一种磁粉探伤仪电源处理电路和磁粉探伤仪的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及磁粉探伤设备【技术领域】，尤其涉及一种磁粉探伤仪电源处理电路和磁粉探伤仪，所述磁粉探伤仪包括磁粉探伤仪电源处理电路，所述磁粉探伤仪电源处理电路，包括升压电路、控制电路和H桥电路，所述控制电路和H桥电路连接，所述H桥电路还和升压电路连接，所述控制电路控制H桥电路的输出波形，以便H桥电路输出0～60Hz的电压频率信号。可见，一种磁粉探伤仪电源处理电路和磁粉探伤仪，集成了直流和交流两种探伤工作模式，可在不更换探伤仪的前提下对工件进行表面缺陷、近表面缺陷和深埋缺陷的全面检测，操作简单且使用方便。
【专利说明】
【技术领域】
[0001] 本实用新型涉及磁粉探伤设备【技术领域】，尤其涉及一种磁粉探伤仪电源处理电路 和磁粉探伤仪。 一种磁粉探伤仪电源处理电路和磁粉探伤仪
【背景技术】
[0002] 目前市场上的磁粉探伤仪，主要分为交流磁粉探伤仪和直流磁粉探伤仪两种。交 流磁粉探伤仪一般产生50HZ交流磁场，用于检测工件表面和近表面的缺陷，对工件深埋缺 陷的检测能力比较弱。直流磁粉探伤仪一般产生直流磁场，用于检测工件的深埋缺陷，对工 件表面和近表面缺陷的检测能力比较弱。所以，若要对一工件进行全面检测，常常需要用交 流磁粉探伤仪检测一遍工件表面和近表面的缺陷，再用直流磁粉探伤仪检测一遍工件深埋 的缺陷，导致整个探伤检测的周期长且操作繁琐。 实用新型内容
[0003] 本实用新型的目的在于提出一种磁粉探伤仪电源处理电路和磁粉探伤仪，集成了 直流和交流两种探伤工作模式，可在不更换探伤仪的前提下对工件进行表面缺陷、近表面 缺陷和深埋缺陷的全面检测，操作简单且使用方便。
[0004] 为达此目的，本实用新型采用以下技术方案：
[0005] 第一方面，提供一种磁粉探伤仪电源处理电路，包括升压电路、控制电路和Η桥电 路，所述控制电路和Η桥电路连接，所述Η桥电路还和升压电路连接，所述控制电路控制Η 桥电路的输出波形，以便Η桥电路输出0?60Hz的电压频率信号。
[0006] 其中，所述电压频率信号包括直流电压频率信号、交流定频电压频率信号和15? 50Hz交流扫频电压频率信号。
[0007] 其中，所述升压电路包括SG2525AP芯片U1，所述SG2525AP芯片U1上设置有第1 管脚、第2管脚、第3管脚、第4管脚、第5管脚、第6管脚、第7管脚、第8管脚、第9管脚、 第10管脚、第11管脚、第12管脚、第13管脚、第14管脚、第15管脚和第16管脚；
[0008] 所述第1管脚的第一路依次通过电阻R10和电容C7连接第9管脚，所述第1管脚 的第二路通过电容C13接地，所述第1管脚的第三路连接电阻R19的一端的第一路，所述第 2管脚的第一路通过电阻R17接地，所述第2管脚的第二路连接电阻R14的一端，所述第3 管脚悬空，所述第4管脚悬空，所述第5管脚的第一路通过电容C12接地，所述第5管脚第 二路通过电阻R16连接第7管脚，所述第6管脚通过电阻R13接地，所述第8管脚通过电容 C11接地，所述第10管脚的第一路通过电阻R1接地，所述第10管脚的第二路通过电容C1 接地，所述第10管脚的第三路通过电阻R2连接SHD端，所述第11管脚的第一路连接电阻 R11的一端，所述第11管脚的第二路连接电阻R12的一端，所述第12管脚接地，所述第13 管脚的第一路连接电源BAT+端，所述第13管脚的第二路通过电容C4接地，所述第13管脚 的第三路通过电容C5接地，所述第14管脚的第一路连接电阻R3的一端，所述第14管脚的 第二路连接电阻R4的一端，所述第15管脚连接电源BAT+端，所述第16管脚连接电阻R14 的另一端的第一路；
[0009] 电阻R14的另一端的第二路通过电容C9接地，电阻R14的另一端的第三路通过电 容C10接地，所述电阻R11的另一端的第一路连接IRF3205ZS型的M0S场效应管Q3的栅极， 所述电阻R11的另一端的第二路连接电阻R8的一端，电阻R8的另一端接地，M0S场效应管 Q3的漏极的第一路连接IRF3205ZS型的M0S场效应管Q4的漏极，M0S场效应管Q3的漏极 的第二路连接电容C8的一端，M0S场效应管Q3的漏极的第三路连接变压器的第一电压输入 端，M0S场效应管Q3的源极接地，所述电阻R12的另一端的第一路连接M0S场效应管Q4的 栅极，所述电阻R12的另一端的第二路连接电阻R9的一端，电阻R9的另一端接地，M0S场效 应管Q4的源极接地，所述电阻R3的另一端的第一路连接IRF3205ZS型的M0S场效应管Q1 的栅极，所述电阻R3的另一端的第二路连接电阻R5的一端，电阻R5的另一端接地，M0S场 效应管Q1的漏极的第一路连接IRF3205ZS型的M0S场效应管Q2的漏极，M0S场效应管Q1 的漏极的第二路连接电阻R7的一端，M0S场效应管Q1的漏极的第三路连接变压器的第二 电压输入端，M0S场效应管Q1的源极接地，所述电阻R4的另一端的第一路连接M0S场效应 管Q2的栅极，所述电阻R4的另一端的第二路连接电阻R6的一端，电阻R6的另一端接地， M0S场效应管Q2的源极接地，电阻R7的另一端和电容C8的另一端连接；
[0010] 变压器的第一电压输出端的第一路连接FR207型的二极管D1的负极，变压器的第 一电压输出端的第二路连接FR207型的二极管D2的正极，变压器的第二电压输出端的第一 路连接FR207型的二极管D3的正极，变压器的第二电压输出端的第二路连接FR207型的二 极管D4的负极，二极管D1的正极接地，二极管D2的负极的第一路连接二极管D3的负极， 二极管D2的负极的第二路依次通过电阻R15和电阻R18连接电阻R19的一端的第二路，电 阻R19的另一端接地，二极管D2的负极的第三路连接电源VCC-H端，二极管D2的负极的第 四路通过电容C6接地，二极管D4的正极接地。
[0011] 其中，所述控制电路包括ATmega8A-AU芯片U5，所述ATmega8A-AU芯片U5上设置 有第1管脚、第2管脚、第3管脚、第4管脚、第5管脚、第6管脚、第7管脚、第8管脚、第9 管脚、第10管脚、第11管脚、第12管脚、第13管脚、第14管脚、第15管脚、第16管脚、第 17管脚、第18管脚、第19管脚、第20管脚、第21管脚、第22管脚、第23管脚、第24管脚、 第25管脚、第26管脚、第27管脚、第28管脚、第29管脚、第30管脚、第31管脚和第32管 脚；
[0012] 所述第12管脚连接RUN端，所述第13管脚连接BATStatus端，所述第14管脚 悬空，所述第15管脚连接M0SI端，所述第16管脚连接MIS0端，所述第17管脚连接CLK 端，所述第7管脚连接XTAL1端的一端，所述第8管脚连接XTAL2端的一端，所述第30管 脚连接PD0端，所述第31管脚连接PD1端，所述第32管脚连接ShutDown端，所述第1 管脚连接PD3端，所述第2管脚连接LED0端的一端，所述第9管脚连接LED1端的一端，所 述第10管脚悬空，所述第11管脚连接单刀双掷开关SF的动端2,单刀双掷开关SF的不动 端3接地，单刀双掷开关SF的不动端1通过电阻Rc连接电源VCC-5V端，所述第23管脚 连接AD-BAT端的一端，所述第24管脚悬空，所述第25管脚连接MCUShutDown端，所述第 26管脚连接LightON端，所述第27管脚连接AHIN端，所述第28管脚连接ALIN端，所述 第19管脚连接BHIN端，所述第22管脚连接BLIN端，所述第29管脚连接RESET端的一 端，所述第6管脚、第4管脚和第18管脚的第一路分别连接电源VCC-5V端，所述第6管脚、 第4管脚和第18管脚的第二路分别通过电容C28接地，所述第21管脚、第5管脚和第3管 脚的第一路分别接地，所述第21管脚、第5管脚和第3管脚的第二路分别连接电容C29的 一端，电容C29的另一端的第一路连接所述第20管脚，电容C29的另一端的第二路连接电 阻R45的一端，电阻R45的另一端连接Vref端的一端；
