一种新型过压触发器的制造方法
【专利摘要】本实用新型提供一种新型过压触发器，其特征在于：所述可控硅触发单元电路结构如下：串联连接的一个或多个瞬态电压抑制器正极接保护电路的输入端，瞬态电压抑制器负极串联有限流电阻R1，限流电阻R1再串联连接上电容C1的正极，电容C1的负极连接保护电路的输出端，电阻R2和二极管D3并联在电容C1两侧，双向触发二极管DB1一端连接电容C1的正极，另一端连接可控硅T2的控制极，可控硅T2的阴极连接可控硅T1的控制极，阳极连接在电容C1的正极，调试简单；无发热现象；现场更换保护用可控硅时无需重新调试，给用户和调试检修人员带来了极大的方便。
【专利说明】一种新型过压触发器
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种同步发电机励磁绕组过电压触发器，具体的说是一种新型过压触发器。
【背景技术】
[0002]目前同步发电机通常采用可控硅静止励磁，发电机运行时由于多种因素在励磁绕组上可产生相当高的过电压，例如三相可控硅整流桥的换相过程、发电机在短路或失磁情况下等。若不采取适当的措施抑制这些过电压，那么极有可能击穿发电机励磁绕组或者击穿可控硅整流桥，从而造成发电机事故停机及大的经济损失。这时励磁绕组过电压保护就显得尤为重要。现在在中小型发电机可控硅静止励磁中多数采用可控硅元件作为励磁绕组及可控硅整流桥的过电压保护，如图1所示的电路图中虚线框内电阻Ral、Ra2元件组成分压回路，在Ra2上得到一预置的电压，当励磁绕组产生过电压时Ra2上的电压升高，此电压迅速升高击穿稳压管WYl后触发正向过电压可控硅Kl使其导通，由灭磁电阻RM与正向过电压可控硅Kl组成的回路将励磁绕组产生的过电压限制在安全范围内，从而保护了励磁绕组以及可控硅整流桥。反向过电压保护与正向过电压保护的电路原理相同。
[0003]由电阻、稳压管组成的保护可控硅触发回路虽然简单，但是存在以下缺点和问题:
[0004]1、调试困难，当需要在计算设定好的保护电压值触发保护可控硅动作时，RaU Ra2阻值的选配相当困难，通常需要更换多次Ral、Ra2的阻值后才能达到要求。
[0005]2、发热严重，同步发电机正常工作时励磁绕组两端加有额定的励磁电压，由于RaU Ra2是通过灭磁电阻RM接在励磁绕组两端，RM阻值较小(零点几欧姆到几欧姆)，绝大多数电压在Ral、Ra2上，此时Ral、Ra2严重发热，降低了元件使用的可靠性。通常有十几瓦的功率在发电机运行时长期消耗，不利于节能。
[0006]3、分压电阻Ral、Ra3易损坏，分压电阻Ral、Ra3由于阻值大、电阻丝细等结构上的原因，在使用过程中极易损坏。
[0007]4、更换保护用可控硅时需要重新调试，由于可控硅元件触发导通的参数存在较大的分散性，每只可控硅触发电压、触发电流都不相同，在更换保护用可控硅后以前的动作值就有可能提前或滞后于原设定的动作电压，所以在更换保护用可控硅后必需要重新调试。在现场由于受到条件的限制，这个工作在现场完成就有较大的难度。给用户或我单位维修人员的工作造成较大困难。
实用新型内容
[0008]本实用新型根据现有技术的不足提供一种新型过压触发器，调试简单，更换元件方便。
[0009]本实用新型的技术方案:所述一种新型过压触发器，包括串联在触发器正极端的灭磁电阻RM和结构相同且反向并联的两个保护电路，保护电路包括可控硅Tl和可控硅触发单元，其特征在于:所述可控硅触发单元电路结构如下:串联连接的一个或多个瞬态电压抑制器正极接保护电路的输入端，瞬态电压抑制器负极串联有限流电阻R1，限流电阻Rl再串联连接上电容Cl的正极，电容Cl的负极连接保护电路的输出端，电阻R2和二极管D3并联在电容Cl两侧，双向触发二极管DBl —端连接电容Cl的正极，另一端连接可控硅T2的控制极，可控硅T2的阴极连接可控硅Tl的控制极，阳极连接在电容Cl的正极。
[0010]所述可控硅触发单元还包括分别并联在瞬态电压抑制器上起均压作用的均压电阻、串联在瞬态电压抑制器和限流电阻Rl之间的两个二极管Dl和二极管D2以及无极性电容C2、电阻R3，无极性电容C2与电阻R3并联连接在可控硅Tl的阴极与保护电路的输出端之间。
[0011]本实用新型的技术效果:1、调试简单，新型过电压触发器动作值可以较精确设置，动作值主要由TVS管标称值决定，其标称值从6.8V到440V共分为88个档次可以选用，做到了设计动作电压值与实际动作电压值基本一致，调试简单，无须再反复更换元器件；
