专利名称：具宽幅输入电压范围的双开关返驰式功率转换器的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种双开关功率转换器，特别是指一种具宽幅输入电压范围的双开关返驰式功率转换器。
背景技术：
准谐振运作是柔性切换技术中的其中一种，在切换式功率转换器中，一高反射电压将有助于达到准谐振运作，所以切换式功率转换器可操作于较高的切换频率而同时具有一高效率，以减少功率变压器的尺寸，其相关前案如美国专利第7，4 ，120号的 “Switching control circuit having a valley voltage detector toachieve soft switching for a resonant power converter，，。 i青#=1 !! 1,^^M^^^-MJf^M^t^ 功率转换器的电路图。如图所示，一功率变压器10包含一一次侧绕组Np与一二次侧绕组 Ns,功率变压器10的一次侧绕组Np具有一第一端与一第二端。功率变压器10的二次侧绕组Ns用以透过一整流器40与一输出电容45产生功率转换器的一输出电压V。。二次侧绕组 Ns的一第一端耦接至整流器40的一阳极，输出电容45是耦接至整流器40的一阴极与二次侧绕组Ns的一第二端之间。一高压侧晶体管20自一输入电压Vin耦接至一次侧绕组Np的第一端。一电解电容 50的一正极耦接至输入电压Vin，且电解电容50的一负极耦接至一接地端。一低压侧晶体管30是自一次侧绕组Np的第二端耦接至接地端。一第一二极管35自一次侧绕组Np的第二端耦接至输入电压VIN。一第二二极管25耦接于接地端与一次侧绕组Np的第一端之间。一低压侧切换讯号S1是用以驱动低压侧晶体管30，且一高压侧切换讯号&是用以驱动高压侧晶体管20。当低压侧晶体管20与高压侧晶体管30两者同时截止时，功率变压器10 (—次侧绕组Np)的漏电感(图未示)中所储存的电能将会透过二极管25与35被回收至电解电容50，以达成省能目的。此外，当高压侧晶体管20与低压侧晶体管30截止时， 功率变压器10的一反射电压将产生于一次侧绕组NP，反射电压是关联于输出电压\与功率变压器10的匝数比例NP/NS。若反射电压高于输入电压Vin，功率变压器10所储存的电能将会在高压侧晶体管20与低压侧晶体管30截止时，被释放至电解电容50，而不会传送至输出电压\。因此，此功率转换器的缺点在于输入电压Vin低于反射电压时，输出电压\将会降低。
发明内容
本发明的目的之一，在于让功率转换器运作在一宽幅输入电压范围。本发明的另一目的，在于让功率变压器具一高反射电压。本发明的技术方案是这样实现的一种具一宽幅输入电压范围的双开关功率转换器，其包含一输入二极管，自该双开关功率转换器的一输入电压耦接至一高压端，以防止来自于一功率变压器的一反射电压；
一电能储存电容，并联该输入二极管；一高压侧晶体管，自该高压端耦接至该功率变压器；一低压侧晶体管，自该功率变压器耦接至一接地端；一第一二极管，自该功率变压器耦接至该高压端；一第二二极管，自该接地端耦接至该功率变压器；以及一切换控制电路，耦接该双开关功率转换器的一输出电压，以产生一切换讯号，用于调整该双开关功率转换器；其中，该切换讯号驱动该高压侧晶体管与该低压侧晶体管。本发明中，其中该高压侧晶体管与该低压侧晶体管是同步导通/截止。本发明中，其中该切换控制电路包含一高压侧驱动电路与一低压侧驱动电路，以分别依据该切换讯号驱动该高压侧晶体管与该低压侧晶体管。本发明中，其中该切换控制电路包含一充电泵电路，用于提供一供应电源，以驱动该高压侧晶体管。本发明中，其中该电能储存电容储存该反射电压与该功率变压器的一漏电感的一电能，该电能储存电容所储存的该电能会透过该功率变压器的切换而被回收至该输出电压。