一种半磁通调容变压器的制造方法
【技术领域】
[0001] 本实用新型属于电力设备领域，设及一种半磁通调容变压器。
【背景技术】
[0002] 目前调容变压器采用高压绕组=角接和星形接线切换、低压绕组部分串并联切换 的设计原理来实现容量调节。但高低压绕组切换原理存在的本质差异，高压联接方式切换， 应电压降低为原来的1/3*"5倍；而低压则需要对应3 倍的应数进行串并联转化并与其 余应数串联，但低压应数往往较少，想要将倍的应数凑整并不容易，使调容变压器的 设计在电压比较核上受到不可忽略的限制，同时，由于低压绕组的各外接节点均通过基本 段线圈来连接低压线圈，从而导致低压线圈的低压出头过多，低压线圈结构也变得复杂，加 工难度很大，故传统的调容变压器容量一般不大于500kVA。 【实用新型内容】
[0003] 本实用新型的目的在于克服上述现有技术的缺点，提供了一种半磁通调容变压 器，该变压器中低压线圈的结构简单，低压线圈的应数可调。
[0004] 为达到上述目的，本实用新型所述的半磁通调容变压器包括高压绕组、低压绕组、 第一绕组、第二绕组及第=绕组； 阳0化]当实现大容量时，低压绕组内的两个低压线圈并联连接；所述高压绕组中A相的 一个出头与第一绕组的一端及高压绕组中B相的一个出头相连接，高压绕组中B相的另一 个出头与第二绕组的一端及高压绕组中C相的一个出头相连接，高压绕组中C相的另一个 出头Z与第=绕组的一端及高压绕组中A相的另一个出头相连接；
[0006] 当实现小容量时，则低压绕组内的两个低压线圈串联连接，高压绕组中A相的一 个出头与第一绕组的一端相连接，高压绕组中B相的一个出头与第二绕组的一端相连接， 高压绕组中的C相的一个出头与第=绕组的一端相连接，第一绕组的另一端与第二绕组的 另一端及第=绕组的另一端相连接。
[0007] 所述低压绕组内的两个低压线圈的应数及材料均相同。
[0008] 所述第一绕组的应数为高压绕组中A相内高压线圈应数的 J倍；
[0009] 所述第二绕组的应数为高压绕组中B相内高压线圈应数的 -1倍；
[0010] 所述第S绕组的应数为高压绕组中C相内高压线圈应数的 -1倍。
[0011] 本实用新型具有W下有益效果：
[0012] 本实用新型所述半磁通调容变压器在实现大容量时，低压绕组内的两个低压线圈 并联连接，当实现小容量时，低压绕组内的两个低压线圈串联连接，不必考虑将3°' 5-1倍的 应数凑整的问题，从而省去固定的串联部分，降低低压出头的数量，进而大幅度降低线圈设 计排列难度和加工难度，同时，通过在高压绕组中的A相、B相及C相分别连接第一绕组、第 二绕组及第=绕组弥补去除低压中固定串联部分，W低压绕组的应数对应的应电压为基准 来设置高压绕组的应数，使电压比较核容易满足要求，在设计上无低压应数选取的限制。
【附图说明】
[0013] 图1为现有调容变压器在实现大容量时低压绕组的结构示意图；
[0014] 图2为现有调容变压器在实现小容量时低压绕组的结构示意图；
[0015] 图3为本实用新型在实现大容量时低压绕组的结构示意图；
[0016] 图4为本实用新型在实现小容量时低压绕组的结构示意图；
[0017] 图5为本实用新型在实现大容量时高压绕组的结构示意图；
[0018] 图6为本实用新型在实现小容量时高压绕组的结构示意图。
[0019] 其中，1为第一绕组、2为第二绕组、3为第=绕组。
【具体实施方式】
[0020] 下面结合附图对本实用新型做进一步详细描述：
