一种防过热开关调整模块电路的制作方法
【专利摘要】本发明涉及一种防过热开关调整模块电路，包括电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、可调电阻RP1、NMOS管Q1、三极管Q2、Q3、电容C1、C2和电源芯片U1。与现有技术相比，本发明在电子仪器内部温度过高时，自动关闭端口的连接通路，且调整模块可以有效的对输入电器进行保护，结构简单，安全性高，实用性好。
【专利说明】一种防过热开关调整模块电路
【技术领域】
[0001]本发明涉及到一种用于保护开关的调整电路，特别是涉及一种防过热开关调整模块电路。
【背景技术】
[0002]目前，在通信系统中，任何产品下行部分在进入功放前的变频处理时会产生的一些干扰，谐波均会对功放的安全造成影响，很容易出现功放烧毁的现象，且在市场上，很多电子器件也经常因为工作环境温度过高，从而导致烧坏，这样对使用者造成了很大的损失。
【发明内容】
[0003]本发明的目的在于克服上述现有技术的缺点和不足，提供了一种防过热开关调整模块电路，解决现有开关装置经常因温度过高而导致的损坏，且对输入电器进行保护，结构简单，安全性高，实用性好。
[0004]本发明的目的通过下述技术方案实现:一种防过热开关调整模块电路，包括电阻尺1、1?2、1?3、1?4、1?5、1?6、1?7、可调电阻1^1、匪05管01、三极管Q2、Q3、电容Cl、C2和电源芯片U1，所述NMOS管Ql的源极连接端口，其漏极连接可调电阻RPl的可调端，NMOS管Ql的栅极连接电阻Rl的一端和基准电源VGND，电阻Rl的另一端连接三极管Q2的集电极，所述三极管Q2的发射极接地，三极管Q2的基极连接基准电源VGND，所述可调电阻RPl的一个固定端连接电阻R2的一端，可调电阻RPl的另一个固定端连接电阻R5的一端，所述电阻R2的另一端分别连接电阻R3的一端、电阻R6的一端、三极管Q3的集电极和电源芯片的引脚3、4，所述电阻R3的另一端连接电阻R4的一端和三极管Q3的基极，所述电阻R4的另一端分别连接三极管Q2、Q3的发射极，所述电阻R5的另一端连接电阻R6的另一端和电阻R7的一端，并均连接电容Cl的正极，所·述电容Cl的负极接地，所述电阻R7的另一端分别连接电源芯片Ul的引脚1、2，所述电源芯片Ul的引脚8连接电阻R8的一端，电源芯片Ul的引脚7和引脚6连接，所述电阻R8的另一端连接9伏电源，所述电容C2正极接9伏电源且负极接地。
[0005]进一步的技术方案是，所述NMOS管在温度适当的情况下，源极和漏极之间为导通状态，当温度过高时，三极管Q2的基极和发射极之间的电降低，使得三极管Q2导通，从而拉低NMOS管Ql的栅极电平，使得NMOS管Ql关闭，即断开了端口和可变电阻RPl之间的连接，具有防过热保护作用。
[0006]进一步的技术方案是，所述电源芯片Ul为LT2851型号的芯片。
[0007]与现有技术相比，本发明在电子仪器内部温度过高时，自动关闭端口的连接通路，且调整模块可以有效的对输入电器进行保护，结构简单，安全性高，实用性好。
【专利附图】
【附图说明】
[0008]图1为本发明一种防过热开关调整模块电路图。【具体实施方式】
[0009]以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本发明，并非用于限定本发明的范围。
