一种50瓦20dB的氧化铍陶瓷基板衰减片的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种50瓦20dB的氧化铍陶瓷基板衰减片，所述厚膜电路衰减片包括一氧化铍基板，所述氧化铍基板背面无电路非金属化，所述氧化铍基板正面设有输入电极、输出电极、第一膜状电阻、第二膜状电阻、第三膜状电阻、第一接地导线、第二接地导线和第三接地导线，所述输入电极、第一膜状电阻、第二膜状电阻、第三膜状电阻和输出电极依次串联形成卡片式衰减网络，第一接地导线连接第一膜状电阻，第二接地导线连接第二膜状电阻，第三接地导线连接第三膜状电阻，所述第一膜状电阻的输入端连接有第一焙银，所述第三膜状电阻的输出端连接有第二焙银。本实用新型结构简单，使用方便，体积小，衰减平坦度好阻值精度和衰减精度高，重复性好。
【专利说明】
一种50瓦20dB的氧化铍陶瓷基板衰减片
技术领域
[0001]本实用新型涉及一种氧化铍陶瓷基板衰减片，特别涉及一种氧化铍陶瓷基板50瓦20dB的衰减片。
【背景技术】
[0002]氧化铍陶瓷基板50瓦20dB的衰减片是同轴固定衰减器芯片的一种，广泛应用在微波通讯、雷达等设备中。衰减器是一个功率消耗元件，不能对两端电路有影响。目前市场上的大功率衰减片精度少数能达到4GHz，满足不了8GHz频段应用要求。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型为了解决上述问题，从而提供一种50瓦20dB的氧化铍陶瓷基板衰减片。
[0004]为达到上述目的，本实用新型的技术方案如下:
[0005]—种50瓦20dB的氧化铍陶瓷基板衰减片，所述氧化铍陶瓷基板衰减片包括一氧化铍基板，所述氧化铍基板背面无电路非金属化，所述氧化铍基板正面设有输入电极、输出电极、第一膜状电阻、第二膜状电阻、第三膜状电阻、第一接地导线、第二接地导线和第三接地导线，所述输入电极、第一膜状电阻、第二膜状电阻、第三膜状电阻和输出电极依次串联形成卡片式衰减网络，第一接地导线连接第一膜状电阻，第二接地导线连接第二膜状电阻，第三接地导线连接第三膜状电阻，所述第一膜状电阻的输入端连接有第一焙银，所述第三膜状电阻的输出端连接有第二焙银。
[0006]在本实用新型的一个优选实施例中，所述第一膜状电阻、第二膜状电阻和第三膜状电阻分别通过激光调阻机进行激光调阻，所述第一膜状电阻输入端和第三膜状电阻输出端分别与接地端的阻抗为50±I Ω。
[0007]在本实用新型的一个优选实施例中，所述氧化铍基板的体积为61*12.6*1.2mm。
[0008]在本实用新型的一个优选实施例中，第一接地导线、第二接地导线和第三接地导线分别位于第一膜状电阻、第二膜状电阻和第三膜状电阻的中心位置，为偏心结构。
[0009]本实用新型的有益效果是:
[0010]本实用新型结构简单，使用方便，体积小，衰减平坦度好阻值精度和衰减精度高，
重复性好。
[0011]本实用新型可广泛应用于航空、航天、雷达、电台、广播通讯等设备领域隔离器、环形器等微波产品的生产。
【附图说明】
[0012]为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0013]图1为本实用新型的结构示意图。
【具体实施方式】
[0014]为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本实用新型。
[0015]参见图1，本实用新型提供的50瓦20dB的氧化铍陶瓷基板衰减片，其包括一氧化铍基板100。
[0016]氧化铍基板100的体积具体为61*12.6*1.2mm，其背面无电路非金属化，在其正面设有输入电极200、输出电极300、第一膜状电阻410、第二膜状电阻420、第三膜状电阻430、第一接地导线510、第二接地导线520和第三接地导线530。
[0017]输入电极200、第一膜状电阻410、第二膜状电阻420、第三膜状电阻430和输出电极300依次串联可形成一卡片式衰减网络，当信号通过第一膜状电阻410输入端进入到厚膜电路衰减片后，可通过第一膜状电阻410、第二膜状电阻420、第三膜状电阻430对功率进行逐级吸收，最后通过第三膜状电阻430输出端输出实际所需要的信号，这样可达到驻波小，频带宽的要求。
[0018]另外，为了提高吸收效率，第一膜状电阻410和第三膜状电阻430的体积相同，第二膜状电阻420是第一膜状电阻410或第三膜状电阻430体积的两倍。
[0019]第一接地导线510对应连接第一膜状电阻410，第二接地导线520对应连接第二膜状电阻420，第三接地导线530对应连接第三膜状电阻430，这样输入电极200、第一膜状电阻410、第二膜状电阻420、第三膜状电阻430和输出电极300依次串联形成的卡片式衰减网络可通过第一接地导线510、第二接地导线520和第三接地导线530接地导通。
[0020]另外，第一接地导线510、第二接地导线520和第三接地导线530分别位于第一膜状电阻410、第二膜状电阻420和第三膜状电阻430的中心位置，为偏心结构。
[0021]第一膜状电阻410、第二膜状电阻420和第三膜状电阻430分别通过厚膜工艺制成，第一膜状电阻410的输出端连接有第一焙银600，第三膜状电阻430的输入端连接有第二焙银700。
[0022]第一膜状电阻410、第二膜状电阻420和第三膜状电阻430分别通过激光调阻机进行激光调阻，第一膜状电阻410的输入端和第三膜状电阻430的输出端分别与接地端的阻抗为50± I Ω，这样使得厚膜电路衰减片的特性阻抗为50 Ω、频率为4GHz、功率容量为100W。
[0023]以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
【主权项】
1.一种50瓦20dB的氧化铍陶瓷基板衰减片，其特征在于，所述氧化铍陶瓷基板衰减片包括一氧化铍基板，所述氧化铍基板背面无电路非金属化，所述氧化铍基板正面设有输入电极、输出电极、第一膜状电阻、第二膜状电阻、第三膜状电阻、第一接地导线、第二接地导线和第三接地导线，所述输入电极、第一膜状电阻、第二膜状电阻、第三膜状电阻和输出电极依次串联形成卡片式衰减网络，第一接地导线连接第一膜状电阻，第二接地导线连接第二膜状电阻，第三接地导线连接第三膜状电阻，所述第一膜状电阻的输入端连接有第一焙银，所述第三膜状电阻的输出端连接有第二焙银。2.根据权利要求1所述的一种50瓦20dB的氧化铍陶瓷基板衰减片，其特征在于，所述第一膜状电阻、第二膜状电阻和第三膜状电阻分别通过激光调阻机进行激光调阻，所述第一膜状电阻输入端和第三膜状电阻输出端分别与接地端的阻抗为50±1 Ω。3.根据权利要求1所述的一种50瓦20dB的氧化铍陶瓷基板衰减片，其特征在于，所述氧化铍基板的体积为61*12.6*1.2mm。4.根据权利要求1所述的一种50瓦20dB的氧化铍陶瓷基板衰减片，其特征在于，第一接地导线、第二接地导线和第三接地导线分别位于第一膜状电阻、第二膜状电阻和第三膜状电阻的中心位置，为偏心结构。
【文档编号】H01P1/22GK205564938SQ201521083954
【公开日】2016年9月7日
【申请日】2015年12月22日
【发明人】周敏, 戴林华, 周蕾
【申请人】上海华湘计算机通讯工程有限公司