[0013] 所述Vref端的另一端的第一路通过电阻R48连接电源VCC-5V端，Vref端的另一 端的第二路连接TL431IDBZR型的可调式精密并联稳压器U6的负极，可调式精密并联稳压 器U6的正极接地，Vref端的另一端的第三路连接可调式精密并联稳压器U6的输出电压设 定端的一端，所述输出电压设定端的另一端通过电容C34接地，所述XTAL1端的另一端的第 一路连接8MHz晶体振荡器Y1的一端，所述XTAL1端的另一端的第二路通过电容C31接地， 所述XTAL2端的另一端的第一路连接8MHz晶体振荡器Y1的另一端，所述XTAL2端的另一 端的第二路通过电容C33接地，所述RESET端的另一端的第一路通过电阻R47连接电源 VCC-5V端，所述RESET端的另一端的第二路通过电容C30接地，所述AD-BAT端的另一端 的第一路通过电阻R46连接电源BAT+端，所述AD-BAT端的另一端的第二路通过电阻R49 接地，所述AD-BAT端的另一端的第三路通过电容C32接地，所述LED0端的另一端通过电 阻Rb连接双向发光二极管D16的第一信号输入端，所述LED1端的另一端通过电阻Rd连 接双向发光二极管D16的第二信号输入端，双向发光二极管D16的电源输入端连接VCC-5V 端。
[0014] 其中，所述Η桥电路包括IR2110型或IR2110S型的驱动1C芯片U2，以及IR2110 型或IR2110S型的驱动1C芯片U3，所述驱动1C芯片U2和驱动1C芯片U3分别设置有第1 管脚、第2管脚、第3管脚、第4管脚、第5管脚、第6管脚、第7管脚、第8管脚、第9管脚、 第10管脚、第11管脚、第12管脚、第13管脚、第14管脚、第15管脚和第16管脚；
[0015] 所述驱动1C芯片U2的第1管脚的第一路连接ΙΝ4148型的二极管D9的负极，所 述驱动1C芯片U2的第1管脚的第二路连接电阻R29的一端，电阻R29的另一端连接二极 管D9的正极的第一路，所述驱动1C芯片U2的第2管脚接地，所述驱动1C芯片U2的第3 管脚的第一路连接ΙΝ4007型的二极管D7的正极，所述驱动1C芯片U2的第3管脚的第二 路通过电容C20接地，所述驱动1C芯片U2的第3管脚的第三路通过电容C23接地，所述驱 动1C芯片U2的第3管脚的第四路连接电源ΒΑΤ+端，所述驱动1C芯片U2的第4管脚悬 空，所述驱动1C芯片U2的第5管脚悬空，所述驱动1C芯片U2的第6管脚的第一路连接电 容C15的一端，所述驱动1C芯片U2的第6管脚的第二路连接电阻R22的一端，所述驱动1C 芯片U2的第6管脚的第三路连接IRF840ASPBF型的M0S场效应管Q5的源极，所述驱动1C 芯片U2的第6管脚的第四路连接VHL端，所述驱动1C芯片U2的第6管脚的第五路连接 IRF840ASPBF型的M0S场效应管Q7的漏极，电容C15的另一端的第一路连接二极管D7的 负极，电容C15的另一端的第二路连接所述驱动1C芯片U2的第7管脚，所述驱动1C芯片 U2的第8管脚的第一路连接电阻R21的一端，所述驱动1C芯片U2的第8管脚的第二路连 接ΙΝ4148型的二极管D6的负极，电阻R21的另一端的第一路连接电阻R22的另一端，电阻 R21的另一端的第二路连接二极管D6的正极，电阻R21的另一端的第三路连接M0S场效应 管Q5的栅极，M0S场效应管Q5的漏极连接电源VCC-H端，所述驱动1C芯片U2的第9管脚 悬空，所述驱动1C芯片U2的第10管脚悬空，所述驱动1C芯片U2的第11管脚的第一路通 过电容C14接地，所述驱动1C芯片U2的第11管脚的第二路通过电容C17接地，所述驱动 1C芯片U2的第11管脚的第三路连接电源VCC-5V端，所述驱动1C芯片U2的第12管脚连 接控制电路的AHIN端，所述驱动1C芯片U2的第13管脚连接SHD端的一端，SHD端的另一 端通过电阻R27接地，所述驱动1C芯片U2的第14管脚连接控制电路的ALIN端，所述驱动 1C芯片U2的第15管脚接地，所述驱动1C芯片U2的第16管脚悬空；
[0016] 所述驱动1C芯片U3的第1管脚的第一路连接IN4148型的二极管D10的负极，所 述驱动1C芯片U3的第1管脚的第二路连接电阻R30的一端，电阻R30的另一端连接二极 管D10的正极的第一路，所述驱动1C芯片U3的第2管脚接地，所述驱动1C芯片U3的第3 管脚的第一路连接IN4007型的二极管D8的正极，所述驱动1C芯片U3的第3管脚的第二 路通过电容C21接地，所述驱动1C芯片U3的第3管脚的第三路通过电容C22接地，所述驱 动1C芯片U3的第3管脚的第四路连接电源BAT+端，所述驱动1C芯片U3的第4管脚悬 空，所述驱动1C芯片U3的第5管脚悬空，所述驱动1C芯片U3的第6管脚的第一路连接电 容C19的一端，所述驱动1C芯片U3的第6管脚的第二路连接电阻R23的一端，所述驱动1C 芯片U3的第6管脚的第三路连接IRF840ASPBF型的M0S场效应管Q6的源极，所述驱动1C 芯片U3的第6管脚的第四路连接VHR端，所述驱动1C芯片U3的第6管脚的第五路连接 IRF840ASPBF型的M0S场效应管Q8的漏极，电容C19的另一端的第一路连接二极管D8的 负极，电容C19的另一端的第二路连接所述驱动1C芯片U3的第7管脚，所述驱动1C芯片 U3的第8管脚的第一路连接电阻R20的一端，所述驱动1C芯片U3的第8管脚的第二路连 接IN4148型的二极管D5的负极，电阻R23的另一端的第一路连接电阻R20的另一端，电阻 R23的另一端的第二路连接二极管D5的正极，电阻R23的另一端的第三路连接M0S场效应 管Q6的栅极，M0S场效应管Q6的漏极连接电源VCC-Η端，所述驱动1C芯片U3的第9管脚 悬空，所述驱动1C芯片U3的第10管脚悬空，所述驱动1C芯片U3的第11管脚的第一路通 过电容C16接地，所述驱动1C芯片U3的第11管脚的第二路通过电容C18接地，所述驱动 1C芯片U3的第11管脚的第三路连接电源VCC-5V端，所述驱动1C芯片U3的第12管脚连 接控制电路的BHIN端，所述驱动1C芯片U3的第13管脚连接SHD端的一端，所述SHD端的 另一端通过电阻R24接地，所述驱动1C芯片IR2110的第14管脚连接控制电路的BLIN端， 所述驱动1C芯片IR2110的第15管脚接地，所述驱动1C芯片IR2110的第16管脚悬空；
[0017] 二极管D9的正极的第二路连接电阻R25的一端，二极管D9的正极的第三路连接 M0S场效应管Q7的栅极，电阻R25的另一端的第一路连接M0S场效应管Q7的源极，电阻R25 的另一端的第二路连接I-SAMP端，电阻R25的另一端的第三路连接电阻R28的一端，二极 管D10的正极的第二路连接电阻R26的一端，二极管D10的正极的第三路连接M0S场效应 管Q8的栅极，电阻R26的另一端的第一路连接M0S场效应管Q8的源极，电阻R26的另一端 的第二路连接I-SAMP端，电阻R26的另一端的第三路连接电阻R28的一端，电阻R28的另 一端接地。
[0018] 其中，所述磁粉探伤仪电源处理电路还包括过流保护电路，所述过流保护电路和 控制电路连接，所述过流保护电路包括LM2903M型的电压比较器芯片U4B和LM2903M型的 电压比较器U4A；
[0019] 所述电压比较器芯片U4B的负输入端的第一路通过电容C24连接控制电路的Vref 端，所述电压比较器芯片U4B的负输入端的第二路通过电阻R32连接控制电路的Vref端， 所述电压比较器芯片U4B的负输入端的第三路通过电阻R33接地，所述电压比较器芯片U4B 的正输入端的第一路连接IN4148型的二极管D14的负极，所述电压比较器芯片U4B的正输 入端的第二路通过电阻R39接地，所述电压比较器芯片U4B的正输入端的第三路通过电容 C26接地，所述电压比较器芯片U4B的正输入端的第四路通过电阻R42连接I-SAMP端，所述 电压比较器芯片U4B的输出端的第一路通过电阻R34连接电源VCC-5V端，所述电压比较器 芯片U4B的输出端的第二路连接IN4148型的二极管D12的正极，所述电压比较器芯片U4B 的输出端的第三路连接二极管D14的正极；
