一种用于断路器开关柜的复合开关的制作方法
【技术领域】
[〇〇〇1] 本实用新型涉及一种用于断路器开关柜的复合开关，属于供电或配电用开关装置技术领域。
【背景技术】
[0002]开关柜是一种电气设备，开关柜外线先进入柜内主控开关，然后进入分控开关，各分路按其需要设置。如仪表，自控，电动机磁力开关，各种交流接触器等，有的还设高压室与低压室开关柜，设有高压母线，如发电厂等，有的还设有为保主要设备的低周减载。
[0003]开关柜的主要作用是在电力系统进行发电、输电、配电和电能转换的过程中，进行开合、控制和保护用电设备。开关柜内的部件主要有断路器、复合开关、操作机构、互感器以及各种保护装置等组成。复合开关是指能在正常导电回路条件下关合、承载和开断电流的开关设备。
[0004]现有的复合开关包括壳体、可控娃以及继电器，可控娃和继电器均设置在壳体内，通常采用的结构是将可控硅与继电器并接。目前普遍的实现方法是：投入时，在电压过零瞬间过零触发与继电器或接触器并联的可控硅，稳定后再将继电器或接触器吸合导通而切出时，先将可控硅导通，然后在将继电器或接触器触点断开，避免继电器或接触器断开时产生电弧，最后在电流过零点处可控硅关断，从而实现电流过零切断，使复合开关在接通和断开的瞬间具有可控硅过零投切的优点，而在正常接通期间又具有磁保持开关零功耗的优点。复合开关具有无冲击、低功耗、高寿命等显著优点，可替代接触器或晶闸管开关，广泛用于低压无功补偿领域。
[0005]目前，市场上的复合开关，安装时需要串联断路器使用，以保证设备安全。这导致了复合开关的外部接线复杂，外接的连接线交错，需要的安装空间大，且安装接线过程容易出错，安装过程麻烦，裸露在外的连接线存在安全隐患。
【实用新型内容】
[0006]本实用新型要解决的技术问题是，针对现有技术不足，提出一种安全性高的用于断路器开关柜的复合开关。
[0007]本实用新型为解决上述技术问题提出的技术方案是：一种用于断路器开关柜的复合开关，包括断路器、壳体以及设于壳体内的电路结构，还包括操作杆，壳体设置有滑槽，断路器设有与滑槽相适配的滑块，断路器通过滑块与滑槽滑移连接；滑块可沿自身轴向滑动的嵌设在断路器底部，断路器侧壁开设有开口，操作杆贯穿开口与滑块固接，滑槽远离断路器的前段为导体并与电路结构通过导线连通，滑槽后段为绝缘体，滑块前段于滑槽前段对应处为导体并与断路器通过导线连通；
[0008]技术效果：本实用新型中由于通过滑块与滑槽的导电部分将壳体内的电路结构与断路器连通，使得连接更加紧密，防止由于接触不良造成电路故障；由于电路连通时，滑块与滑槽均在壳体内部，防止由于电压波动使电流击穿空气，导致开关损坏；由于滑块可沿自身轴向滑动的嵌设在断路器底部，通过操作杆可以在断路器与壳体卡接时直接断开断路器与壳体内电路结构的连接，在遇到紧急情况时，可手动拉动操作杆，断开电路，保证了电路的使用安全；
[0009]滑块后段为绝缘体，壳体与断路器之间配合设有防止插接端和套接端脱离的卡扣机构；由于卡扣机构的使用，使得壳体和断路器连接更加紧密牢固。
[0010]滑块前段导体中各成分的质量百分比为：C :0. 18-0. 22%、Ga :0. 02-0. 03%、
Ge :0· 02-0. 03%、A10. 23-0. 36%、Ti :0· 06-0. 09%、Μη :0· 31-0. 32%、Fe :0· 81-0. 92%、Y :0· 21-0. 27%、Sn :0· 51-0. 57%、Cr :0· 13-0. 16%、Ni :1. 15-1. 23%、Zn:0·75-0. 96%、Zr:
0· 35-0. 46%、V :0· 19-0. 26%、Cu :2. 65-2. 86%、Mo :0· 05-0. 09%、Re:0·12-0. 15%、Os:
0· 11-0. 13%、Hf :0· 21-0. 23%、Lu: 0· 28-0. 32%、Pd :0· 23-0. 35%、Eu:0·12-0. 16%、Pt:
0· 25-0. 29%、Pb :1. 05-1. 19%、Bi :0· 15-0. 19%、Au :1. 06-1. 18%、W:1.32-1. 45%、Ta:
0. 31-0. 44%、Nd :0. 23-0. 33%、Ce :0. 12-0. 14%，余量为Ag ;通过滑块前段导体部分的配料，使得导电性能和耐热耐腐蚀性能突出；
[0011]滑块的加工工艺包括以下步骤：
[0012]㈠熔炼：将滑块前段导体部分的原料加热熔炼，控制温度为1200_1250°C ;
[0013]㈡精炼：控制精炼温度为900 °C?950 °C精炼20分钟，静置15分钟，气压0.02-0. 03MPa ；
[0014]㈢铸造：将精炼后的滑块前段导体部分的原料铸造成型，成型的滑块前段在与滑块后段的固定面上铸有不规则凸起；由于成型的滑块前段在与滑块后段的固定面上铸有不规则凸起，当滑块前段与后段绝缘部分连接时，可以提供更大的接触面积，保证了连接强度；
[0015]㈣热处理：采用淬火-加热-回火的热处理工艺，具体热处理工艺为：