本发明还同时公开了一种具一宽幅输入电压范围的切换式功率转换器，其包含一输入二极管，自该切换式功率转换器的一输入电压耦接至一高压端，以防止来自于一功率变压器的一反射电压；一电能储存电容，自该高压端耦接至一接地端；一高压侧晶体管，自该高压端耦接至该功率变压器；一低压侧晶体管，自该功率变压器耦接至该接地端；一第一二极管，自该功率变压器耦接至该高压端；一第二二极管，自该接地端耦接至该功率变压器；以及—切换控制电路，耦接该切换式功率转换器的一输出电压，以产生一切换讯号，用于调整该切换式功率转换器；其中，该切换讯号驱动该高压侧晶体管与该低压侧晶体管。本发明中，其中该高压侧晶体管与该低压侧晶体管是同步导通/截止。本发明中，其中该切换控制电路包含一高压侧驱动电路与一低压侧驱动电路，以分别依据该切换讯号驱动该高压侧晶体管与该低压侧晶体管。 本发明中，其中该切换控制电路包含一充电泵电路，用于提供一供应电源，以驱动该高压侧晶体管。本发明中，其中该电能储存电容储存该反射电压与该功率变压器的一漏电感的一电能，该电能储存电容所储存的该电能会透过该功率变压器的切换而被回收至该输出电压。本发明还同时公开了一种具一宽幅输入电压范围的返驰式功率转换器，其包含一输入二极管，自该返驰式功率转换器的一输入电压耦接至一高压端，以防止来自于一功率变压器的一反射电压；一高压侧晶体管，自该高压端耦接至该功率变压器；
一低压侧晶体管，自该功率变压器耦接至一接地端；—低压侧二极管，自该接地端耦接至该功率变压器；一电能储存电容，耦接至该接地端；一第一高压侧二极管，自该功率变压器耦接至该电能储存电容；一第二高压侧二极管，自该电能储存电容耦接至该高压端；以及一切换控制电路，耦接至该返驰式功率转换器的一输出电压，以产生一切换讯号， 用于调整该返驰式功率转换器；其中，该切换讯号驱动该高压侧晶体管与该低压侧晶体管。本发明中，其中该高压侧晶体管与该低压侧晶体管是同步导通/截止。本发明中，其中该切换控制电路包含一高压侧驱动电路与一低压侧驱动电路，以分别依据该切换讯号驱动该高压侧晶体管与该低压侧晶体管。本发明中，其中该切换控制电路包含一充电泵电路，用于提供一供应电源，以驱动该高压侧晶体管。本发明中，其中该电能储存电容储存该反射电压与该功率变压器的一漏电感的一电能，该电能储存电容所储存的该电能会透过该第二高压侧二极管与该功率变压器的切换而被回收至该输出电压。本发明还同时公开了一种具一宽幅输入电压范围的双开关返驰式功率转换器，其包含一电能储存电容，自一高压端耦接至一接地端；一输入晶体管，自该双开关返驰式功率转换器的一输入电压耦接至该电能储存电容；一高压侧晶体管，自该电能储存电容与该高压端耦接至一功率变压器；一低压侧晶体管，自该功率变压器耦接至该接地端；一第一二极管，自该功率变压器耦接至该电能储存电容；一第二二极管，自该接地端耦接至该功率变压器；以及一切换控制电路，耦接至该双开关返驰式功率转换器的一输出电压，以产生一切换讯号，用于调整该双开关返驰式功率转换器；其中，该切换讯号驱动该高压侧晶体管、该低压侧晶体管与该输入晶体管。本发明中，其中该高压侧晶体管、该低压侧晶体管与该输入晶体管是同步导通/ 截止。本发明中，其中该切换控制电路包含一高压侧驱动电路与一低压侧驱动电路，以分别依据该切换讯号驱动该高压侧晶体管与该低压侧晶体管，该切换控制电路更包含一充电泵电路，用于提供一供应电源，以驱动该高压侧晶体管。本发明中，其中该输入晶体管具有一寄生二极管，以防止来自于该功率变压器的一反射电压。本发明中，其中该电能储存电容储存来自于该功率变压器的一反射电压与该功率变压器的一漏电感的一电能，该电能储存电容所储存的该电能会透过该功率变压器的切换而被回收至该输出电压。本发明具有的有益效果本发明具宽幅输入电压范围的双开关返驰式功率转换器，其包含一输入二极管与一电能储存电容，该输入二极管防止来自于功率转换器的功率变压器的反射电压对功率转换器的电解电容充电，而电能储存电容会储存反射电压与功率变压器的漏电感的电能，储存在电能储存电容的电能将会被回收至功率转换器的输出电压。再者，输入二极管可被一输入晶体管取代，以防止来自于功率变压器的反射电压对电解电容充电。