[0020] 所述电压比较器U4A的负输入端的第一路通过电阻R40接地，所述电压比较器U4A 的负输入端的第二路连接电阻R36的一端，所述电压比较器U4A的负输入端的第三路连接 电容C25的一端，所述电压比较器U4A的正输入端的第一路通过电阻R37连接控制电路的 Vref端，所述电压比较器U4A的正输入端的第二路通过电容C27接地，所述电压比较器U4A 的正输入端的第三路连接IN4148型的二极管D15的负极，所述电压比较器U4A的输出端的 第一路连接二极管D15的正极，所述电压比较器U4A的输出端的第二路连接IN4148型的二 极管D13的正极，所述电压比较器U4A的输出端的第三路通过电阻R35连接电源VCC-5V端， 所述电压比较器U4A的电源输入端连接电源VCC-5V端，所述电压比较器U4A的电源输出端 接地；
[0021] 二极管D13的负极的第一路连接电阻R41的一端，二极管D13的负极的第二路 连接SHD端，二极管D13的负极的第三路连接1N4148型的二极管Dm的负极，二极管Dm 的正极连接控制电路的MCUShutDown端，二极管D13的负极的第四路通过电阻R31连接 MMSZ5244-G型的稳压二极管D11的正极，二极管D13的负极的第五路连接二极管D12的负 极，稳压二极管D11的负极的第一路连接电源BAT+端，稳压二极管D11的负极的第二路连 接电阻R36的另一端，稳压二极管D11的负极的第三路连接电容C25的另一端，电阻R41的 另一端的第一路通过电阻R43接地，电阻R41的另一端的第二路连接CS8050型的三极管 Q9的基极，三极管Q9的发射极接地，三极管Q9的集电极的第一路通过电阻R38连接电源 VCC-5V端，三极管Q9的集电极的第二路连接控制电路的ShutDown端。
[0022] 其中，所述磁粉探伤仪电源处理电路还包括充电电路，所述充电电路和控制电路 连接，所述充电电路包括MAX745EAP芯片U7，所述MAX745EAP芯片U7设置有第1管脚、第2 管脚、第3管脚、第4管脚、第5管脚、第6管脚、第7管脚、第8管脚、第9管脚、第10管脚、 第11管脚、第12管脚、第13管脚、第14管脚、第15管脚、第16管脚、第17管脚、第18管 脚、第19管脚和第20管脚；
[0023] 所述第1管脚接地，所述第2管脚的第一路通过电容C37接地，所述第2管脚的第 二路连接充电输入Charge端，所述第2管脚的第三路通过电容C35接地，所述第2管脚的 第四路通过电容C36接地，所述第2管脚的第五路连接AUIRF7303Q型的M0S场效应管Q10A 的漏极，所述第3管脚通过电容C39接地，所述第4管脚依次通过电阻R50和电容C40接地， 所述第5管脚通过电容C45接地，所述第6管脚的第一路连接电阻R54的一端，所述第6管 脚的第二路通过电阻RT1接地，所述第7管脚的第一路通过电容C47接地，所述第7管脚的 第二路连接电阻R54的另一端，所述第7管脚的第三路连接电阻R55的一端，所述第7管脚 的第四路连接电阻R56的一端，所述第8管脚的第一路连接电阻R55的另一端，所述第8管 脚的第二路通过电阻R62接地，所述第9管脚的第一路连接电阻R56的另一端，所述第9管 脚的第二路通过电阻R59接地，所述第10管脚接地，所述第11管脚连接VL端，所述第12管 脚接地，所述第13管脚通过电阻R57连接VL端，所述第14管脚的第一路连接电阻R52的 一端，所述第14管脚的第二路通过电容C41接地，所述第14管脚的第三路通过电容C42接 地，所述第14管脚的第四路连接BIT-IN端，所述第14管脚的第五路通过CCFIN7型的保险 丝F1连接电源BAT+端，所述第15管脚的第一路连接电阻R52的另一端，所述第15管脚的 第二路连接MBRS340T3型的肖特基二极管D21的负极，所述第16管脚的第一路接地，所述 第16管脚的第二路连接AUIRF7303Q型场效应管Q10B的源极，所述第16管脚的第三路连 接MBRS340T3型的肖特基二极管D22的正极，所述第17管脚连接场效应管Q10B的栅极，所 述第18管脚连接AUIRF7303Q型的场效应管Q10A的栅极，所述第19管脚的第一路连接电 容C38的一端，所述第19管脚的第二路连接场效应管Q10A的源极，所述第19管脚的第三 路连接场效应管Q10B的漏极，所述第19管脚的第四路连接肖特基二极管D22的负极，所述 第19管脚的第五路通过22uH型的电感L1连接肖特基二极管D21的正极，所述第20管脚 的第一路连接电容C38的另一端，所述第20管脚的第二路连接IN4148型的二极管D20的 负极，二极管D20的正极连接VL端。
[0024] 其中，所述磁粉探伤仪电源处理电路还包括LED驱动电路，所述LED驱动电路和控 制电路连接，所述LED驱动电路包括LTC3621EMS8E#PBF芯片U10,所述LTC3621EMS8E#PBF 芯片U10设置有第1管脚、第2管脚、第3管脚、第4管脚、第5管脚、第6管脚、第7管脚和 第8管脚；
[0025] 所述第1管脚连接4. 7uH型电感L2的一端，所述第2管脚的第一路连接电源BAT+ 端，所述第2管脚的第二路通过电容C49接地，所述第3管脚的第一路连接控制电路的 LightON端，所述第3管脚的第二路通过电阻R60接地，所述第4管脚悬空，所述第5管脚的 第一路通过电阻R61接地，所述第5管脚的第二路连接电阻R58的一端，所述第6管脚的第 一路连接所述第7管脚，所述第6管脚的第二路通过电容C51接地，所述第8管脚接地；
[0026] 所述电感L2的另一端的第一路连接电阻R58的另一端，所述电感L2的另一端的 第二路通过电容C48接地，所述电感L2的另一端的第三路通过电容C50接地，所述电感L2 的另一端的第四路连接VLight端。
[0027] 第二方面，提供一种磁粉探伤仪，包括上述的磁粉探伤仪电源处理电路。
[0028] 其中，所述的磁粉探伤仪，包括壳体和电源接入座，所述电源接入座和壳体上表面 成30?60°角。
[0029] 本实用新型的有益效果在于：一种磁粉探伤仪电源处理电路和磁粉探伤仪，所述 磁粉探伤仪包括磁粉探伤仪电源处理电路，所述磁粉探伤仪电源处理电路，包括升压电路、 控制电路和Η桥电路，所述控制电路和Η桥电路连接，所述Η桥电路还和升压电路连接，所 述控制电路控制Η桥电路的输出波形，以便Η桥电路输出0?60Hz的电压频率信号。可 见，一种磁粉探伤仪电源处理电路和磁粉探伤仪，集成了直流和交流两种探伤工作模式，可 在不更换探伤仪的前提下对工件进行表面缺陷、近表面缺陷和深埋缺陷的全面检测，操作 简单且使用方便。
【专利附图】
【附图说明】
[0030] 为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对本实用新型实施例 描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新 型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根 据本实用新型实施例的内容和这些附图获得其他的附图。
[0031] 图1是本实用新型实施例提供的磁粉探伤仪电源处理电路的电路结构方框图。
[0032] 图2是本实用新型实施例提供的磁粉探伤仪电源处理电路的升压电路示意图。
[0033] 图3是本实用新型实施例提供的磁粉探伤仪电源处理电路的控制电路第一部分 示意图。
[0034] 图4是本实用新型实施例提供的磁粉探伤仪电源处理电路的控制电路第二部分 示意图。
[0035] 图5是本实用新型实施例提供的磁粉探伤仪电源处理电路的Η桥电路示意图。
[0036] 图6是本实用新型实施例提供的控制电路的脉冲直流控制波形和输出波形。
[0037] 图7是本实用新型实施例提供的控制电路的交流控制波形和输出波形。
[0038] 图8是本实用新型实施例提供的磁粉探伤仪电源处理电路的过流保护电路示意 图
[0039] 图9是本实用新型实施例提供的磁粉探伤仪电源处理电路的充电电路示意图。
[0040] 图10是本实用新型实施例提供的磁粉探伤仪电源处理电路的LED驱动电路示意 图。
[0041] 图11是本实用新型实施例提供的磁粉探伤仪的结构示意图。
[0042] 附图标记说明如下：
[0043] 1-壳体；2-电源接入座。
【具体实施方式】
