一种单发射腔半导体激光器的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型属于半导体激光器技术领域，涉及一种单发射腔半导体激光器封装结构。
【背景技术】
[0002]半导体激光器的光纤耦合模块具有体积小、重量轻、可靠性高、使用寿命长、成本低的优点，目前已经广泛应用于国民经济的各个领域，比如激光显示、安防设备，夜视照明，医疗以及工业加工领域。
[0003]用于光纤耦合模块的单发射腔半导体激光器常用⑶C(Chipon carrier)封装形式，图1和图2均为现有常见的COC封装结构，包括绝缘基底I，激光芯片2和导电金线3，上述绝缘基底I上设置芯片安装区7和导电区4，芯片安装区7设置于绝缘基底I中部，芯片安装区7两侧各设置一个导电区4，芯片安装区7与其中一个导电区相连(作为正极区)，与另一个导电区(作为负极区)之间设置绝缘带，激光芯片的正极安装在芯片安装区，芯片负极通过金线与负极区连接。
[0004]在实际应用中，设置好导电区和芯片安装区的基底作为半成品提供给后端产品的生产者，由于上述基底结构在芯片安装之前已经决定了正极区和负极区的位置(靠近绝缘带的导电区为负极区)，图1为左正右负型(激光芯片的出光方向左边导电区为正极)，图2为左负右正型(激光芯片的出光方向右边导电区为正极)，所以对于后端光纤耦合器件的设计提出了限制，对于多个客户的提出的不同光纤耦合器件需求，这种基底半成品往往不具有兼容性，在生产中会造成库存分配不合理及积压。
【实用新型内容】
[0005]为克服现有技术不足，提供一种单发射腔半导体激光器，可以实现基底半成品的兼容，适应多种后端光纤耦合器件的应用。具体的技术方案为:
[0006]—种单发射腔半导体激光器，包括绝缘基底，激光芯片和导电金线;所述的绝缘基底上设置导电区，芯片安装区和绝缘带，所述的导电区包括导电区A和导电区B，芯片安装区设置于绝缘基底的中部，芯片安装区两侧分别依次设置导电区A，绝缘带，导电区B(芯片安装区两侧为对称结构);所述的导电区A与芯片安装区可实现电连通，导电区B与芯片安装区绝缘。所述的激光芯片正极键合于芯片安装区，所述的导电金线用于激光芯片负极与导电区B的电连接，或者导电区A与导电区B的电连接。
[0007]根据后端光纤耦合器件的封装需求，本实用新型的单发射腔半导体激光器可以有以下2种封装形式:
[0008]I)所述的激光芯片正极键合于芯片安装区，激光芯片出光方向左边的导电区A通过导电金线与激光芯片出光方向左边的导电区B连接，激光芯片的负极通过导电金线与激光芯片出光方向右边的导电区B连接。此种封装结构的电极连接方向为激光芯片出光方向的左边为正极区，激光芯片出光方向的右边为负极区。
[0009]2)所述的激光芯片正极键合于芯片安装区，激光芯片出光方向右边的导电区A通过导电金线与激光芯片出光方向右边的导电区B连接，激光芯片的负极通过导电金线与激光芯片出光方向左边的导电区B连接。此种封装结构的电极连接方向为激光芯片出光方向的右边为正极区，激光芯片出光方向的左边为负极区。
[0010]所述的绝缘基底为陶瓷材料，具体为氮化铝，或者氧化铝，或者氧化铍。
[0011 ]所述的绝缘基底的导电区为在绝缘基底上表面镀金属层，比如镀金层。
[0012]所述的芯片安装区为在绝缘基底表面上设置焊料层，用于将激光芯片键合在芯片安装区。焊料层材料为金錫，金锗，银铜。
[0013]所述的激光芯片为单发光点激光芯片。
[0014]本实用新型具有以下优点:
[0015]本实用新型所提出的绝缘基底，采用2条绝缘带结构，作为生产单发射腔半导体激光器的半成品具有通用和兼容性，可以根据后端光纤耦合器件的封装需求选择单发射腔半导体激光器的电极连接方向，适应多种后端光纤耦合器件需求，提高了生产效率，降低了生产成本。
【附图说明】
[0016]图1为现有的单发射腔半导体激光器的封装结构一。
[0017]图2为现有的单发射腔半导体激光器的封装结构二。
[0018]图3为本实用新型的绝缘基底的结构。
[0019]图4为本实用新型的单发射腔半导体激光器的实施例一。
[0020]图5为本实用新型的单发射腔半导体激光器的实施例二