图1为现有技术双开关返驰式功率转换器的电路图；图2为本发明的双开关返驰式功率转换器的一较佳实施例的电路图；图3为本发明的切换控制电路的一较佳实施例的电路图；图4为本发明的双开关返驰式功率转换器的另一较佳实施例的电路图；图5为本发明的双开关返驰式功率转换器的第三较佳实施例的电路图；以及图6为本发明的双开关返驰式功率转换器的第四较佳实施例的电路图。图号对照说明10功率变压器20高压侧晶体管
25第二二极管30低压侧晶体管
35第一二极管40整流器
45输出电容50电解电容
65电能储存电容70输入二极管
75电能储存电容80第一高压侧二极管
85电能储存电容90第二高压侧二极管
95输入晶体管96寄生二极管
100切换控制电路110脉宽调变控制器
150低压侧驱动电路160高压侧驱动电路
170二极管175电容
HG接地端HV高压端
NP一次侧绕组Ns二次侧绕组
S1低压侧切换讯号S2高压侧切换讯号
Sw切换讯号VDD供应电压
VFB回授电压Vin输入电压
V0输出电压
具体实施例方式为使对本发明的结构特征及所达成的功效有更进一步的了解与认识，用以较佳的实施例及附图配合详细的说明，说明如下请参阅图2，其为本发明的双开关返驰式功率转换器的一较佳实施例的电路图。本发明的双开关返驰式功率转换器是作为具一宽幅输入电压范围的一双开关功率转换器。一输入二极管70耦接于功率转换器的一输入电压Vin与一高压端HV之间，高压端HV更耦接至一高压侧晶体管20。一功率变压器10包含一一次侧绕组Np与一二次侧绕组Ns，功率变
8压器10的二次侧绕组Ns是透过一整流器40与一输出电容45产生功率转换器的一输出电压V。，且二次侧绕组Ns的一第一端是耦接整流器40的一阳极，输出电容45是耦接于整流器40的一阴极与二次侧绕组Ns的一第二端之间。功率变压器10的一次侧绕组Np具有一第一端与一第二端，高压侧晶体管20自高压端HV耦接至一次侧绕组Np的第一端。一低压侧晶体管30自一次侧绕组Np的第二端耦接至接地端。一第一二极管35耦接于一次侧绕组Np的第二端与高压端HV之间。一第二二极管25耦接于接地端与一次侧绕组Np的第一端之间。输入二极管70防止来自于功率变压器10的反射电压对电解电容50充电。一电能储存电容75并联于输入二极管70，以储存反射电压与功率变压器10的漏电感(图未示)的电能，电能储存电容75是小于电解电容50。若反射电压高于输入电压 Vin时，电能储存电容75将被一电压差充电，且电能储存电容75所储存的电能会透过功率变压器10的切换而被回收至输出电压Vy切换控制电路(PWM) 100接收一回授电压Vfb，而产生一低压侧切换讯号S1与一高压侧切换讯号S2,以分别驱动低压侧晶体管30与高压侧晶体管20。回授电压Vfb耦接至功率转换器的输出电压\，且高压侧晶体管20与低压侧晶体管30同时被导通/截止，以切换功率变压器10。请参阅图3，其为本发明的切换控制电路的一较佳实施例的电路图。如图所示，切换控制电路100包含一脉宽调变(PWM)控制器(CONTROLLER) 110、一低压侧驱动电路150与一高压侧驱动电路160。脉宽调变控制器110接收回授电压Vfb，以产生一切换讯号、。回授电压Vfb耦接于功率转换器的输出电压Vtj(如图2所示)。也就是说，切换控制电路100 耦接于功率转换器的输出电压\，以产生切换讯号、而用于调整功率转换器。低压侧驱动电路150依据切换讯号、产生低压侧切换讯号S1，且低压侧切换讯号 S1耦接于低压侧晶体管30的一闸极(如图2所示)，以驱动低压侧晶体管30。高压侧驱动电路160依据切换讯号、产生高压侧切换讯号&，且高压侧切换讯号&耦接高压侧晶体管 20的一闸极(如图2所示)，以驱动高压侧晶体管20。