[0044] 为使本实用新型解决的技术问题、采用的技术方案和达到的技术效果更加清楚， 下面将结合附图对本实用新型实施例的技术方案作进一步的详细描述，显然，所描述的实 施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例， 本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新 型保护的范围。
[0045] 请参考图1，其是本实用新型实施例提供的磁粉探伤仪电源处理电路的电路结构 方框图，可应用于各类磁粉探伤仪。
[0046] 该磁粉探伤仪电源处理电路，包括升压电路、控制电路和Η桥电路，所述控制电路 和Η桥电路连接，所述Η桥电路还和升压电路连接，所述控制电路控制Η桥电路的输出波 形，以便Η桥电路输出0?60Hz的电压频率信号。
[0047] 试验表明：电磁轭的磁场频率越高，对工件表面和近表面的缺陷检测能力越强，对 深埋缺陷的检测能力越差；电磁轭的磁场频率越低，对工件深埋缺陷的检测能力越强，对表 面和近表面缺陷的检测能力越差。本磁粉探伤仪电源处理电路以频率变换的电压驱动电磁 轭，输出〇?60Hz的电压频率信号。本磁粉探伤仪电源处理电路还可设置开关电路，用于 在直流探伤工作模式、交流定频探伤工作模式和交流扫频探伤工作模式之间进行切换。利 用磁粉探伤仪电源处理电路可一次性探出工件的表面缺陷、近表面缺陷和深埋缺陷，省去 了以往需要做一次交流探伤再做一次直流探伤才能完成全面探伤检测的麻烦。
[0048] 可见，一种磁粉探伤仪电源处理电路，集成了直流和交流两种探伤工作模式，可在 不更换探伤仪的前提下对工件进行表面缺陷、近表面缺陷和深埋缺陷的全面检测，操作简 单且使用方便。
[0049] 优选的，所述电压频率信号包括直流电压频率信号、交流定频电压频率信号和 15?50Hz交流扫频电压频率信号。当磁粉探伤仪电源处理电路输出15?50Hz交流扫频 电压频率信号，对工件表面和近表面的缺陷检测效果更好。
[0050] 请参考图2,其是本实用新型实施例提供的磁粉探伤仪电源处理电路的升压电路 示意图。
[0051] 其中，所述升压电路包括SG2525AP芯片U1，所述SG2525AP芯片U1上设置有第1 管脚、第2管脚、第3管脚、第4管脚、第5管脚、第6管脚、第7管脚、第8管脚、第9管脚、 第10管脚、第11管脚、第12管脚、第13管脚、第14管脚、第15管脚和第16管脚；
[0052] 所述第1管脚的第一路依次通过电阻R10和电容C7连接第9管脚，所述第1管脚 的第二路通过电容C13接地，所述第1管脚的第三路连接电阻R19的一端的第一路，所述第 2管脚的第一路通过电阻R17接地，所述第2管脚的第二路连接电阻R14的一端，所述第3 管脚悬空，所述第4管脚悬空，所述第5管脚的第一路通过电容C12接地，所述第5管脚第 二路通过电阻R16连接第7管脚，所述第6管脚通过电阻R13接地，所述第8管脚通过电容 C11接地，所述第10管脚的第一路通过电阻R1接地，所述第10管脚的第二路通过电容C1 接地，所述第10管脚的第三路通过电阻R2连接SHD端，所述第11管脚的第一路连接电阻 R11的一端，所述第11管脚的第二路连接电阻R12的一端，所述第12管脚接地，所述第13 管脚的第一路连接电源BAT+端，所述第13管脚的第二路通过电容C4接地，所述第13管脚 的第三路通过电容C5接地，所述第14管脚的第一路连接电阻R3的一端，所述第14管脚的 第二路连接电阻R4的一端，所述第15管脚连接电源BAT+端，所述第16管脚连接电阻R14 的另一端的第一路；
[0053] 电阻R14的另一端的第二路通过电容C9接地，电阻R14的另一端的第三路通过电 容C10接地，所述电阻R11的另一端的第一路连接IRF3205ZS型的M0S场效应管Q3的栅极， 所述电阻R11的另一端的第二路连接电阻R8的一端，电阻R8的另一端接地，M0S场效应管 Q3的漏极的第一路连接IRF3205ZS型的M0S场效应管Q4的漏极，M0S场效应管Q3的漏极 的第二路连接电容C8的一端，M0S场效应管Q3的漏极的第三路连接变压器的第一电压输入 端，M0S场效应管Q3的源极接地，所述电阻R12的另一端的第一路连接M0S场效应管Q4的 栅极，所述电阻R12的另一端的第二路连接电阻R9的一端，电阻R9的另一端接地，M0S场效 应管Q4的源极接地，所述电阻R3的另一端的第一路连接IRF3205ZS型的M0S场效应管Q1 的栅极，所述电阻R3的另一端的第二路连接电阻R5的一端，电阻R5的另一端接地，M0S场 效应管Q1的漏极的第一路连接IRF3205ZS型的M0S场效应管Q2的漏极，M0S场效应管Q1 的漏极的第二路连接电阻R7的一端，M0S场效应管Q1的漏极的第三路连接变压器的第二 电压输入端，M0S场效应管Q1的源极接地，所述电阻R4的另一端的第一路连接M0S场效应 管Q2的栅极，所述电阻R4的另一端的第二路连接电阻R6的一端，电阻R6的另一端接地， M0S场效应管Q2的源极接地，电阻R7的另一端和电容C8的另一端连接；
[0054] 变压器的第一电压输出端的第一路连接FR207型的二极管D1的负极，变压器的第 一电压输出端的第二路连接FR207型的二极管D2的正极，变压器的第二电压输出端的第一 路连接FR207型的二极管D3的正极，变压器的第二电压输出端的第二路连接FR207型的二 极管D4的负极，二极管D1的正极接地，二极管D2的负极的第一路连接二极管D3的负极， 二极管D2的负极的第二路依次通过电阻R15和电阻R18连接电阻R19的一端的第二路，电 阻R19的另一端接地，二极管D2的负极的第三路连接电源VCC-H端，二极管D2的负极的第 四路通过电容C6接地，二极管D4的正极接地。
[0055] 上述的电阻或电容的具体型号参数可参考图2所示，此处不作赘述。
[0056] 请参考图3,其是本实用新型实施例提供的磁粉探伤仪电源处理电路的控制电路 第一部分示意图。
[0057] 请参考图4,其是本实用新型实施例提供的磁粉探伤仪电源处理电路的控制电路 第二部分示意图。
[0058] 其中，所述控制电路包括ATmega8A-AU芯片U5，所述ATmega8A-AU芯片U5上设置 有第1管脚、第2管脚、第3管脚、第4管脚、第5管脚、第6管脚、第7管脚、第8管脚、第9 管脚、第10管脚、第11管脚、第12管脚、第13管脚、第14管脚、第15管脚、第16管脚、第 17管脚、第18管脚、第19管脚、第20管脚、第21管脚、第22管脚、第23管脚、第24管脚、 第25管脚、第26管脚、第27管脚、第28管脚、第29管脚、第30管脚、第31管脚和第32管 脚；
[0059] 所述第12管脚连接RUN端，所述第13管脚连接BATStatus端，所述第14管脚 悬空，所述第15管脚连接M0SI端，所述第16管脚连接MIS0端，所述第17管脚连接CLK 端，所述第7管脚连接XTAL1端的一端，所述第8管脚连接XTAL2端的一端，所述第30管 脚连接PD0端，所述第31管脚连接PD1端，所述第32管脚连接ShutDown端，所述第1 管脚连接PD3端，所述第2管脚连接LED0端的一端，所述第9管脚连接LED1端的一端，所 述第10管脚悬空，所述第11管脚连接单刀双掷开关SF的动端2,单刀双掷开关SF的不动 端3接地，单刀双掷开关SF的不动端1通过电阻Rc连接电源VCC-5V端，所述第23管脚 连接AD-BAT端的一端，所述第24管脚悬空，所述第25管脚连接MCUShutDown端，所述第 26管脚连接LightON端，所述第27管脚连接AHIN端，所述第28管脚连接ALIN端，所述 第19管脚连接BHIN端，所述第22管脚连接BLIN端，所述第29管脚连接RESET端的一 端，所述第6管脚、第4管脚和第18管脚的第一路分别连接电源VCC-5V端，所述第6管脚、 第4管脚和第18管脚的第二路分别通过电容C28接地，所述第21管脚、第5管脚和第3管 脚的第一路分别接地，所述第21管脚、第5管脚和第3管脚的第二路分别连接电容C29的 一端，电容C29的另一端的第一路连接所述第20管脚，电容C29的另一端的第二路连接电 阻R45的一端，电阻R45的另一端连接Vref端的一端；
