.5-1.5微米，p+掺杂区域121的深度为0.3-0.5微米。P++重掺杂区域122的方块电阻小于等于40Ω/ 口，p+掺杂区域121的方块电阻小于等于60 Ω / □。
[0064]n++重掺杂区域132延伸至N型硅片110内，n++重掺杂区域132的顶部表面与n+掺杂区域131的顶部表面齐平。其中，n++重掺杂区域132的顶部表面为第一 n++重掺杂区域132中的远离第二绒面的表面，n+掺杂区域131的顶部表面也为n+掺杂区域131中的远离第二绒面的表面。n++重掺杂区域132和p++重掺杂区域122呈对称分布。
[0065]n++重掺杂区域132的深度为0.5-1.5微米，n+掺杂区域131的深度为0.3-0.5微米。n++重掺杂区域132的方块电阻小于等于40Ω/ 口，n+掺杂区域131的方块电阻小于等于60 Ω / □。
[0066]第一钝化减反射膜层140覆盖p+掺杂区域121和p++重掺杂区域122，第二钝化减反射膜层150覆盖n+掺杂区域131和n++重掺杂区域132。第一钝化减反射膜层140和第二钝化减反射膜层150均为二氧化硅、氮化硅、二氧化钛或氧化铝所形成的单层膜，或为二氧化硅、氮化硅、二氧化钛和氧化铝中任何两种或两种以上所形成的多层膜，第一钝化减反射膜层140和第二钝化减反射膜层150的厚度均为50-80nm，第一钝化减反射膜层140和第二钝化减反射膜层150的折射率均为2.0-2.1。
[0067]电极160和电极170为栅线电极。栅线电极为若干条，栅线电极分别分布于正面的钝化减反射膜和背面的钝化减反射膜上，以便引出形成的电流。栅线电极具体包括主栅线电极和副栅线电极，优选地，位于正面的钝化减反射膜和位于背面的钝化减反射上的栅线电极对称设置。其中，主栅线电极的根数为2-5根，宽度为0.5mm-2.5mm ;副栅线电极的根数为50-150根，宽度为30um-150um
[0068]上述N型双面电池110，在第一绒面上形成p+掺杂区域121，在第二绒面上形成n+掺杂区域131，且该N型双面电池110还包括p++重掺杂区域122和n++重掺杂区域132，P++重掺杂区域122延伸至N型硅片内，且和p+掺杂区域121接触相邻，p++重掺杂区域122的顶部表面与p+掺杂区域121的顶部表面齐平；n++重掺杂区域132延伸至N型硅片内，且和n+掺杂区域131接触相邻，n++重掺杂区域132的顶部表面与n+掺杂区域131的顶部表面齐平，再依次制备钝化减反射膜层和电极，从而得到N型双面电池，该N型双面电池包括P++重掺杂区域122和n++重掺杂区域132，从而有效降低接触电阻，提高填充银子，进而提尚太阳能电池的转换效率，太阳能电池的转换效率能提尚0.5%以上。
[0069]以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
[0070]以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。
【主权项】
1.一种N型双面电池，其特征在于，包括: N型硅片，所述N型硅片具有第一绒面和第二绒面，所述N型硅片的第一绒面侧包括p+掺杂区域和P++重掺杂区域，所述P+掺杂区域形成于所述第一绒面上，所述P++重掺杂区域与所述P+掺杂区域接触相邻，且所述P++重掺杂区域的顶部表面与所述P+掺杂区域的顶部表面齐平，所述P++重掺杂区域延伸至所述N型硅片内， 所述N型硅片的第二绒面侧包括n+掺杂区域和n++重掺杂区域，所述n+掺杂区域形成于所述第二绒面上，所述n++重掺杂区域与所述n+掺杂区域接触相邻，且所述n++重掺杂区域的顶部表面与所述n+掺杂区域的顶部表面齐平，所述n++重掺杂区域延伸至所述N型娃片内； 第一钝化减反射膜层和第二钝化减反射膜层，所述第一钝化减反射膜层覆盖所述P+掺杂区域和所述P++重掺杂区域，所述第二钝化减反射膜层覆盖所述n+掺杂区域和所述n++重掺杂区域；以及 第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极分别位于所述第一钝化减反射膜层和所述第二钝化减反射膜层上。2.根据权利要求1所述的N型双面电池，其特征在于，所述第一绒面和所述第二绒面的形状均为金字塔状。3.根据权利1所述的N型双面电池，其特征在于，所述p++重掺杂区域的深度为0.5-1.5微米，所述p+掺杂区域的深度为0.3-0.5微米。4.根据权利要求3所述的N型双面电池，其特征在于，所述p++重掺杂区域的方块电阻小于等于40 Ω/ □，所述p+掺杂区域的方块电阻小于等于60 Ω/ 口。5.根据权利要求1所述的N型双面电池，其特征在于，所述n++重掺杂区域的深度为0.5-1.5微米，所述n+掺杂区域的深度为0.3-0.5微米。6.根据权利要求5所述的N型双面电池，其特征在于，所述n++重掺杂区域的方块电阻小于等于40 Ω/ □，所述n+掺杂区域的方块电阻小于等于60 Ω/ 口。7.根据权利要求1所述的N型双面电池，其特征在于，所述p++重掺杂区域和所述n++重掺杂区域呈对称分布。8.根据权利要求1所述的N型双面电池，其特征在于，所述第一钝化减反射膜层和所述第二钝化减反射膜层均为二氧化硅膜层、氮化硅膜层、二氧化钛膜层或氧化铝膜层。9.根据权利要求1所述的N型双面电池，其特征在于，所述第一钝化减反射膜层和所述第二钝化减反射膜层均为二氧化硅膜层、氮化硅膜层、二氧化钛膜层以及氧化铝膜层中任何两种或两种以上膜层层叠的多层膜。10.根据权利要求8或9所述的N型双面电池，其特征在于，所述第一钝化减反射膜层和所述第二钝化减反射膜层的厚度均为50-80nm，所述第一钝化减反射膜层和所述第二钝化减反射膜层的折射率均为2.0-2.1。
【专利摘要】本实用新型涉及一种N型双面电池。该N型双面电池包括N型硅片、第一钝化减反射膜层、第一电极、第二钝化减反射膜层及第二电极；第一绒面侧包括p+掺杂区域和p++重掺杂区域，p+掺杂区域形成于第一绒面上，p++重掺杂区域与p+掺杂区域接触相邻，p++重掺杂区域延伸至N型硅片内，第二绒面侧包括n+掺杂区域和n++重掺杂区域，n+掺杂区域形成于第二绒面上，n++重掺杂区域与n+掺杂区域接触相邻，n++重掺杂区域延伸至所述N型硅片内；第一钝化减反射膜层覆盖p+掺杂区域和p++重掺杂区域，第二钝化减反射膜层覆盖n+掺杂区域和n++重掺杂区域；第一电极和第二电极分别位于第一钝化减反射膜层和第二钝化减反射膜层上。上述N型双面电池，能提高电池转换率。
【IPC分类】H01L31/0216
【公开号】CN204966513
【申请号】CN201520758996
【发明人】张松, 王培然, 刘超, 夏世伟, 季海晨
【申请人】上海大族新能源科技有限公司
【公开日】2016年1月13日
【申请日】2015年9月28日