专利名称：一种led低功耗提升功率电路的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种功率电路，特别是涉及一种LED低功耗提升功率电路。
背景技术：
LED (Light Emitting Diode,发光二极管)是一种能够将电能转化为可见光的固态的半导体器件，它可以直接把电能转化为光能。LED具有体积小、耗电量低(一般来说LED的工作电压是2-3.6V，工作电流是0.02-0.03A,消耗的电能不超过0.1W)、使用寿命长(使用寿命可达10万小时)、环保(无毒的材料做成，不像荧光灯含水银会造成污染)、坚固耐用、亮度高等优点，已经广泛应用在显示屏、照明、仪器仪表等技术中。现有LED电路的功率较小，功耗大。
实用新型内容本实用新型所要解决的技术问题是提供一种LED低功耗提升功率电路，其降低功耗且提升功率。本实用新型是通过下述技术方案来解决上述技术问题的:一种LED低功耗提升功率电路，其特征在于，其包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、电容、二极管、三极管，所述第一电阻与所述三极管并联，所述二极管与所述第二电阻串联，所述第三电阻与所述电容串联，所述二极管、第二电阻与所述第三电阻、电容并联，所述第三电阻、电容都与所述三极管的漏极连接，所述第二电阻与所述三极管的栅极连接，所述二极管的一端与所述三极管的源极连接。优选的，所述三极管是金属氧化物半导体场效应晶体管。优选的，所述第一电阻的阻值为100欧姆，所述第二电阻的阻值为56万欧姆，所述第三电阻的阻值为20k欧姆。本实用新型的积极进步效果在于:本实用新型LED低功耗提升功率电路降低功耗且提升功率，从而节约成本。
图1为本实用新型一种LED低功耗提升功率电路的电路图。
具体实施方式
以下结合附图给出本实用新型较佳实施例，以详细说明本实用新型的技术方案。如图1所示，本实用新型一种LED低功耗提升功率电路，包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、电容Cl、二极管D1、三极管Q1，第一电阻Rl与三极管Ql并联，二极管Dl与第二电阻R2串联，第三电阻R3与电容Cl串联，二极管D1、第二电阻R2与第三电阻R3、电容Cl并联，第三电阻R3、电容Cl都与三极管Ql的漏极连接，第二电阻R2与三极管Ql的栅极连接，二极管Dl的一端与三极管Ql的源极连接。三极管Ql可以是金属氧化物半导体场效应晶体管(MOS管)。第一电阻Rl的阻值为100欧姆，第二电阻R2的阻值为560k欧姆(56万欧姆)，第三电阻R3的阻值为20k欧姆。三极管的阻值非常小(I欧姆)，这样功耗也非常小，从而可以降低功耗。高电压的时候，三极管打开通电。第二电阻下拉可以保护三极管不被击穿。电容的作用是滤波和提供稳定电流功能。本实用新型LED低功耗提升功率电路降低功耗且提升功率，从而节约成本。本领域的技术人员可以对本实用新型进行各种改型和改变。因此，本实用新型覆盖了落入所附的权利要求书及其等同物的范围内的各种改型和改变。
权利要求1.一种LED低功耗提升功率电路，其特征在于，其包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、电容、二极管、三极管，所述第一电阻与所述三极管并联，所述二极管与所述第二电阻串联，所述第三电阻与所述电容串联，所述二极管、第二电阻与所述第三电阻、电容并联，所述第三电阻、电容都与所述三极管的漏极连接，所述第二电阻与所述三极管的栅极连接，所述二极管的一端与所述三极管的源极连接。
2.如权利要求1所述的一种LED低功耗提升功率电路，其特征在于，所述三极管是金属氧化物半导体场效应晶体管。
3.如权利要求1所述的一种LED低功耗提升功率电路，其特征在于，所述第一电阻的阻值为100欧姆，所述第二电阻的阻值为56万欧姆，所述第三电阻的阻值为20k欧姆。
专利摘要本实用新型公开了一种LED低功耗提升功率电路，其包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、电容、二极管、三极管，第一电阻与三极管并联，二极管与第二电阻串联，第三电阻与电容串联，二极管、第二电阻与第三电阻、电容并联，第三电阻、电容都与三极管的漏极连接，第二电阻与三极管的栅极连接，二极管的一端与三极管的源极连接。本实用新型LED低功耗提升功率电路降低功耗且提升功率。
文档编号H02M3/155GK203027142SQ20132000124
公开日2013年6月26日 申请日期2013年1月4日 优先权日2013年1月4日
发明者王培峰, 黄加计 申请人:苏州市泛友实业有限公司