因此，切换讯号、是用以驱动高压侧晶体管20与低压侧晶体管30，高压侧晶体管20与低压侧晶体管30同步地被导通/截止。高压侧驱动电路160的一接地端HG耦接于高压侧晶体管20的一源极与一次侧绕组Np的第一端(如图2所示)。一充电泵电路包含一二极管170与一电容175，其依据脉宽调变控制器110所产生的一供应电压Vdd提供一供应电源，用于驱动高压侧晶体管20。二极管170的一阳极耦接供应电压VDD，电容175耦接于二极管170的一阴极与高压侧驱动电路160的接地端HG之间。电容175与二极管170的阴极间的一接点是耦接于高压侧驱动电路160，以提供该供应电源。请参阅图4，其为本发明的双开关返驰式功率转换器的另一较佳实施例的电路图。 本实施例的双开关返驰式功率转换器可作为具一宽幅输入电压范围的一切换式功率转换器。本实施例的电路除了去除电能储存电容75之外，其余电路皆相似于图2所示的电路。 一电能储存电容65是自高压端HV、输入二极管70与高压侧晶体管20的一汲极间的一接点耦接至接地端。第一二极管35是耦接于一次侧绕组Np的第二端与电能储存电容65之间， 且电能储存电容65亦小于电解电容50。电能储存电容65将会储存反射电压与功率变压器 10的漏电感(图未示)的电能，电能储存电容65所储存的电能会透过功率变压器10的切换而被回收至输出电压V。。请参阅图5，其为本发明的双开关返驰式功率转换器的第三较佳实施例的电路图。 本实施例的双开关返驰式功率转换器可作为具一宽幅输入电压范围的一返驰式功率转换器。本实施例的功率转换器同样包含功率变压器10、输入二极管70、高压侧晶体管20、低压侧晶体管30、第二二极管25、电解电容50与切换控制电路100。输入二极管70自功率转换器的输入电压Vin耦接至高压端HV，且高压端HV更耦接高压侧晶体管20的汲极。功率变压器10包含一次侧绕组Np与二次侧绕组Ns，功率变压器10的一次侧绕组Np具有第一端与 高压侧晶体管20是自高压端HV耦接至一次侧绕组Np的第一端，低压侧晶体管30 是自一次侧绕组Np的第二端耦接至接地端。第二二极管25是作为一低压侧二极管，以自接地端耦接至一次侧绕组Np的第一端。电解电容50是自输入电压Vin耦接至接地端。切换控制电路100接收回授电压Vfb，以产生低压侧切换讯号S1与高压侧切换讯号&，而分别驱动低压侧晶体管30与高压侧晶体管20。一第一高压侧二极管80耦接于一次侧绕组Np的第二端与一电能储存电容85的一第一端之间，电能储存电容85的一第二端耦接至接地端，电能储存电容85是小于电解电容 50，电能储存电容85的第一端是透过一第二高压侧二极管90耦接高压端HV。也就是说，第二高压侧二极管90自电能储存电容85的第一端耦接至高压端HV。输入二极管70防止来自于功率变压器10的反射电压对电解电容50充电。电能储存电容85储存反射电压与功率变压器10的漏电感(图未示)的电能，电能储存电容85所储存的电能会透过第二高压侧二极管90与功率变压器10的切换而被回收至输出电压ν『图3与图4所示的实施例电路亦会提供一较佳电磁干扰(EMI)防制的效能。请参阅图6，其为本发明的双开关返驰式功率转换器的第四较佳实施例的电路图。 本实施例的双开关返驰式功率转换器具有一宽幅输入电压范围。相较于图4实施例，图6 更揭露另一实施例。图6实施例利用具一寄生二极管96的一输入晶体管95取代图4的输入二极管70。电能储存电容65是自高压端HV耦接至接地端，电能储存电容65的一第一端耦接至高压端HV，电能储存电容65的一第二端耦接至接地端。高压端HV更耦接至高压侧晶体管20的汲极，高压侧晶体管20是自电能储存电容65的第一端与高压端HV耦接至一次侧绕组Np的第一端。输入晶体管95的一汲极耦接至电解电容50的负极。低压侧切换讯号S1是用以控制输入晶体管95的一闸极，以导通/截止输入晶体管95。因此，输入晶体管95受图3所示的切换讯号、所驱动。