[0016]淬火：将铸造后的滑块前段放入淬火炉进行淬火，淬火介质为真空淬火油，控制淬火温度为750-800°C，淬火时冷到190-2KTC时，取出空冷至室温；
[0017]加热：将淬火后的滑块前段放入加热炉进行加热，加热温度为875-925°C，加热25分钟后停止加热，使滑块前段在加热炉内利用余热维持在450-470°C保温9-11分钟，将滑块前段取出冷却至室温；
[0018]回火：将加热后的滑块前段放入回火炉进行回火，控制回火温度为460_480°C，回火时间7分钟，然后采用压缩空气或雾状淬火液以16-18°C /s的冷却速率将滑块前段冷至330-350°C，然后空冷至室温；通过热处理工艺使得滑块前段导体部分的强度更高，延长使用寿命；
[0019]㈤通过压制成型机将酚醛塑料制成滑块后段；
[0020]㈥通过超声波焊接将滑块前段导体部分与滑块后段焊接，控制超声波工作频率为40KHz ;通过超声波焊接可以有效完成酚醛塑料与金属导体部分的焊接工作，克服了塑料与金属连接难以操作的难题；
[0021]㈦打磨去毛刺：通过打磨机将超声波焊接后滑块前段导体部分与滑块后段固接处的毛刺、毛边去除；
[0022]㈧滑块后段涂覆耐腐蚀涂层：采用表面处理-打底-鳞片胶涂敷-面涂的涂覆工艺，具体工艺为：
[0023]表面处理：喷砂或用角磨机将滑块后段绝缘体部分表面打磨粗化，并清除基面上的灰尘、油污、水分，使表面露出新鲜基材；
[0024]打底：把滑块后段绝缘体部分的施工面上的气孔、麻面用防腐胶填塞密实，然后涂敷BD417防腐涂层胶作为底涂；
[0025]鳞片胶涂敷：底涂初固后就可以把BD418鳞片防腐涂层胶涂敷于底涂上面，应向一个方向刮涂；前层鳞片涂层胶初固后就可以涂下一层；
[0026]面涂：最后一层鳞片涂层胶初固后涂敷BD417防腐涂层胶做为面层；由于滑块后段涂覆耐腐蚀涂层，延长了滑块的使用寿命。
[0027]上述技术方案的改进是：滑槽与滑块呈防止滑块沿滑槽横断面脱离滑槽的限位结构设置；本实用新型中由于述滑槽与滑块呈防止滑块沿滑槽横断面脱离滑槽的限位结构设置，防止滑块脱离滑槽，导致开关与断路器断开。
[0028]上述技术方案的改进是：滑槽设置为燕尾形滑槽，滑块设置为与燕尾形滑槽相适配的燕尾形滑块。
[0029]上述技术方案的改进是：壳体靠近断路器处对称设有一对卡板，断路器设有与卡板相适配的卡槽，壳体通过卡板和卡槽的配合与断路器锁定。由于卡板和卡槽的配合，使得壳体和断路器连接更加紧密牢固并且方便拆卸。
[0030]上述技术方案的改进是：卡板内侧表面覆盖有绝缘橡胶层。绝缘橡胶层可有效防止水等液体流入壳体内造成电路结构断路。
[0031]上述技术方案的改进是：还包括密封块，密封块设置在壳体和断路器之间，密封块与壳体和断路器紧密抵接，密封块与壳体和断路器抵接的表面覆盖有绝缘橡胶层。密封块可以有效防止水等液体沿着壳体与断路器的接触面流入内部的滑槽与滑块连接处，防止开关的短路和漏电。
[0032]上述技术方案的改进是：滑块前段导体中各成分的质量百分比为：C :0. 19%、Ga :
0· 02%、Ge :0· 03%、A10. 36%、Ti : 0· 09%、Μη :0· 31%、Fe :0· 92%、Y :0· 27%、Sn:0·57%、Cr:
0. 16%、Ni :1. 23%、Zn :0. 96%、Zr :0. 46%、V :0. 26%、Cu :2. 86%、Mo :0. 09%、Re:0.15%、Os:
0.13%、Hf :0. 23%、Lu :0. 32%、Pd :0. 35%、Eu :0. 16%、Pt :0. 29%、Pb :1. 19%、Bi:0.19%、Au:
1.18%、W : 1. 45%、Ta :0· 44%、Nd :0· 33%、Ce :0· 14%，余量为 Ag。
[0033]上述技术方案的改进是：滑块前段导体中各成分的质量百分比为：C :0. 21%、Ga :
0· 03%、Ge :0· 02%、Α10· 26%、Ti :0· 08%、Μη :0· 31%、Fe :0· 85%、Y :0· 24%、Sn :0· 55%、Cr :0. 15%、Ni :1. 18%、Zn :0. 86%、Zr :0. 39%、V :0. 23%、Cu :2. 76%、Mo :0. 07%、Re:0.13%、Os:
0.12%、Hf :0. 22%、Lu: 0. 29%、Pd :0. 27%、Eu :0. 14%、Pt :0. 27%、Pb :1. 16%、Bi:0.17%、Au:
1.14%、W : 1. 35%、Ta :0· 33%、Nd :0· 26%、Ce :0· 13%，余量为 Ag。
[0034]上述技术方案的改进是：滑块的加工工艺步骤㈠中控制熔炼温度为1200°C。
[0035]上述技术方案的改进是：滑块的加工工艺步骤㈡中控制精炼温度为950°C，气压0. 02MPa〇
【附图说明】
[0036]下面结合附图对本实用新型作进一步说明：
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