[0021] 参考图3、图4、图5及图6,本实用新型所述的半磁通调容变压器包括高压绕组、低 压绕组、第一绕组1、第二绕组2及第=绕组3 ;
[0022] 当实现大容量时，低压绕组内的两个低压线圈并联连接；所述高压绕组中A相的 一个出头X与第一绕组1的一端及高压绕组中B相的一个出头B相连接，高压绕组中B相 的另一个出头Y与第二绕组2的一端及高压绕组中C相的一个出头C相连接，高压绕组中 C相的另一个出头Z与第=绕组3的一端及高压绕组中A相的另一个出头A相连接；
[0023] 当实现小容量时，则低压绕组内的两个低压线圈串联连接，高压绕组中A相的一 个出头X与第一绕组1的一端相连接，高压绕组中B相的一个出头Y与第二绕组2的一端 相连接，高压绕组中的C相的一个出头Z与第=绕组3的一端相连接，第一绕组1的另一端 X/与第二绕组2的另一端Y /及第=绕组3的另一端Z /相连接。
[0024] 需要说明的是，所述低压绕组内的两个低压线圈的应数及材料均相同；第一绕组 1的应数为高压绕组中A相内高压线圈应数的
倍；第二绕组2的应数为高压绕组中 B相内高压线圈应数的-
倍；第S绕组3的应数为高压绕组中C相内高压线圈应数的
倍。
[00巧]该半磁通调容变压器无应数选择和线圈加工难度的限制，可应用于整个配电变压 器系列，应用在容量较大的配变上可降低调容开关的成本占有率，降低产品设计成本，同 时，因其调容后应电压更低，空载值也将更低，更加节能。
【主权项】
1. 一种半磁通调容变压器，其特征在于，包括高压绕组、低压绕组、第一绕组（1)、第二 绕组⑵及第三绕组（3); 当实现大容量时，低压绕组内的两个低压线圈并联连接；所述高压绕组中A相的一个 出头（X)与第一绕组（1)的一端及高压绕组中B相的一个出头（B)相连接，高压绕组中B相 的另一个出头（Y)与第二绕组（2)的一端及高压绕组中C相的一个出头（C)相连接，高压 绕组中C相的另一个出头（Z)与第三绕组（3)的一端及高压绕组中A相的另一个出头（A) 相连接； 当实现小容量时，则低压绕组内的两个低压线圈串联连接，高压绕组中A相的一个出 头（X)与第一绕组（1)的一端相连接，高压绕组中B相的一个出头（Y)与第二绕组（2)的一 端相连接，高压绕组中的C相的一个出头（Z)与第三绕组（3)的一端相连接，第一绕组（1) 的另一端（X 7)与第二绕组（2)的另一端（V)及第三绕组（3)的另一端（Z7)相连接。2. 根据权利要求1所述的半磁通调容变压器，其特征在于，所述低压绕组内的两个低 压线圈的匝数及材料均相同。3. 根据权利要求1所述的半磁通调容变压器，其特征在于， 所述第一绕组（1)的匝数为高压绕组中Α相内高压线圈匝数的-^-1倍； 所述第二绕组（2)的匝数为高压绕组中B相内高压线圈匝数的倍； 所述第三绕组（3)的匝数为高压绕组中C相内高压线圈匝数的倍。
【专利摘要】本实用新型公开了一种半磁通调容变压器，包括高压绕组、低压绕组、第一绕组、第二绕组及第三绕组，本实用新型省去低压绕组中固定的串联部分，降低低压出头的数量，进而大幅度降低线圈设计排列难度和加工难度，并且以低压绕组的匝电压变化比为基准来设置高压绕组的匝数，使电压比较容易满足要求，在设计上无低压匝数选取的限制。
【IPC分类】H01F27/28, H01F29/00
【公开号】CN205140730
【申请号】CN201520869066
【发明人】袁建怀
【申请人】中国西电电气股份有限公司, 成都西电蜀能电器有限责任公司
【公开日】2016年4月6日
【申请日】2015年11月2日