高压侧晶体管20、低压侧晶体管30与输入晶体管95会同步地被导通/截止。输入晶体管95具有一源极，且输入晶体管95的源极是耦接至接地端。也就是说，输入晶体管95是自功率转换器的输入电压Vin耦接至电能储存电容65的第二端。因此，输入晶体管95具有寄生二极管96，用于防止来自于功率变压器10的反射电压。由上述可知，电能储存电容65亦小于电解电容50，电能储存电容65将会储存反射电压与功率变压器10的漏电感(图未示)的电能。电能储存电容65所储存的电能将会透过功率变压器 10的切换而被回收至输出电压\。再者，由于本实施例的其余电路相同于上述图4的实施例的电路，所以本实施例不再赘述。综上所述，仅为本发明的较佳实施例而已，并非用来限定本发明实施的范围，凡依
10本发明权利要求范围所述的形状、构造、特征及精神所为的均等变化与修饰，均应包括于本发明的权利要求范围内。
权利要求
1.一种具一宽幅输入电压范围的双开关功率转换器，其特征在于，其包含一输入二极管，自该双开关功率转换器的一输入电压耦接至一高压端，以防止来自于一功率变压器的一反射电压；一电能储存电容，并联该输入二极管； 一高压侧晶体管，自该高压端耦接至该功率变压器； 一低压侧晶体管，自该功率变压器耦接至一接地端； 一第一二极管，自该功率变压器耦接至该高压端； 一第二二极管，自该接地端耦接至该功率变压器；以及一切换控制电路，耦接该双开关功率转换器的一输出电压，以产生一切换讯号，用于调整该双开关功率转换器；其中，该切换讯号驱动该高压侧晶体管与该低压侧晶体管。
2.如权利要求1所述的具一宽幅输入电压范围的双开关功率转换器，其特征在于，其中该高压侧晶体管与该低压侧晶体管是同步导通/截止。
3.如权利要求1所述的具一宽幅输入电压范围的双开关功率转换器，其特征在于，其中该切换控制电路包含一高压侧驱动电路与一低压侧驱动电路，以分别依据该切换讯号驱动该高压侧晶体管与该低压侧晶体管。
4.如权利要求1所述的具一宽幅输入电压范围的双开关功率转换器，其特征在于，其中该切换控制电路包含一充电泵电路，用于提供一供应电源，以驱动该高压侧晶体管。
5.如权利要求1所述的具一宽幅输入电压范围的双开关功率转换器，其特征在于，其中该电能储存电容储存该反射电压与该功率变压器的一漏电感的一电能，该电能储存电容所储存的该电能会透过该功率变压器的切换而被回收至该输出电压。
6.一种具一宽幅输入电压范围的切换式功率转换器，其特征在于，其包含一输入二极管，自该切换式功率转换器的一输入电压耦接至一高压端，以防止来自于一功率变压器的一反射电压；一电能储存电容，自该高压端耦接至一接地端； 一高压侧晶体管，自该高压端耦接至该功率变压器； 一低压侧晶体管，自该功率变压器耦接至该接地端； 一第一二极管，自该功率变压器耦接至该高压端； 一第二二极管，自该接地端耦接至该功率变压器；以及一切换控制电路，耦接该切换式功率转换器的一输出电压，以产生一切换讯号，用于调整该切换式功率转换器；其中，该切换讯号驱动该高压侧晶体管与该低压侧晶体管。
7.如权利要求6所述的具一宽幅输入电压范围的切换式功率转换器，其特征在于，其中该高压侧晶体管与该低压侧晶体管是同步导通/截止。
8.如权利要求6所述的具一宽幅输入电压范围的切换式功率转换器，其特征在于，其中该切换控制电路包含一高压侧驱动电路与一低压侧驱动电路，以分别依据该切换讯号驱动该高压侧晶体管与该低压侧晶体管。
9.如权利要求6所述的具一宽幅输入电压范围的切换式功率转换器，其特征在于，其中该切换控制电路包含一充电泵电路，用于提供一供应电源，以驱动该高压侧晶体管。
10.如权利要求6所述的具一宽幅输入电压范围的切换式功率转换器，其特征在于，其中该电能储存电容储存该反射电压与该功率变压器的一漏电感的一电能，该电能储存电容所储存的该电能会透过该功率变压器的切换而被回收至该输出电压。