[0060] 所述Vref端的另一端的第一路通过电阻R48连接电源VCC-5V端，Vref端的另一 端的第二路连接TL431IDBZR型的可调式精密并联稳压器U6的负极，可调式精密并联稳压 器U6的正极接地，Vref端的另一端的第三路连接可调式精密并联稳压器U6的输出电压设 定端的一端，所述输出电压设定端的另一端通过电容C34接地，所述XTAL1端的另一端的第 一路连接8MHz晶体振荡器Y1的一端，所述XTAL1端的另一端的第二路通过电容C31接地， 所述XTAL2端的另一端的第一路连接8MHz晶体振荡器Y1的另一端，所述XTAL2端的另一 端的第二路通过电容C33接地，所述RESET端的另一端的第一路通过电阻R47连接电源 VCC-5V端，所述RESET端的另一端的第二路通过电容C30接地，所述AD-BAT端的另一端 的第一路通过电阻R46连接电源BAT+端，所述AD-BAT端的另一端的第二路通过电阻R49 接地，所述AD-BAT端的另一端的第三路通过电容C32接地，所述LEDO端的另一端通过电 阻Rb连接双向发光二极管D16的第一信号输入端，所述LED1端的另一端通过电阻Rd连 接双向发光二极管D16的第二信号输入端，双向发光二极管D16的电源输入端连接VCC-5V 端。
[0061] 上述的电阻或电容的具体型号参数可参考图3和图4所示，此处不作赘述。
[0062] 请参考图5,其是本实用新型实施例提供的磁粉探伤仪电源处理电路的Η桥电路 示意图。
[0063] 其中，所述Η桥电路包括IR2110型或IR2110S型的驱动1C芯片U2,以及IR2110 型或IR2110S型的驱动1C芯片U3,所述驱动1C芯片U2和驱动1C芯片U3分别设置有第1 管脚、第2管脚、第3管脚、第4管脚、第5管脚、第6管脚、第7管脚、第8管脚、第9管脚、 第10管脚、第11管脚、第12管脚、第13管脚、第14管脚、第15管脚和第16管脚；
[0064] 所述驱动1C芯片U2的第1管脚的第一路连接ΙΝ4148型的二极管D9的负极，所 述驱动1C芯片U2的第1管脚的第二路连接电阻R29的一端，电阻R29的另一端连接二极 管D9的正极的第一路，所述驱动1C芯片U2的第2管脚接地，所述驱动1C芯片U2的第3 管脚的第一路连接ΙΝ4007型的二极管D7的正极，所述驱动1C芯片U2的第3管脚的第二 路通过电容C20接地，所述驱动1C芯片U2的第3管脚的第三路通过电容C23接地，所述驱 动1C芯片U2的第3管脚的第四路连接电源ΒΑΤ+端，所述驱动1C芯片U2的第4管脚悬 空，所述驱动1C芯片U2的第5管脚悬空，所述驱动1C芯片U2的第6管脚的第一路连接电 容C15的一端，所述驱动1C芯片U2的第6管脚的第二路连接电阻R22的一端，所述驱动1C 芯片U2的第6管脚的第三路连接IRF840ASPBF型的M0S场效应管Q5的源极，所述驱动1C 芯片U2的第6管脚的第四路连接VHL端，所述驱动1C芯片U2的第6管脚的第五路连接 IRF840ASPBF型的M0S场效应管Q7的漏极，电容C15的另一端的第一路连接二极管D7的 负极，电容C15的另一端的第二路连接所述驱动1C芯片U2的第7管脚，所述驱动1C芯片 U2的第8管脚的第一路连接电阻R21的一端，所述驱动1C芯片U2的第8管脚的第二路连 接ΙΝ4148型的二极管D6的负极，电阻R21的另一端的第一路连接电阻R22的另一端，电阻 R21的另一端的第二路连接二极管D6的正极，电阻R21的另一端的第三路连接M0S场效应 管Q5的栅极，M0S场效应管Q5的漏极连接电源VCC-H端，所述驱动1C芯片U2的第9管脚 悬空，所述驱动1C芯片U2的第10管脚悬空，所述驱动1C芯片U2的第11管脚的第一路通 过电容C14接地，所述驱动1C芯片U2的第11管脚的第二路通过电容C17接地，所述驱动 1C芯片U2的第11管脚的第三路连接电源VCC-5V端，所述驱动1C芯片U2的第12管脚连 接控制电路的ΑΗΙΝ端，所述驱动1C芯片U2的第13管脚连接SHD端的一端，SHD端的另一 端通过电阻R27接地，所述驱动1C芯片U2的第14管脚连接控制电路的ALIN端，所述驱动 1C芯片U2的第15管脚接地，所述驱动1C芯片U2的第16管脚悬空；
[0065] 所述驱动1C芯片U3的第1管脚的第一路连接IN4148型的二极管D10的负极，所 述驱动1C芯片U3的第1管脚的第二路连接电阻R30的一端，电阻R30的另一端连接二极 管D10的正极的第一路，所述驱动1C芯片U3的第2管脚接地，所述驱动1C芯片U3的第3 管脚的第一路连接IN4007型的二极管D8的正极，所述驱动1C芯片U3的第3管脚的第二 路通过电容C21接地，所述驱动1C芯片U3的第3管脚的第三路通过电容C22接地，所述驱 动1C芯片U3的第3管脚的第四路连接电源BAT+端，所述驱动1C芯片U3的第4管脚悬 空，所述驱动1C芯片U3的第5管脚悬空，所述驱动1C芯片U3的第6管脚的第一路连接电 容C19的一端，所述驱动1C芯片U3的第6管脚的第二路连接电阻R23的一端，所述驱动1C 芯片U3的第6管脚的第三路连接IRF840ASPBF型的MOS场效应管Q6的源极，所述驱动1C 芯片U3的第6管脚的第四路连接VHR端，所述驱动1C芯片U3的第6管脚的第五路连接 IRF840ASPBF型的MOS场效应管Q8的漏极，电容C19的另一端的第一路连接二极管D8的 负极，电容C19的另一端的第二路连接所述驱动1C芯片U3的第7管脚，所述驱动1C芯片 U3的第8管脚的第一路连接电阻R20的一端，所述驱动1C芯片U3的第8管脚的第二路连 接IN4148型的二极管D5的负极，电阻R23的另一端的第一路连接电阻R20的另一端，电阻 R23的另一端的第二路连接二极管D5的正极，电阻R23的另一端的第三路连接MOS场效应 管Q6的栅极，MOS场效应管Q6的漏极连接电源VCC-H端，所述驱动1C芯片U3的第9管脚 悬空，所述驱动1C芯片U3的第10管脚悬空，所述驱动1C芯片U3的第11管脚的第一路通 过电容C16接地，所述驱动1C芯片U3的第11管脚的第二路通过电容C18接地，所述驱动 1C芯片U3的第11管脚的第三路连接电源VCC-5V端，所述驱动1C芯片U3的第12管脚连 接控制电路的BHIN端，所述驱动1C芯片U3的第13管脚连接SHD端的一端，所述SHD端的 另一端通过电阻R24接地，所述驱动1C芯片IR2110的第14管脚连接控制电路的BLIN端， 所述驱动1C芯片IR2110的第15管脚接地，所述驱动1C芯片IR2110的第16管脚悬空； [0066] 二极管D9的正极的第二路连接电阻R25的一端，二极管D9的正极的第三路连接 M0S场效应管Q7的栅极，电阻R25的另一端的第一路连接M0S场效应管Q7的源极，电阻R25 的另一端的第二路连接I-SAMP端，电阻R25的另一端的第三路连接电阻R28的一端，二极 管D10的正极的第二路连接电阻R26的一端，二极管D10的正极的第三路连接M0S场效应 管Q8的栅极，电阻R26的另一端的第一路连接M0S场效应管Q8的源极，电阻R26的另一端 的第二路连接I-SAMP端，电阻R26的另一端的第三路连接电阻R28的一端，电阻R28的另 一端接地。
[0067] 上述的电阻或电容的具体型号参数可参考图5所示，此处不作赘述。
[0068] 该磁粉探伤仪电源处理电路，升压电路将升压后的直流高压加在M0S场效应管 Q5，Q6的D极，VHL和VHR为Η桥输出端。IR2110型的驱动1C芯片或IR2110S型的驱动1C 芯片为Η桥电路专用驱动1C芯片，控制电路发出的控制信号通过第12管脚控制Η桥电路 的高端M0S场效应管（Q5和Q6)的通断，控制信号通过第14管脚控制Η桥电路的低端M0S 场效应管（Q7和Q8)的通断。以各种方式控制Η桥电路的四个M0S场效应管（Q5、Q6、Q7和 Q8)的通断即可实现各种波形的输出。请参考图6,其是本实用新型实施例提供的控制电路 的脉冲直流控制波形和输出波形。请参考图7,其是本实用新型实施例提供的控制电路的交 流控制波形和输出波形。该交流控制波形和输出波形为梯形波。
[0069] 请参考图8,其是本实用新型实施例提供的磁粉探伤仪电源处理电路的过流保护 电路不意图。
[0070] 其中，所述磁粉探伤仪电源处理电路还包括过流保护电路，所述过流保护电路和 控制电路连接，所述过流保护电路包括LM2903M型的电压比较器芯片U4B和LM2903M型的 电压比较器U4A;
