专利名称：陶瓷-金属封接的高压真空穿墙件的制作方法
技术领域：
本实用新型主要涉及电真空领域，在真空情况下的电功率馈人器件。
技术背景目前在电真空领域的穿墙件中，传递弱电流或低电压信号的器件应用广泛，比较成 熟，种类也很多，如单芯的、多芯的等等。如果期望通过对现有器件的简单放大，来达 到传递大电流或高电压的目的，涉及很多无法解决的工艺问题，不可行。因此研制这样 器件显得十分有意义，解决在真空情况下大的电功率馈人问题。实用新型内容本实用新型的目的在于避免现有技术的不粒处而掛共一种陶瓷-金属封接的高压真空 穿墙件，具有低电感、高耐压、大电流、高真空、^i口、小的特点。本实用新型的目的可以通过采用以下技术方案来实现: 一种陶瓷-金属封接的高压真 空穿墙件，包括有内导体(7)，其两端为电缆接线端，外部设有内陶瓷绝缘套(6)，其主 要特点在于在内陶瓷绝缘套(6)的外部设有相固连的外导体大环(4)和外导体小环(5)，在外导体大环(4)与接地导体(2)之间设有外陶瓷绝缘环(3)，真空法兰(1) 设于接地导体(2)的外环，并与之相连接。所述的陶瓷-金属封接的高压真空穿墙件，所述的接地导体(2)、外导体大环(4) 和外导体小环(5)为一端是平面的开口匡形，开口匡形的封闭端面在一个平面上。本实用新型的有益效果是外导体大环(4)和外导体小环(5)与内导体(7)之间 的耐压可达到60KV以上；真空法兰(1)和接地导体(2)与外导体大环(4)和外导体 小环(5)之间的耐压可达到20KV以上；整个陶瓷-金属封接的高压真空穿墙件的真空 漏率好于1X l(r1QPa 1/s;电感值实测为0.08 u H;大截面的导体结构可以承载数千安培 的电流。3
-图1为本实用新型的结构示意图l一真空法兰 2—接地导体3—外陶瓷绝缘环 4—外导体大环 5—外导体小环6—内陶瓷绝缘套7—内导体具体实施方式
以下结合附图所示之最佳实施例作进一步详述实施例1 :见图1， 一种陶瓷-金属封接的高压真空穿墙件，包括有内导体7,其两端为 电缆接线端，外部设有内陶瓷绝缘套6，在内陶瓷绝缘套6的外部设有相固连的外导体 大环4和外导体小环5，在外导体大环4与接地导体2之间设有外陶瓷绝缘环3，真空法 兰1设于接地导体2的外环，并与之相连接。所述的接地导体2、外导体大环4和外导 体小环5为一端是平面的开口匡形，开口匡形的封闭端面在一个平面上。生产时，接地导体2与外陶瓷绝缘环3与外导体大环4之间进行陶瓷-金属封接；外 导体小环5与内陶瓷绝缘套6与内导体7之间进行陶瓷-金属封接；最后将真空法兰1 与上述两组陶瓷-金属封接件之间氩弧焊焊接为一体。使用时，将真空法兰1连结于大气与真空的隔离"墙"上，"墙"内外的电缆接线 分别与内导体7两端相连接，实现一路馈入；外导体大环4和外导体小环5可以实现另 一路馈入；接地导体2可以保证整个装置良好地接地性能。
权利要求1.一种陶瓷-金属封接的高压真空穿墙件，包括有内导体(7)，其两端为电缆接线端，外部设有内陶瓷绝缘套(6)，其特征在于在内陶瓷绝缘套(6)的外部设有相固连的外导体大环(4)和外导体小环(5)，在外导体大环(4)与接地导体(2)之间设有外陶瓷绝缘环(3)，真空法兰(1)设于接地导体(2)的外环，并与之相连接。
2. 如权利要求1所述的陶瓷-金属封接的高压真空穿墙件，其特征在于所述的接地导 体(2)、外导体大环(4)和外导体小环(5)为一端是平面的开口匡形，开口匡形 的封闭端面在一个平面上。
专利摘要本实用新型主要涉及电真空领域，在真空情况下的电功率馈人器件。所述的陶瓷-金属封接的高压真空穿墙件，包括有内导体(7)，其两端为电缆接线端，外部设有内陶瓷绝缘套(6)，其主要特点在于在内陶瓷绝缘套(6)的外部设有相固连的外导体大环(4)和外导体小环(5)，在外导体大环(4)与接地导体(2)之间设有外陶瓷绝缘环(3)，真空法兰(1)设于接地导体(2)的外环，并与之相连接。本实用新型的有益效果是其耐压性能增强，整个陶瓷-金属封接的高压真空穿墙件的真空漏率好于1×10<sup>-10</sup>Pa·l/s；电感值实测为0.08μH；大截面的导体结构可以承载数千安培的电流。
文档编号H02G3/22GK201174556SQ20082002867
公开日2008年12月31日 申请日期2008年3月20日 优先权日2008年3月20日
发明者张军辉, 张小奇, 韩少斐, 马力祯 申请人:中国科学院近代物理研究所