一种具有高机械强度性能的mocvd石墨盘的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种具有高机械强度性能的MOCVD石墨盘，包括有石墨盘本体，所述石墨盘本体的表面沉积有250?350nm厚的金红石型二氧化钛层。由于金红石型二氧化钛层和石墨不发生界面反应，有很好的化学相容性，且金红石型二氧化钛层具有优异的热稳定性、高熔点，高温力学性能好，因此将金红石型二氧化钛层与石墨盘相结合，可有效增强石墨盘的机械强度性能，防止石墨粉体进入反应腔，净化反应腔生长环境，从而极大提高半导体芯片质量。
【专利说明】
_种具有局机械强度性能的MOGVD石墨盘
技术领域
[0001]本实用新型涉及半导体设备设计和制造技术领域，尤其是指一种具有高机械强度性能的MOCVD石墨盘。
【背景技术】
[0002]能源是人类社会发展的重要基础资源。由于世界能源资源产地与能源消费中心相距较远，特别是随着世界经济的发展、世界人口的剧增和人民生活水平的不断提高，世界能源需求量持续增大。由此导致对能源资源的争夺日趋激烈、环境污染加重和环保压力加大，使得能源问题成为当今国际政治、经济、军事、外交关注的焦点。发展可再生能源已成为全球实现低碳能源转型的战略目标，也成为我国可持续生态化发展的重大需求。同时，化石能源对环境的污染和全球气候的影响将日趋严重。面对以上挑战，世界能源供应和消费将向多元化、清洁化、高效化、全球化和市场化趋势发展。
[0003]鉴于国情，我国应特别注意依靠科技进步和政策引导，提高能源利用效率，寻求能源的清洁化利用，积极倡导能源、环境和经济的可持续发展，并积极借鉴国际先进经验，建立和完善我国能源安全体系。
[0004]半导体芯片行业的快速发展，MOCVD设备单炉产量的扩大，首先表现为石墨盘的尺寸扩大，从而导致石墨盘对生长环境影响越来越大，尤其是高端芯片，对生长环境要求严苛。目前MOCVD石墨盘在高温真空条件下易产生石墨粉体，释放吸附气体，耐磨损性较差，从而在生长半导体芯片过程中，污染工艺生长环境，极大降低半导体芯片的质量，严重制约了MOCVD的使用。因此提出一种降低石墨盘对反应腔环境影响结构具有重大意义。
【发明内容】
[0005]本实用新型的目的在于克服现有技术的不足与缺点，提出一种具有高机械强度性能的MOCVD石墨盘，可极大提尚半导体芯片质量。
[0006]为实现上述目的，本实用新型所提供的技术方案为:一种具有高机械强度性能的MOCVD石墨盘，包括有石墨盘本体，所述石墨盘本体的表面沉积有250-350nm厚的金红石型二氧化钛层。
[0007]所述石墨盘本体上的衬底坑位的排布方式为58片X2英寸、24片X 3英寸、27片X 3英寸、15片X4英寸、6片X6英寸、5片X6英寸、13片X4英寸、14片X4英寸、31片X 3英寸、50片X 2英寸中的一种。
[0008]本实用新型与现有技术相比，具有如下优点与有益效果:
[0009]由于金红石型二氧化钛层和石墨不发生界面反应，有很好的化学相容性，且金红石型二氧化钛层具有优异的热稳定性、高熔点，高温力学性能好，因此将金红石型二氧化钛层与石墨盘相结合，可有效增强石墨盘的机械强度性能，防止石墨粉体进入反应腔，净化反应腔生长环境，从而极大提高半导体芯片质量。
【附图说明】
[0010]图1为本实用新型所述MOCVD石墨盘的剖视图。
[0011 ]图2为本实用新型所述MOCVD石墨盘的衬底坑位排布方式组合图。
【具体实施方式】
[0012]下面结合具体实施例对本实用新型作进一步说明。
[0013]如图1所示，本实施例所述的MOCVD石墨盘，包括有石墨盘本体I，所述石墨盘本体I的表面沉积有一层金红石型二氧化钛层2，该金红石型二氧化钛层2的厚度为250-350nm，而在本实施例中优选为300nm。此外，所述石墨盘本体上的衬底坑位排布方式有10种，分别有58片X 2英寸、24片X 3英寸、27片X 3英寸、15片X4英寸、6片X6英寸、5片X6英寸、13片X4英寸、14片X4英寸、31片X3英寸、50片X2英寸等，具体如图2所示。
[0014]下面为本实施例上述MOCVD石墨盘的制作过程，如下:
[0015]1、将待处理石墨盘清洗干净；
[0016]2、利用化学气相沉积在石墨盘表面沉积一层金红石型二氧化钛，此金红石型二氧化钛层厚度为300nm，沉积温度为800-1000度，沉积气体为氩气、氢气，源气体为金红石型二氧化钛固体颗粒，沉积时间为5-30分钟，而后即可得到所需的具有高机械强度性能的MOCVD
石墨盘。
[0017]由于金红石型二氧化钛层和石墨不发生界面反应，有很好的化学相容性，且金红石型二氧化钛层具有优异的热稳定性、高熔点，高温力学性能好，因此将金红石型二氧化钛层与石墨盘相结合，可有效增强石墨盘的机械强度性能，防止石墨粉体进入反应腔，净化反应腔生长环境，从而极大提高半导体芯片质量，值得推广。
[0018]以上所述之实施例子只为本实用新型之较佳实施例，并非以此限制本实用新型的实施范围，故凡依本实用新型之形状、原理所作的变化，均应涵盖在本实用新型的保护范围内。
【主权项】
1.一种具有高机械强度性能的MOCVD石墨盘，包括有石墨盘本体，其特征在于:所述石墨盘本体的表面沉积有250-350nm厚的金红石型二氧化钛层。2.根据权利要求1所述的一种具有高机械强度性能的MOCVD石墨盘，其特征在于:所述石墨盘本体上的衬底坑位的排布方式为58片X 2英寸、24片X 3英寸、27片X 3英寸、15片X4英寸、6片X 6英寸、5片X 6英寸、13片X 4英寸、14片X4英寸、31片X 3英寸、50片X 2英寸中的一种。
【文档编号】H01L21/673GK205488075SQ201620207598
【公开日】2016年8月17日
【申请日】2016年3月17日
【发明人】杨鹏, 杨翠柏, 张小宾, 张杨, 方聪, 刘向平, 靳恺, 王雷, 高熙隆
【申请人】中山德华芯片技术有限公司