[0071 ] 所述电压比较器芯片U4B的负输入端的第一路通过电容C24连接控制电路的Vref 端，所述电压比较器芯片U4B的负输入端的第二路通过电阻R32连接控制电路的Vref端， 所述电压比较器芯片U4B的负输入端的第三路通过电阻R33接地，所述电压比较器芯片U4B 的正输入端的第一路连接IN4148型的二极管D14的负极，所述电压比较器芯片U4B的正输 入端的第二路通过电阻R39接地，所述电压比较器芯片U4B的正输入端的第三路通过电容 C26接地，所述电压比较器芯片U4B的正输入端的第四路通过电阻R42连接I-SAMP端，所述 电压比较器芯片U4B的输出端的第一路通过电阻R34连接电源VCC-5V端，所述电压比较器 芯片U4B的输出端的第二路连接IN4148型的二极管D12的正极，所述电压比较器芯片U4B 的输出端的第三路连接二极管D14的正极；
[0072] 所述电压比较器U4A的负输入端的第一路通过电阻R40接地，所述电压比较器U4A 的负输入端的第二路连接电阻R36的一端，所述电压比较器U4A的负输入端的第三路连接 电容C25的一端，所述电压比较器U4A的正输入端的第一路通过电阻R37连接控制电路的 Vref端，所述电压比较器U4A的正输入端的第二路通过电容C27接地，所述电压比较器U4A 的正输入端的第三路连接IN4148型的二极管D15的负极，所述电压比较器U4A的输出端的 第一路连接二极管D15的正极，所述电压比较器U4A的输出端的第二路连接IN4148型的二 极管D13的正极，所述电压比较器U4A的输出端的第三路通过电阻R35连接电源VCC-5V端， 所述电压比较器U4A的电源输入端连接电源VCC-5V端，所述电压比较器U4A的电源输出端 接地；
[0073] 二极管D13的负极的第一路连接电阻R41的一端，二极管D13的负极的第二路 连接SHD端，二极管D13的负极的第三路连接1N4148型的二极管Dm的负极，二极管Dm 的正极连接控制电路的MCUShutDown端，二极管D13的负极的第四路通过电阻R31连接 MMSZ5244-G型的稳压二极管D11的正极，二极管D13的负极的第五路连接二极管D12的负 极，稳压二极管D11的负极的第一路连接电源BAT+端，稳压二极管D11的负极的第二路连 接电阻R36的另一端，稳压二极管D11的负极的第三路连接电容C25的另一端，电阻R41的 另一端的第一路通过电阻R43接地，电阻R41的另一端的第二路连接CS8050型的三极管 Q9的基极，三极管Q9的发射极接地，三极管Q9的集电极的第一路通过电阻R38连接电源 VCC-5V端，三极管Q9的集电极的第二路连接控制电路的ShutDown端。
[0074] 上述的电阻或电容的具体型号参数可参考图8所示，此处不作赘述。
[0075] 请参考图9,其是本实用新型实施例提供的磁粉探伤仪电源处理电路的充电电路 示意图。
[0076] 其中，所述磁粉探伤仪电源处理电路还包括充电电路，所述充电电路和控制电路 连接，所述充电电路包括MAX745EAP芯片U7，所述MAX745EAP芯片U7设置有第1管脚、第2 管脚、第3管脚、第4管脚、第5管脚、第6管脚、第7管脚、第8管脚、第9管脚、第10管脚、 第11管脚、第12管脚、第13管脚、第14管脚、第15管脚、第16管脚、第17管脚、第18管 脚、第19管脚和第20管脚；
[0077] 所述第1管脚接地，所述第2管脚的第一路通过电容C37接地，所述第2管脚的第 二路连接充电输入Charge端，所述第2管脚的第三路通过电容C35接地，所述第2管脚的 第四路通过电容C36接地，所述第2管脚的第五路连接AUIRF7303Q型的M0S场效应管Q10A 的漏极，所述第3管脚通过电容C39接地，所述第4管脚依次通过电阻R50和电容C40接地， 所述第5管脚通过电容C45接地，所述第6管脚的第一路连接电阻R54的一端，所述第6管 脚的第二路通过电阻RT1接地，所述第7管脚的第一路通过电容C47接地，所述第7管脚的 第二路连接电阻R54的另一端，所述第7管脚的第三路连接电阻R55的一端，所述第7管脚 的第四路连接电阻R56的一端，所述第8管脚的第一路连接电阻R55的另一端，所述第8管 脚的第二路通过电阻R62接地，所述第9管脚的第一路连接电阻R56的另一端，所述第9管 脚的第二路通过电阻R59接地，所述第10管脚接地，所述第11管脚连接VL端，所述第12管 脚接地，所述第13管脚通过电阻R57连接VL端，所述第14管脚的第一路连接电阻R52的 一端，所述第14管脚的第二路通过电容C41接地，所述第14管脚的第三路通过电容C42接 地，所述第14管脚的第四路连接BIT-IN端，所述第14管脚的第五路通过CCFIN7型的保险 丝F1连接电源BAT+端，所述第15管脚的第一路连接电阻R52的另一端，所述第15管脚的 第二路连接MBRS340T3型的肖特基二极管D21的负极，所述第16管脚的第一路接地，所述 第16管脚的第二路连接AUIRF7303Q型场效应管Q10B的源极，所述第16管脚的第三路连 接MBRS340T3型的肖特基二极管D22的正极，所述第17管脚连接场效应管Q10B的栅极，所 述第18管脚连接AUIRF7303Q型的场效应管Q10A的栅极，所述第19管脚的第一路连接电 容C38的一端，所述第19管脚的第二路连接场效应管Q10A的源极，所述第19管脚的第三 路连接场效应管Q10B的漏极，所述第19管脚的第四路连接肖特基二极管D22的负极，所述 第19管脚的第五路通过22uH型的电感L1连接肖特基二极管D21的正极，所述第20管脚 的第一路连接电容C38的另一端，所述第20管脚的第二路连接IN4148型的二极管D20的 负极，二极管D20的正极连接VL端。
[0078] 上述的电阻或电容的具体型号参数可参考图9所示，此处不作赘述。
[0079] 请参考图10,其是本实用新型实施例提供的磁粉探伤仪电源处理电路的LED驱动 电路不意图。
[0080] 其中，所述磁粉探伤仪电源处理电路还包括LED驱动电路，所述LED驱动电路和控 制电路连接，所述LED驱动电路包括LTC3621EMS8E#PBF芯片U10,所述LTC3621EMS8E#PBF 芯片U10设置有第1管脚、第2管脚、第3管脚、第4管脚、第5管脚、第6管脚、第7管脚和 第8管脚；
[0081] 所述第1管脚连接4. 7uH型电感L2的一端，所述第2管脚的第一路连接电源BAT+ 端，所述第2管脚的第二路通过电容C49接地，所述第3管脚的第一路连接控制电路的 LightON端，所述第3管脚的第二路通过电阻R60接地，所述第4管脚悬空，所述第5管脚的 第一路通过电阻R61接地，所述第5管脚的第二路连接电阻R58的一端，所述第6管脚的第 一路连接所述第7管脚，所述第6管脚的第二路通过电容C51接地，所述第8管脚接地；
[0082] 所述电感L2的另一端的第一路连接电阻R58的另一端，所述电感L2的另一端的 第二路通过电容C48接地，所述电感L2的另一端的第三路通过电容C50接地，所述电感L2 的另一端的第四路连接VLight端。
[0083] 上述的电阻或电容的具体型号参数可参考图10所示，此处不作赘述。
[0084] 请参考图11，其是是本实用新型实施例提供的磁粉探伤仪的结构示意图。
[0085] 该磁粉探伤仪，包括上述的磁粉探伤仪电源处理电路。
[0086] 该磁粉探伤仪，集成了直流和交流两种探伤工作模式，可在不更换探伤仪的前提 下对工件进行表面缺陷、近表面缺陷和深埋缺陷的全面检测，操作简单且使用方便。
[0087] 其中，所述的磁粉探伤仪，包括壳体1和电源接入座2,所述电源接入座2和壳体1 上表面成30?60°角。
[0088]目前市场上的磁粉探伤仪，其电源接入座2和壳体1上表面一般成0°角或90° 角，当电源接入座2和壳体1上表面成0°角，检测时从电源接入座2伸出的电缆线和工件 表面之间会产生不必要的摩擦，当电源接入座2和壳体1上表面成90°角，检测时给手掌留 出了的活动空间又相对较小。所以，电源接入座2和壳体1上表面成30?60°角，相对于 电源接入座2和壳体1上表面成0°角或90°角的设置方式来说，既减少了电缆线和工件 表面之间不必要的摩擦，又给手掌留出了更多的活动空间，可谓一举两得。优选的，电源接 入座2和壳体1上表面成45°角，该设置方式充分考虑了上述两方面的因素，同时也便于制 作工艺的标准化。
