低电容过电压保护模块的制作方法

文档序号:7424791阅读:299来源:国知局
专利名称:低电容过电压保护模块的制作方法
技术领域
本发明是对通迅用抗浪涌保护器件的改进,尤其涉及一种具有三端平衡低电容过 电压保护模块。
背景技术
申请人:在先申请专利03278784. 7过电压保护用半导体抗浪涌器件,通过在固体 放电芯片一端或二端串接有反并联二极管,从而大大降低了极间电容,使之能够适应高频、 宽带通讯要求,同时也仍然可以用于低频通讯的过电压、抗浪涌保护。然而由于其采用二 端保护,所以只能保护通迅二线间过电压,使用范围受到限制,而在某些线路中需要三端保 护,即二线间、以及二线与地线间的过电压、抗浪涌保护,例如程控交换机总配线架保安单 元,用此二端保护器件,必须要用三组将其呈三角形组合才能实现,增加了保护单元的成 本,不利于保安单元的小型化。国外有三端平衡保护用模块,它由三个放电管,通过Y(图3)或者三角形(图4) 接法,实现三端平衡保护。三个放电管三角形连接,造成极间电容很大约200pF,由于极间电 容大,易造成信号被旁路,因此只能用于低频(例如< IOMHz)通迅线路、器材保护,不适用 于高速(例如彡100MHz)通迅网络;三个放电管Y型接法,虽然可以降低极间电容,但电容 仍相对较大,约在80PF左右,同样不能满足高频场合使用要求。其次,采用三个放电管,同 样也造成保安单元成本增加。因此仍有值得改进的地方。

发明内容
本发明目的在于克服上述已有技术的不足,提供一种成本低,极间电容小,能够实 现三端平衡保护的低电容过电压保护模块。本发明目的实现,主要改进是在固体放电芯片二端,一端串接3个负极相并的二 极管,另一端串接3个正极相并的二极管,使保护模块具有三端结构,从而可以实现三端保 护,实现本发明目的。具体说,本发明低电容过电压保护模块,包括固体放电芯片及两端分 别串接有二极管,其特征在于固体放电芯片一端串接3个负极相并的二极管,另一端串接3 个正极相并的二极管,并且分别将固体放电芯片一端的一个二极管与另一端的一个二极管 相联形成至少三个输出端。本发明所说固体放电芯片与二极管,与申请人在先申请专利所述相同。为降低成本,所说二极管,可以采用未加封装的。为进一步降低极间电容,还可以在各二极管另一端串联一或几个同向二极管。本发明低电容过电压保护模块,相对于现有技术,由于在固体放电芯片两端分别 串接有三个二极管,从而使得保护模块由二端保护结构变为三端保护结构,因此能够用于 三端保护线路,并且保持了原二端结构的低电容特性,有效避免了因采用减小固体放电管 芯片面积来降低极间电容,而导致电性能的下降,保护功能减弱。本发明只需一个固体放电 芯片,外加6个二极管,较申请人在先申请专利二端保护,只是增加了二个二极管,而在使用上较原需三组三角形组合,不仅减少了 6个二极管和二个放电管芯片,还减少了二次封 装,成本可以降低60%以上,并且可以实现小体积化。较国外三个放电管三角形或者Y接 法,不仅可以达到低电容(例如S30PF)性能,而且可以降底成本40%以上。是一种含盖低 频通讯和高频、宽带通讯新型低电容过电压保护模块,扩大了半导体抗浪涌器件使用范围。以下结合二个具体实施例,示例性说明及帮助进一步理解本发明,但实施例具体 细节仅是为了说明本发明,并不代表本发明构思下全部技术方案,因此不应理解为对本发 明总的技术方案限定,一些在技术人员看来,不偏离本发明构思的非实质性增加和/或改 动,例如以具有相同或相似技术效果的技术特征简单改变或替换,均属本发明保护范围。


图1为本发明第一实施例电路结构图。图2为本发明第二实施例电路结构图。图3为现有技术三个放电管Y型接法三端平衡过电压保护模块电路结构图。图4为现有技术三个放电管Δ型接法三端平衡过电压保护模块电路结构图。
具体实施例方式实施例1 参见图1,本发明低电容过电压保护模块,由一个SA230固体放电芯片 1,一端串接3个负极相并的二极管2. 2,2. 4,2. 6,另一端串接3个正极相并的二极管2. 1、 2. 3,2. 5,并使固体放电芯片一端的一个二极管2. 1与另一端的一个二极管2. 2相联形成相 同二个输出端(TIP端),固体放电芯片一端的另一个二极管2. 3与另一端的另一个二极管 2. 4相联形成另一个相同二个输出端(RING端),其余二个二极管形成二个共用接地端(地 线端)。此结构可以封装成6个引出脚形式。其中所有二极管采用未封装形式。实施例2 参见图2,由一个SA230固体放电芯片1,一端串接3个负极相并的二极 管2. 2,2. 4,2. 6,另一端串接3个正极相并的二极管2. 1,2. 3,2. 5,固体放电芯片一端的一 个二极管2. 1与另一端的一个二极管2. 2相联形成一个输出端(TIP端),固体放电芯片一 端的另一个二极管2. 3与另一端的另一个二极管2. 4相联形成另一个输出端(RING端),其 余二个二极管2. 5与2. 6相联形成一个接地端(地线端)。此结构用于封装成3个引出脚 形式。其中所有二极管采用未封装形式。对于本领域技术人员来说,在本专利构思及具体实施例启示下,能够从本专利公 开内容及常识直接导出或联想到的一些变形,本领域普通技术人员将意识到也可采用其他 方法,或现有技术中常用公知技术的替代,以及特征间的相互不同组合,例如各二极管另一 端还可以串联有一或几个同向二极管,二极管还可以采用封装结构的,以及将其制成分立 元件的,等等的非实质性改动,同样可以被应用,都能实现与上述实施例基本相同功能和效 果,不再一一举例展开细说,均属于本专利保护范围。
权利要求
低电容过电压保护模块,包括固体放电芯片及两端分别串接有二极管,其特征在于固体放电芯片一端串接3个负极相并的二极管,另一端串接3个正极相并的二极管,并且分别将固体放电芯片一端的一个二极管与另一端的一个二极管相联形成至少三个输出端。
2.根据权利要求1所述低电容过电压保护模块,其特征在于所说二极管为未封装的。
3.根据权利要求1或2所述低电容过电压保护模块,其特征在于各二极管另一端还可 以串联一或几个同向二极管。
全文摘要
本发明是对通讯用抗浪涌保护器件——低电容过电压保护模块的改进,其特征是固体放电芯片一端串接3个负极相并的二极管,另一端串接3个正极相并的二极管,并且固体放电芯片一端的一个二极管与另一端的一个二极管相联形成至少三个输出端。从而使得保护模块由二端保护结构变为三端保护结构,能够用于三端保护线路,并且保持了原二端结构的低电容特性,不会因降低极间电容,而导致电性能的下降,保护功能减弱。分别较二端结构和三个固体放电芯片组合结构,可以降低成本60%以上,和40%以上,并且可以实现小体积化。是一种含盖低频通讯和高频、宽带通讯新型低电容过电压保护模块,扩大了半导体抗浪涌器件使用范围。
文档编号H02H9/04GK101997308SQ200910034049
公开日2011年3月30日 申请日期2009年8月19日 优先权日2009年8月19日
发明者王全 申请人:江苏东光微电子股份有限公司
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