11.一种具一宽幅输入电压范围的返驰式功率转换器，其特征在于，其包含一输入二极管，自该返驰式功率转换器的一输入电压耦接至一高压端，以防止来自于一功率变压器的一反射电压；一高压侧晶体管，自该高压端耦接至该功率变压器； 一低压侧晶体管，自该功率变压器耦接至一接地端； 一低压侧二极管，自该接地端耦接至该功率变压器； 一电能储存电容，耦接至该接地端；一第一高压侧二极管，自该功率变压器耦接至该电能储存电容； 一第二高压侧二极管，自该电能储存电容耦接至该高压端；以及一切换控制电路，耦接至该返驰式功率转换器的一输出电压，以产生一切换讯号，用于调整该返驰式功率转换器；其中，该切换讯号驱动该高压侧晶体管与该低压侧晶体管。
12.如权利要求11所述的具一宽幅输入电压范围的返驰式功率转换器，其特征在于， 其中该高压侧晶体管与该低压侧晶体管是同步导通/截止。
13.如权利要求11所述的具一宽幅输入电压范围的返驰式功率转换器，其特征在于， 其中该切换控制电路包含一高压侧驱动电路与一低压侧驱动电路，以分别依据该切换讯号驱动该高压侧晶体管与该低压侧晶体管。
14.如权利要求11所述的具一宽幅输入电压范围的返驰式功率转换器，其特征在于， 其中该切换控制电路包含一充电泵电路，用于提供一供应电源，以驱动该高压侧晶体管。
15.如权利要求11所述的具一宽幅输入电压范围的返驰式功率转换器，其特征在于， 其中该电能储存电容储存该反射电压与该功率变压器的一漏电感的一电能，该电能储存电容所储存的该电能会透过该第二高压侧二极管与该功率变压器的切换而被回收至该输出电压。
16.一种具一宽幅输入电压范围的双开关返驰式功率转换器，其特征在于，其包含 一电能储存电容，自一高压端耦接至一接地端；一输入晶体管，自该双开关返驰式功率转换器的一输入电压耦接至该电能储存电容； 一高压侧晶体管，自该电能储存电容与该高压端耦接至一功率变压器； 一低压侧晶体管，自该功率变压器耦接至该接地端； 一第一二极管，自该功率变压器耦接至该电能储存电容； 一第二二极管，自该接地端耦接至该功率变压器；以及一切换控制电路，耦接至该双开关返驰式功率转换器的一输出电压，以产生一切换讯号，用于调整该双开关返驰式功率转换器；其中，该切换讯号驱动该高压侧晶体管、该低压侧晶体管与该输入晶体管。
17.如权利要求16所述的具一宽幅输入电压范围的双开关返驰式功率转换器，其特征在于，其中该高压侧晶体管、该低压侧晶体管与该输入晶体管是同步导通/截止。
18.如权利要求16所述的具一宽幅输入电压范围的双开关返驰式功率转换器，其特征在于，其中该切换控制电路包含一高压侧驱动电路与一低压侧驱动电路，以分别依据该切换讯号驱动该高压侧晶体管与该低压侧晶体管，该切换控制电路更包含一充电泵电路，用于提供一供应电源，以驱动该高压侧晶体管。
19.如权利要求16所述的具一宽幅输入电压范围的双开关返驰式功率转换器，其特征在于，其中该输入晶体管具有一寄生二极管，以防止来自于该功率变压器的一反射电压。
20.如权利要求16所述的具一宽幅输入电压范围的双开关返驰式功率转换器，其特征在于，其中该电能储存电容储存来自于该功率变压器的一反射电压与该功率变压器的一漏电感的一电能，该电能储存电容所储存的该电能会透过该功率变压器的切换而被回收至该输出电压。
全文摘要
本发明为一种具宽幅输入电压范围的双开关返驰式功率转换器，其包含一输入二极管与一电能储存电容，输入二极管可防止来自于功率转换器的功率变压器的反射电压对功率转换器的电解电容充电，电能储存电容将会储存反射电压与功率变压器的漏电感的电能，电能储存电容所储存的电能将会被回收至功率转换器的输出电压。此外，输入二极管可被一输入晶体管取代，以防止来自于功率变压器的反射电压对电解电容充电。
文档编号H02M3/335GK102223072SQ20111014884
公开日2011年10月19日 申请日期2011年5月27日 优先权日2010年6月25日
发明者杨大勇, 林昭志, 苏英杰 申请人:崇贸科技股份有限公司