[0089] 一种磁粉探伤仪电源处理电路和磁粉探伤仪，集成了直流和交流两种探伤工作模 式，可在不更换探伤仪的前提下对工件进行表面缺陷、近表面缺陷和深埋缺陷的全面检测， 操作简单且使用方便。
[0090] 以上内容仅为本实用新型的较佳实施例，对于本领域的普通技术人员，依据本实 用新型的思想，在【具体实施方式】及应用范围上均会有改变之处，本说明书内容不应理解为 对本实用新型的限制。
【权利要求】
1. 一种磁粉探伤仪电源处理电路，其特征在于：包括升压电路、控制电路和Η桥电路， 所述控制电路和Η桥电路连接，所述Η桥电路还和升压电路连接，所述控制电路控制Η桥电 路的输出波形，以便Η桥电路输出0?60Hz的电压频率信号。
2. 根据权利要求1所述的磁粉探伤仪电源处理电路，其特征在于，所述电压频率信号 包括直流电压频率信号、交流定频电压频率信号和15?50Hz交流扫频电压频率信号。
3. 根据权利要求1所述的磁粉探伤仪电源处理电路，其特征在于，所述升压电路包括 SG2525AP芯片U1，所述SG2525AP芯片U1上设置有第1管脚、第2管脚、第3管脚、第4管 脚、第5管脚、第6管脚、第7管脚、第8管脚、第9管脚、第10管脚、第11管脚、第12管脚、 第13管脚、第14管脚、第15管脚和第16管脚； 所述第1管脚的第一路依次通过电阻R10和电容C7连接第9管脚，所述第1管脚的第 二路通过电容C13接地，所述第1管脚的第三路连接电阻R19的一端的第一路，所述第2管 脚的第一路通过电阻R17接地，所述第2管脚的第二路连接电阻R14的一端，所述第3管脚 悬空，所述第4管脚悬空，所述第5管脚的第一路通过电容C12接地，所述第5管脚第二路 通过电阻R16连接第7管脚，所述第6管脚通过电阻R13接地，所述第8管脚通过电容C11 接地，所述第10管脚的第一路通过电阻R1接地，所述第10管脚的第二路通过电容C1接地， 所述第10管脚的第三路通过电阻R2连接SHD端，所述第11管脚的第一路连接电阻R11的 一端，所述第11管脚的第二路连接电阻R12的一端，所述第12管脚接地，所述第13管脚的 第一路连接电源BAT+端，所述第13管脚的第二路通过电容C4接地，所述第13管脚的第三 路通过电容C5接地，所述第14管脚的第一路连接电阻R3的一端，所述第14管脚的第二路 连接电阻R4的一端，所述第15管脚连接电源BAT+端，所述第16管脚连接电阻R14的另一 端的第一路； 电阻R14的另一端的第二路通过电容C9接地，电阻R14的另一端的第三路通过电容 C10接地，所述电阻R11的另一端的第一路连接IRF3205ZS型的MOS场效应管Q3的栅极， 所述电阻R11的另一端的第二路连接电阻R8的一端，电阻R8的另一端接地，M0S场效应管 Q3的漏极的第一路连接IRF3205ZS型的M0S场效应管Q4的漏极，M0S场效应管Q3的漏极 的第二路连接电容C8的一端，M0S场效应管Q3的漏极的第三路连接变压器的第一电压输入 端，M0S场效应管Q3的源极接地，所述电阻R12的另一端的第一路连接M0S场效应管Q4的 栅极，所述电阻R12的另一端的第二路连接电阻R9的一端，电阻R9的另一端接地，M0S场效 应管Q4的源极接地，所述电阻R3的另一端的第一路连接IRF3205ZS型的M0S场效应管Q1 的栅极，所述电阻R3的另一端的第二路连接电阻R5的一端，电阻R5的另一端接地，M0S场 效应管Q1的漏极的第一路连接IRF3205ZS型的M0S场效应管Q2的漏极，M0S场效应管Q1 的漏极的第二路连接电阻R7的一端，M0S场效应管Q1的漏极的第三路连接变压器的第二 电压输入端，M0S场效应管Q1的源极接地，所述电阻R4的另一端的第一路连接M0S场效应 管Q2的栅极，所述电阻R4的另一端的第二路连接电阻R6的一端，电阻R6的另一端接地， M0S场效应管Q2的源极接地，电阻R7的另一端和电容C8的另一端连接； 变压器的第一电压输出端的第一路连接FR207型的二极管D1的负极，变压器的第一电 压输出端的第二路连接FR207型的二极管D2的正极，变压器的第二电压输出端的第一路连 接FR207型的二极管D3的正极，变压器的第二电压输出端的第二路连接FR207型的二极管 D4的负极，二极管D1的正极接地，二极管D2的负极的第一路连接二极管D3的负极，二极管 D2的负极的第二路依次通过电阻R15和电阻R18连接电阻R19的一端的第二路，电阻R19 的另一端接地，二极管D2的负极的第三路连接电源VCC-H端，二极管D2的负极的第四路通 过电容C6接地，二极管D4的正极接地。
4. 根据权利要求1所述的磁粉探伤仪电源处理电路，其特征在于，所述控制电路包括 ATmega8A-AU芯片U5,所述ATmega8A-AU芯片U5上设置有第1管脚、第2管脚、第3管脚、 第4管脚、第5管脚、第6管脚、第7管脚、第8管脚、第9管脚、第10管脚、第11管脚、第12 管脚、第13管脚、第14管脚、第15管脚、第16管脚、第17管脚、第18管脚、第19管脚、第 20管脚、第21管脚、第22管脚、第23管脚、第24管脚、第25管脚、第26管脚、第27管脚、 第28管脚、第29管脚、第30管脚、第31管脚和第32管脚； 所述第12管脚连接RUN端，所述第13管脚连接BATStatus端，所述第14管脚悬空， 所述第15管脚连接MOSI端，所述第16管脚连接MISO端，所述第17管脚连接CLK端， 所述第7管脚连接XTAL1端的一端，所述第8管脚连接XTAL2端的一端，所述第30管脚连 接PDO端，所述第31管脚连接PD1端，所述第32管脚连接ShutDown端，所述第1管脚 连接PD3端，所述第2管脚连接LED0端的一端，所述第9管脚连接LED1端的一端，所述第 10管脚悬空，所述第11管脚连接单刀双掷开关SF的动端2,单刀双掷开关SF的不动端3 接地，单刀双掷开关SF的不动端1通过电阻Rc连接电源VCC-5V端，所述第23管脚连接 AD-BAT端的一端，所述第24管脚悬空，所述第25管脚连接MCUShutDown端，所述第26管 脚连接LightON端，所述第27管脚连接AHIN端，所述第28管脚连接ALIN端，所述第19 管脚连接BHIN端，所述第22管脚连接BLIN端，所述第29管脚连接RESET端的一端，所 述第6管脚、第4管脚和第18管脚的第一路分别连接电源VCC-5V端，所述第6管脚、第4 管脚和第18管脚的第二路分别通过电容C28接地，所述第21管脚、第5管脚和第3管脚的 第一路分别接地，所述第21管脚、第5管脚和第3管脚的第二路分别连接电容C29的一端， 电容C29的另一端的第一路连接所述第20管脚，电容C29的另一端的第二路连接电阻R45 的一端，电阻R45的另一端连接Vref端的一端； 所述Vref端的另一端的第一路通过电阻R48连接电源VCC-5V端，Vref端的另一端的 第二路连接TL431IDBZR型的可调式精密并联稳压器U6的负极，可调式精密并联稳压器U6 的正极接地，Vref端的另一端的第三路连接可调式精密并联稳压器U6的输出电压设定端 的一端，所述输出电压设定端的另一端通过电容C34接地，所述XTAL1端的另一端的第一路 连接8MHz晶体振荡器Y1的一端，所述XTAL1端的另一端的第二路通过电容C31接地，所 述XTAL2端的另一端的第一路连接8MHz晶体振荡器Y1的另一端，所述XTAL2端的另一端的 第二路通过电容C33接地，所述RESET端的另一端的第一路通过电阻R47连接电源VCC-5V 端，所述RESET端的另一端的第二路通过电容C30接地，所述AD-BAT端的另一端的第一 路通过电阻R46连接电源BAT+端，所述AD-BAT端的另一端的第二路通过电阻R49接地， 所述AD-BAT端的另一端的第三路通过电容C32接地，所述LED0端的另一端通过电阻Rb 连接双向发光二极管D16的第一信号输入端，所述LED1端的另一端通过电阻Rd连接双向 发光二极管D16的第二信号输入端，双向发光二极管D16的电源输入端连接VCC-5V端。
