专利名称：浪涌抑制电路的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种电源保护电路，特别是一种浪涌抑制电路。
背景技术：
电源开关瞬间会产生浪涌电压及浪涌电流，浪涌电压及浪涌电流过大就会损坏用电器或电源内部元件。业界通常利用负温度系数热敏电阻(NTC)来抑制浪涌电压，利用NTC在常温状态下具有较高阻值来限制浪涌电流，上电后由于电流通过NTC使其发热，从而使其电阻值降低以减小功率损耗。此种方法简单易行，但存在的问题是限制浪涌电流性能受环境温度和NTC的初始温度影响，在环境温度较高或在上电时间间隔很短时，NTC起不到限制浪涌电流的作用，即无法抑制浪涌电压。
业界常用的另一种浪涌抑制方法是采用串联限流电阻，这种方法的优点是简单，可靠性高，允许在宽环境温度范围内工作，其缺点是限流电阻上有损耗，降低了电源效率。事实上电源开机并处于稳态工作后，这一限流电阻的限流作用已完成，仅起到消耗功率、发热的负作用。
发明内容
鉴于以上内容，有必要提供一种浪涌抑制电路，可以有效抑制电源开关时产生的浪涌电压，并在电源稳定工作时不影响电压输出，减小非必要的功率损耗。
一种浪涌抑制电路，包括一电压输入端、一电压输出端、一场效应管、一晶体管、一电容、一第一电阻及一第二电阻，所述电压输入端分别与所述场效应管的源极及所述晶体管的发射极连接，所述电压输入端还通过所述第一电阻与所述场效应管的漏极连接，所述晶体管的集电极通过所述第二电阻接地，所述晶体管的基极分别与所述晶体管的集电极及所述场效应管的栅极和漏极连接，所述场效应管的漏极通过电容接地，所述场效应管的漏极还与所述电压输出端连接。
本发明提供了一种浪涌抑制电路，可有效抑制浪涌电压，并且由于场效应管内阻较小，有效降低了稳定工作时的功率损耗，此外还可提供短路负载保护功能。
下面结合附图及较佳实施方式对本发明作进一步详细描述图1是本发明浪涌抑制电路较佳实施方式的电路图。
具体实施例方式
请参考图1，本发明浪涌抑制电路10包括一电压输入端Vin、一电压输出端Vout、一场效应管Q1、一晶体管Q2、一电容C及两电阻R1和R2，所述场效应管Q1为N沟道功率MOS管，所述晶体管Q2为双极型PNP晶体管，所述电压输入端Vin分别与所述场效应管Q1的源极S及所述晶体管Q2的发射极E连接，所述电压输入端Vin还通过所述电阻R1与所述场效应管Q1的漏极D连接，所述晶体管Q2的集电极C通过所述电阻R2接地，所述晶体管Q2的基极B分别与所述晶体管Q2的集电极C及所述场效应管Q1的栅极G和漏极D连接，所述场效应管Q1的漏极D通过电容C接地，所述场效应管Q1的漏极D还与所述电压输出端Vout连接。
所述电压输入端Vin与一外部电源连接后，当外部电源打开时，所述浪涌抑制电路10启动，所述晶体管Q2导通，使所述场效应管Q1保持断开，直到所述电容C两端的电压升高到足以关断所述晶体管Q2时为止，在此时间段内，所述电阻R1为电容C及浪涌抑制电路10中其它组件提供启动电流。当所述电容C两端电压升高使所述晶体管Q2的压降低于导通电压时，所述晶体管Q2断开，所述场效应管Q1导通并在所述电阻R1两端提供一条低阻传输通道，所述电压输入端Vin的输入电压从所述电压输出端Vout输出至一用电器。当外部电源关闭使电压输入端Vin无电压输入时，所述浪涌抑制电路10随电容C放电而复位。
此外，随着通过场效应管Q1的电流增大，所述场效应管Q1两端的压降也由于其内部存在导通电阻而增大，当所述场效应管Q1两端的电压降至约0.6V，即等于所述晶体管Q2的导通电压时，所述晶体管Q2导通且所述场效应管Q1断开，迫使负载电流通过电阻R1，使负载电流减小。因此，当所述用电器发生短路时，所述浪涌抑制电路10可通过电阻R1减小负载电流，有效保护电源及用电器不发生短路烧毁，短路消除后，晶体管Q2断开且场效应管Q1导通，电路恢复正常工作。由于所述场效应管Q1的导通电阻充当短路负载保护功能的检测电阻器，故短路门限电流可随所述场效应管Q1的特性而变化，通过选择电阻R1值与所述场效应管Q1的导通电阻特性即可调整所述场效应管Q1的导通和断开阀值。
上述浪涌抑制电路10不仅可以有效抑制浪涌电压，而且降低了浪涌电路的功率损耗，并提供短路负载保护功能，可有效保护电源及用电器不受浪涌电压影响，保证电源及用电器的稳定工作。
权利要求
1.一种浪涌抑制电路，包括一电压输入端、一电压输出端、一场效应管、一晶体管、一电容、一第一电阻及一第二电阻，所述电压输入端分别与所述场效应管的源极及所述晶体管的发射极连接，所述电压输入端还通过所述第一电阻与所述场效应管的漏极连接，所述晶体管的集电极通过所述第二电阻接地，所述晶体管的基极分别与所述晶体管的集电极及所述场效应管的栅极和漏极连接，所述场效应管的漏极通过电容接地，所述场效应管的漏极还与所述电压输出端连接。
2.如权利要求1所述的浪涌抑制电路，其特征在于所述场效应管为N沟道功率MOS管。
3.如权利要求1或2所述的浪涌抑制电路，其特征在于所述晶体管为双极型PNP晶体管。
全文摘要
一种浪涌抑制电路，包括一电压输入端、一电压输出端、一场效应管、一晶体管、一电容、一第一电阻及一第二电阻，所述电压输入端分别与所述场效应管的源极及所述晶体管的发射极连接，所述电压输入端还通过所述第一电阻与所述场效应管的漏极连接，所述晶体管的集电极通过所述第二电阻接地，所述晶体管的基极分别与所述晶体管的集电极及所述场效应管的栅极和漏极连接，所述场效应管的漏极通过电容接地，所述场效应管的漏极还与所述电压输出端连接。本发明提供了一种浪涌抑制电路，可有效抑制浪涌电压，并且由于晶体管内阻较小，有效降低了稳定工作时的功率损耗，此外还可提供短路负载保护功能。
文档编号H02H9/04GK101079546SQ20061006079
公开日2007年11月28日 申请日期2006年5月26日 优先权日2006年5月26日
发明者彭敏, 甘小林, 何友光 申请人:鸿富锦精密工业(深圳)有限公司, 鸿海精密工业股份有限公司