[0010]一种防过热开关调整模块电路，包括电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、可调电阻RP1、NMOS管Ql、三极管Q2、Q3、电容C1、C2和电源芯片U1，所述NMOS管Ql的源极连接端口，其漏极连接可调电阻RPl的可调端，NMOS管Ql的栅极连接电阻Rl的一端和基准电源VGND，电阻Rl的另一端连接三极管Q2的集电极，所述三极管Q2的发射极接地，三极管Q2的基极连接基准电源VGND，所述可调电阻RPl的一个固定端连接电阻R2的一端，可调电阻RPl的另一个固定端连接电阻R5的一端，所述电阻R2的另一端分别连接电阻R3的一端、电阻R6的一端、三极管Q3的集电极和电源芯片的引脚3、4，所述电阻R3的另一端连接电阻R4的一端和三极管Q3的基极，所述电阻R4的另一端分别连接三极管Q2、Q3的发射极，所述电阻R5的另一端连接电阻R6的另一端和电阻R7的一端，并均连接电容Cl的正极，所述电容Cl的负极接地，所述电阻R7的另一端分别连接电源芯片Ul的引脚1、2，所述电源芯片Ul的引脚8连接电阻R8的一端，电源芯片Ul的引脚7和引脚6连接，所述电阻R8的另一端连接9伏电源，所述电容C2正极接9伏电源且负极接地，所述电源芯片Ul为LT2851型号的
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[0011]当该电路连接端口且电源输入+9V时，NMOS管在温度适当的情况下时，源极和漏极之间为导通状态，此时电压调整模块对下行系统完成供电，开启功放模块，当温度过高时，三极管Q2的基极和发射极之间的电降低，使得三极管Q2导通，从而拉低NMOS管Ql的栅极电平，使得NMOS管Ql关闭，即断开了端口和可变电阻RPl之间的连接，具有防过热保护作用，而调整模块无法完成供电，从而起到保护电路的作用。
[0012]以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种防过热开关调整模块电路，其特征在于，包括电阻Rl、R2、R3、R4、R5、R6、R7、可调电阻RPl、NMOS管Ql、三极管Q2、Q3、电容Cl、C2和电源芯片U1，所述NMOS管Ql的源极连接端口，NMOS管Ql的漏极连接可调电阻RPl的可调端，NMOS管Ql的栅极连接电阻Rl的一端和基准电源VGND，电阻Rl的另一端连接三极管Q2的集电极，所述三极管Q2的发射极接地，三极管Q2的基极连接基准电源VGND，所述可调电阻RPl的一个固定端连接电阻R2的一端，可调电阻RPl的另一个固定端连接电阻R5的一端，所述电阻R2的另一端分别连接电阻R3的一端、电阻R6的一端、三极管Q3的集电极和电源芯片的引脚3、4，所述电阻R3的另一端连接电阻R4的一端和三极管Q3的基极，所述电阻R4的另一端分别连接三极管Q2、Q3的发射极，所述电阻R5的另一端连接电阻R6的另一端和电阻R7的一端，并均连接电容Cl的正极，所述电容Cl的负极接地，所述电阻R7的另一端分别连接电源芯片Ul的引脚1、2，所述电源芯片Ul的引脚8连接电阻R8的一端，电源芯片Ul的引脚7和引脚6连接，所述电阻R8的另一端连接9伏电源，所述电容C2正极接9伏电源且负极接地。
2.根据权利要求1所述一种防过热开关调整模块电路，其特征在于，所述NMOS管在温度适当的情况下，源极和漏极之间为导通状态，当温度过高时，三极管Q2的基极和发射极之间的电降低，使得三极管Q2导通，从而拉低NMOS管Ql的栅极电平，使得NMOS管Ql关闭，即断开了端口和可变电阻RPl之间的连接，具有防过热保护作用。
3.根据权利要求1或2所述一种防过热开关调整模块电路，其特征在于，所述电源芯片Ul为LT2851型号的芯片。
【文档编号】H02H7/20GK103595028SQ201310594269
【公开日】2014年2月19日 申请日期:2013年11月20日 优先权日:2013年11月20日
【发明者】周泰武, 李文礼, 彭应光, 万文华 申请人:桂林机床电器有限公司