一种快速软恢复二极管的制作方法
【技术领域】
[0001 ]本实用新型涉及一种快速软恢复二极管。
【背景技术】
[0002]快恢复二极管(简称FRD)是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、pmi脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。
[0003]快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同，它属于PIN结型二极管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。因基区很薄，反向恢复电荷很小，所以快恢复二极管的反向恢复时间较短，正向压降较低，反向击穿电压(耐压值)较高。
[0004]快速软恢复二极管是PIN型的双极器件，当其处于正向导通状态，即阳极相对于阴极加正电压时，其阳极和阴极分别向η-区注入空穴和电子，由于η-区的掺杂浓度很低，注入到η-区的空穴浓度远远大于η-区衬底的掺杂浓度，η-区产生强烈的电导调制效应，电导率大大提高，使得快速软恢复二极管的通态压降维持在较低的水平。
【实用新型内容】
[0005]本实用新型为解决上述问题，提供了一种快速软恢复二极管。
[0006]为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案为:
[0007]—种快速软恢复二极管，包括:
[0008]—阴极 η+区(I);
[0009 ] 一ρ+缓冲区(2)，配置于该阴极η+区(I)上；
[0010]— η缓冲区(3)，配置于该阴极η+区(I)及该ρ+缓冲区(2)上并覆盖该ρ+缓冲区(2);
[0011]一η-漂移区(4)，配置于该η缓冲区(3)上；
[0012]一 ρ基区(5)，配置于该η-漂移区(4)上；
[0013]一阳极ρ+区(6)，配置于该ρ基区(5)上。
[0014]本实用新型的有益效果是:
[0015]本实用新型在η缓冲区和阴极η+区之间引入ρ+缓冲区，该结构阴极隐埋ρ+缓冲区形成两个背靠背的Pn结，而对于η+η结可以将其等效为电阻，故其阴极等效电路为两个背靠背Pn结与电阻的并联;该结构在阴极侧隐埋的ρ+缓冲区，在反向恢复期间可以向η-漂移区注入少数载流子空穴，降低ηη+结处的电场强度，改善反向恢复软度，降低反向恢复峰值功耗，并提高了抗反向恢复动态动态雪崩能力。
【附图说明】
[0016]此处所说明的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，构成本实用新型的一部分，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中:
[0017]图1为本实用新型结构不意图；
[0018]图不说明:阴极η+区-1;ρ+缓冲区-2;η缓冲区_3;η_漂移区_4;ρ基区_5;阳极p+区-6。
【具体实施方式】
[0019]为了使本实用新型所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚、明白，以下结合附图和实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
[0020]如图1所示，本实用新型提供一种快速软恢复二极管，包括:
[0021]—阴极 η+区(I);
[0022 ] 一ρ+缓冲区(2)，配置于该阴极η+区(I)上；
[0023]一η缓冲区(3)，配置于该阴极η+区(I)及该ρ+缓冲区(2)上并覆盖该ρ+缓冲区(2);
[0024]一η-漂移区(4)，配置于该η缓冲区(3)上；
[0025]一 ρ基区(5)，配置于该η-漂移区(4)上；
[0026]一阳极ρ+区(6 )，配置于该ρ基区(5)上。
[0027]本实用新型在η缓冲区和阴极η+区之间引入ρ+缓冲区，该结构阴极隐埋ρ+缓冲区形成两个背靠背的Pn结，而对于η+η结可以将其等效为电阻，故其阴极等效电路为两个背靠背Pn结与电阻的并联;该结构在阴极侧隐埋的ρ+缓冲区，在反向恢复期间可以向η-漂移区注入少数载流子空穴，降低ηη+结处的电场强度，改善反向恢复软度，降低反向恢复峰值功耗，并提高了抗反向恢复动态动态雪崩能力。
[0028]上述说明示出并描述了本实用新型的优选实施例，如前所述，应当理解本实用新型并非局限于本文所披露的形式，不应看作是对其他实施例的排除，而可用于各种其他组合、修改和环境，并能够在本文所述实用新型构想范围内，通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本实用新型的精神和范围，则都应在本实用新型所附权利要求的保护范围内。
【主权项】
1.一种快速软恢复二极管，其特征在于，包括:一阴极Π+区(I);一P+缓冲区(2)，配置于该阴极η+区(I)上；一η缓冲区(3 )，配置于该阴极η+区(I)及该ρ+缓冲区(2)上并覆盖该ρ+缓冲区(2);一η-漂移区(4)，配置于该η缓冲区(3)上；一P基区(5)，配置于该η-漂移区(4)上；一阳极P+区(6)，配置于该ρ基区(5)上。
【专利摘要】本实用新型公开一种快速软恢复二极管，包括：一阴极n+区(1)，一p+缓冲区(2)，一n缓冲区(3)，一n-漂移区(4)，一p基区(5)和一阳极p+区(6)。本实用新型在阴极侧隐埋的p+缓冲区，在反向恢复期间可以向n-漂移区注入少数载流子空穴，降低nn+结处的电场强度，改善反向恢复软度，并提高了抗反向恢复动态雪崩能力。
【IPC分类】H01L29/06, H01L21/33, H01L29/868
【公开号】CN205264708
【申请号】CN201520989889
【发明人】陈利, 徐承福, 高耿辉, 姜帆
【申请人】厦门元顺微电子技术有限公司, 大连连顺电子有限公司, 友顺科技股份有限公司
【公开日】2016年5月25日
【申请日】2015年12月3日