[0012]2、无发热现象，由于新型过电压触发器回路都是在过电压产生时瞬时动作，一旦过电压保护可控硅导通后由TVS管等元件构成的电路两端只有一点几伏的电压，电流基本为零，平时整个回路近似开路状态，所以整个触发回路消耗功率可以忽略不计；
[0013]3、现场更换保护用可控硅时无需重新调试，设备运行时若有元件损坏特别是保护用可控硅损坏更换后，无需重新调整元件参数，其动作值不受可控硅触发电压、触发电流等参数的影响，做到了和出厂时的一致，给用户和调试检修人员带来了极大的方便。
【专利附图】
【附图说明】
[0014]图1是现有的过压保护电路图；
[0015]图2是本实用新型电路结构示意图。
【具体实施方式】
[0016]下面结合附图对本实用新型进一步说明:
[0017]如图2所示，所述一种新型过压触发器，包括串联在触发器正极端的灭磁电阻RM和结构相同且反向并联的两个保护电路2，保护电路2包括可控硅Tl和可控硅触发单元5，其特征在于:所述可控硅触发单元5电路结构如下:串联连接的一个或多个瞬态电压抑制器正极接保护电路2的输入端3，瞬态电压抑制器负极串联有限流电阻R1，限流电阻Rl再串联连接上电容Cl的正极，电容Cl的负极连接保护电路2的输出端4，电阻R2和二极管D3并联在电容Cl两侧，双向触发二极管DBl —端连接电容Cl的正极，另一端连接可控硅T2的控制极，可控硅T2的阴极连接可控硅Tl的控制极，阳极连接在电容Cl的正极。
[0018]所述可控硅触发单元5还包括分别并联在瞬态电压抑制器上起均压作用的均压电阻、串联在瞬态电压抑制器和限流电阻Rl之间的两个二极管Dl和二极管D2以及无极性电容C2、电阻R3，无极性电容C2与电阻R3并联连接在可控硅Tl的阴极与保护电路(2)的输出端之间。
[0019]瞬态电压抑制器(Transient Voltage Suppressor)简称TVS,是一种二极管形式的高效能保护器件。当TVS 二极管的两极受到大于标称值的反向瞬态电压时，它能以10-12秒量级的速度，将其两极间的高阻抗变为低阻抗，利用这一特性采用一个或几个TVS管串联的方法即可得到所设定的过电压动作值。以正向过电压触发回路来说明，电路中TVS管两端电压超过标称值，两极间变为低阻抗后给电容C2充电(此过程相当短促)，当C2上电压超过双向触发管DBl (约30V)时双向触发管DBl向小功率可控硅T2控制极发出脉冲使得T2导通，C2上的电压通过T2给正向过电压保护可控硅Tl的触发极一个较大电流电压的脉冲，进而使得正向过电压保护可控硅Tl导通。这里小功率可控硅T2起到了把双向触发管DBl的小功率脉冲放大的作用。电阻R4-R7起均压作用，Rl起限制充电电流作用，R3的设置是为防止TVS管漏电流给电容C2误充电，反向过压触发回路与正向触发回路的工作原理相同。
[0020]本实用新型的一种新型过压触发器，调试简单，新型过电压触发器动作值可以较精确设置，做到了设计动作电压值与实际动作电压值基本一致，调试简单，无须再反复更换元器件；无发热现象，整个触发回路消耗功率可以忽略不计减少损耗；现场更换保护用可控硅时无需重新调试，给用户和调试检修人员带来了极大的方便。
【权利要求】
1.一种新型过压触发器，包括串联在触发器正极端的灭磁电阻RM (I)和结构相同且反向并联的两个保护电路(2)，保护电路(2)包括可控硅Tl和可控硅触发单元(5)，其特征在于:所述可控硅触发单元(5)电路结构如下:串联连接的一个或多个瞬态电压抑制器正极接保护电路(2)的输入端(3)，瞬态电压抑制器负极串联有限流电阻R1，限流电阻Rl再串联连接上电容Cl的正极，电容Cl的负极连接保护电路(2)的输出端(4)，电阻R2和二极管D3并联在电容Cl两侧，双向触发二极管DBl —端连接电容Cl的正极，另一端连接可控硅T2的控制极，可控硅T2的阴极连接可控硅Tl的控制极，阳极连接在电容Cl的正极。
2.根据权利要求1所述的一种新型过压触发器，其特征在于:所述可控硅触发单元(5)还包括分别并联在瞬态电压抑制器上起均压作用的均压电阻、串联在瞬态电压抑制器和限流电阻Rl之间的两个二极管Dl和二极管D2以及无极性电容C2、电阻R3，无极性电容C2与电阻R3并联连接在可控硅Tl的阴极与保护电路(2)的输出端之间。
【文档编号】H02H9/04GK203434620SQ201320612373
【公开日】2014年2月12日 申请日期:2013年9月25日 优先权日:2013年9月25日
【发明者】赵月啟, 高雄清 申请人:武汉陆水科技开发有限公司