[0021]附图标号说明:I为绝缘基底，2为激光芯片，3为导电金线，4为导电区，5为导电区A，6为导电区B，7为芯片安装区，8为绝缘带。
【具体实施方式】
[0022]本实用新型提出的单发射腔半导体激光器，包括绝缘基底I，激光芯片2和导电金线3。图3为绝缘基底I结构示意图，包括导电区，芯片安装区和绝缘带，所述的导电区包括导电区A5和导电区B6，芯片安装区7设置于绝缘基底I的中部，芯片安装区7两侧分别依次设置导电区A5，绝缘带8，导电区B6(芯片安装区两侧为对称结构)；所述的导电区A5与芯片安装区7可实现电连通，导电区B6与芯片安装区7绝缘。
[0023]所述的激光芯片2正极键合于芯片安装区7，所述的导电金线3用于激光芯片2负极与导电区B6的电连接，或者导电区A5与导电区B6的电连接。
[0024]上述激光芯片2为单发光点激光芯片。
[0025]根据后端光纤耦合器件的封装需求，本实用新型的单发射腔半导体激光器可以有以下2种封装形式:
[0026 ] I)如图4所示，所述的激光芯片2正极键合于芯片安装区7，激光芯片2出光方向为图4中箭头方向，激光芯片2出光方向右边的导电区A5通过导电金线与激光芯片2出光方向右边的导电区B6连接，激光芯片2的负极通过导电金线3与激光芯片出光方向左边的导电区B6连接。此种封装结构的电极连接方向为激光芯片出光方向的右边为正极区，激光芯片出光方向的左边为负极区。
[0027]2)如图5所示，所述的激光芯片2正极键合于芯片安装区7，激光芯片2出光方向为图5中箭头方向，激光芯片2出光方向左边的导电区A5通过导电金线3与激光芯片出光方向左边的导电区B6连接，激光芯片2的负极通过导电金线与激光芯片出光方向右边的导电区B6连接。此种封装结构的电极连接方向为激光芯片出光方向的左边为正极区，激光芯片出光方向的右边为负极区。
[0028]芯片安装区7为在绝缘基底表面上设置焊料层，用于将激光芯片2键合在芯片安装区I ο焊料层材料为金錫，金锗，银铜。
【主权项】
1.一种单发射腔半导体激光器，其特征在于:包括绝缘基底，激光芯片和导电金线；所述的绝缘基底上设置导电区，芯片安装区和绝缘带;所述的导电区包括导电区A和导电区B，芯片安装区设置于绝缘基底的中部，芯片安装区两侧分别依次设置导电区A，绝缘带，导电区B;所述的导电区A与芯片安装区电连通，导电区B与芯片安装区绝缘;所述的激光芯片正极键合于芯片安装区，所述的导电金线用于激光芯片负极与导电区B的电连接，或者导电区A与导电区B的电连接。2.根据权利要求1所述的单发射腔半导体激光器，其特征在于:所述的激光芯片出光方向左边的导电区A通过导电金线与激光芯片出光方向左边的导电区B连接，激光芯片的负极通过导电金线与激光芯片出光方向右边的导电区B连接。3.根据权利要求1所述的单发射腔半导体激光器，其特征在于:所述的激光芯片出光方向右边的导电区A通过导电金线与激光芯片出光方向右边的导电区B连接，激光芯片的负极通过导电金线与激光芯片出光方向左边的导电区B连接。4.根据权利要求1所述的单发射腔半导体激光器，其特征在于:所述的导电区为绝缘基底上表面镀金层。5.根据权利要求1所述的单发射腔半导体激光器，其特征在于:所述的绝缘基底材料为氮化铝，或者氧化铝，或者氧化铍。6.根据权利要求1所述的单发射腔半导体激光器，其特征在于:所述的激光芯片为单发光点激光芯片。
【专利摘要】本实用新型提供了一种单发射腔的半导体激光器的封装结构，包括绝缘基底，激光芯片和导电金线。所述的绝缘基底上设置导电区，芯片安装区和绝缘带，所述的导电区包括导电区A和导电区B，芯片安装区设置于绝缘基底的中部，芯片安装区两侧分别依次设置导电区A，绝缘带，导电区B。这种设置了两条绝缘带的绝缘基底结构，可以适应多种后端光纤耦合器件需求，具有较好的兼容性，提高了生产效率，降低了生产成本。
【IPC分类】H01S5/10, H01S5/022
【公开号】CN205265037
【申请号】CN201521045404
【发明人】刘亚龙, 梁雪杰, 贺永贵, 刘兴胜
【申请人】西安炬光科技股份有限公司
【公开日】2016年5月25日
【申请日】2015年12月16日