5. 根据权利要求1所述的磁粉探伤仪电源处理电路，其特征在于，所述Η桥电路包括 IR2110型或IR2110S型的驱动1C芯片U2,以及IR2110型或IR2110S型的驱动1C芯片U3， 所述驱动1C芯片U2和驱动1C芯片U3分别设置有第1管脚、第2管脚、第3管脚、第4管 脚、第5管脚、第6管脚、第7管脚、第8管脚、第9管脚、第10管脚、第11管脚、第12管脚、 第13管脚、第14管脚、第15管脚和第16管脚； 所述驱动1C芯片U2的第1管脚的第一路连接IN4148型的二极管D9的负极，所述驱 动1C芯片U2的第1管脚的第二路连接电阻R29的一端，电阻R29的另一端连接二极管D9 的正极的第一路，所述驱动1C芯片U2的第2管脚接地，所述驱动1C芯片U2的第3管脚的 第一路连接IN4007型的二极管D7的正极，所述驱动1C芯片U2的第3管脚的第二路通过电 容C20接地，所述驱动1C芯片U2的第3管脚的第三路通过电容C23接地，所述驱动1C芯 片U2的第3管脚的第四路连接电源BAT+端，所述驱动1C芯片U2的第4管脚悬空，所述驱 动1C芯片U2的第5管脚悬空，所述驱动1C芯片U2的第6管脚的第一路连接电容C15的一 端，所述驱动1C芯片U2的第6管脚的第二路连接电阻R22的一端，所述驱动1C芯片U2的 第6管脚的第三路连接IRF840ASPBF型的MOS场效应管Q5的源极，所述驱动1C芯片U2的 第6管脚的第四路连接VHL端，所述驱动1C芯片U2的第6管脚的第五路连接IRF840ASPBF 型的MOS场效应管Q7的漏极，电容C15的另一端的第一路连接二极管D7的负极，电容C15 的另一端的第二路连接所述驱动1C芯片U2的第7管脚，所述驱动1C芯片U2的第8管脚 的第一路连接电阻R21的一端，所述驱动1C芯片U2的第8管脚的第二路连接IN4148型的 二极管D6的负极，电阻R21的另一端的第一路连接电阻R22的另一端，电阻R21的另一端 的第二路连接二极管D6的正极，电阻R21的另一端的第三路连接MOS场效应管Q5的栅极， MOS场效应管Q5的漏极连接电源VCC-H端，所述驱动1C芯片U2的第9管脚悬空，所述驱 动1C芯片U2的第10管脚悬空，所述驱动1C芯片U2的第11管脚的第一路通过电容C14 接地，所述驱动1C芯片U2的第11管脚的第二路通过电容C17接地，所述驱动1C芯片U2 的第11管脚的第三路连接电源VCC-5V端，所述驱动1C芯片U2的第12管脚连接控制电路 的AHIN端，所述驱动1C芯片U2的第13管脚连接SHD端的一端，SHD端的另一端通过电阻 R27接地，所述驱动1C芯片U2的第14管脚连接控制电路的ALIN端，所述驱动1C芯片U2 的第15管脚接地，所述驱动1C芯片U2的第16管脚悬空； 所述驱动1C芯片U3的第1管脚的第一路连接IN4148型的二极管D10的负极，所述驱 动1C芯片U3的第1管脚的第二路连接电阻R30的一端，电阻R30的另一端连接二极管D10 的正极的第一路，所述驱动1C芯片U3的第2管脚接地，所述驱动1C芯片U3的第3管脚的 第一路连接IN4007型的二极管D8的正极，所述驱动1C芯片U3的第3管脚的第二路通过电 容C21接地，所述驱动1C芯片U3的第3管脚的第三路通过电容C22接地，所述驱动1C芯 片U3的第3管脚的第四路连接电源BAT+端，所述驱动1C芯片U3的第4管脚悬空，所述驱 动1C芯片U3的第5管脚悬空，所述驱动1C芯片U3的第6管脚的第一路连接电容C19的一 端，所述驱动1C芯片U3的第6管脚的第二路连接电阻R23的一端，所述驱动1C芯片U3的 第6管脚的第三路连接IRF840ASPBF型的MOS场效应管Q6的源极，所述驱动1C芯片U3的 第6管脚的第四路连接VHR端，所述驱动1C芯片U3的第6管脚的第五路连接IRF840ASPBF 型的MOS场效应管Q8的漏极，电容C19的另一端的第一路连接二极管D8的负极，电容C19 的另一端的第二路连接所述驱动1C芯片U3的第7管脚，所述驱动1C芯片U3的第8管脚 的第一路连接电阻R20的一端，所述驱动1C芯片U3的第8管脚的第二路连接IN4148型的 二极管D5的负极，电阻R23的另一端的第一路连接电阻R20的另一端，电阻R23的另一端 的第二路连接二极管D5的正极，电阻R23的另一端的第三路连接MOS场效应管Q6的栅极， MOS场效应管Q6的漏极连接电源VCC-H端，所述驱动1C芯片U3的第9管脚悬空，所述驱动 1C芯片U3的第10管脚悬空，所述驱动1C芯片U3的第11管脚的第一路通过电容C16接 地，所述驱动1C芯片U3的第11管脚的第二路通过电容C18接地，所述驱动1C芯片U3的 第11管脚的第三路连接电源VCC-5V端，所述驱动1C芯片U3的第12管脚连接控制电路的 BHIN端，所述驱动1C芯片U3的第13管脚连接SHD端的一端，所述SHD端的另一端通过电 阻R24接地，所述驱动1C芯片IR2110的第14管脚连接控制电路的BLIN端，所述驱动1C 芯片IR2110的第15管脚接地，所述驱动1C芯片IR2110的第16管脚悬空； 二极管D9的正极的第二路连接电阻R25的一端，二极管D9的正极的第三路连接M0S 场效应管Q7的栅极，电阻R25的另一端的第一路连接M0S场效应管Q7的源极，电阻R25的 另一端的第二路连接I-SAMP端，电阻R25的另一端的第三路连接电阻R28的一端，二极管 D10的正极的第二路连接电阻R26的一端，二极管D10的正极的第三路连接M0S场效应管 Q8的栅极，电阻R26的另一端的第一路连接M0S场效应管Q8的源极，电阻R26的另一端的 第二路连接I-SAMP端，电阻R26的另一端的第三路连接电阻R28的一端，电阻R28的另一 端接地。
6.根据权利要求1所述的磁粉探伤仪电源处理电路，其特征在于，所述磁粉探伤仪电 源处理电路还包括过流保护电路，所述过流保护电路和控制电路连接，所述过流保护电路 包括LM2903M型的电压比较器芯片U4B和LM2903M型的电压比较器U4A ; 所述电压比较器芯片U4B的负输入端的第一路通过电容C24连接控制电路的Vref端， 所述电压比较器芯片U4B的负输入端的第二路通过电阻R32连接控制电路的Vref端，所述 电压比较器芯片U4B的负输入端的第三路通过电阻R33接地，所述电压比较器芯片U4B的 正输入端的第一路连接IN4148型的二极管D14的负极，所述电压比较器芯片U4B的正输入 端的第二路通过电阻R39接地，所述电压比较器芯片U4B的正输入端的第三路通过电容C26 接地，所述电压比较器芯片U4B的正输入端的第四路通过电阻R42连接I-SAMP端，所述电 压比较器芯片U4B的输出端的第一路通过电阻R34连接电源VCC-5V端，所述电压比较器芯 片U4B的输出端的第二路连接IN4148型的二极管D12的正极，所述电压比较器芯片U4B的 输出端的第三路连接二极管D14的正极； 所述电压比较器U4A的负输入端的第一路通过电阻R40接地，所述电压比较器U4A的 负输入端的第二路连接电阻R36的一端，所述电压比较器U4A的负输入端的第三路连接电 容C25的一端，所述电压比较器U4A的正输入端的第一路通过电阻R37连接控制电路的 Vref端，所述电压比较器U4A的正输入端的第二路通过电容C27接地，所述电压比较器U4A 的正输入端的第三路连接IN4148型的二极管D15的负极，所述电压比较器U4A的输出端的 第一路连接二极管D15的正极，所述电压比较器U4A的输出端的第二路连接IN4148型的二 极管D13的正极，所述电压比较器U4A的输出端的第三路通过电阻R35连接电源VCC-5V端， 所述电压比较器U4A的电源输入端连接电源VCC-5V端，所述电压比较器U4A的电源输出端 接地； 二极管D13的负极的第一路连接电阻R41的一端，二极管D13的负极的第二路连接SHD 端，二极管D13的负极的第三路连接1N4148型的二极管Dm的负极，二极管Dm的正极连接 控制电路的MCUShutDown端，二极管D13的负极的第四路通过电阻R31连接MMSZ5244-G型 的稳压二极管D11的正极，二极管D13的负极的第五路连接二极管D12的负极，稳压二极管 Dll的负极的第一路连接电源BAT+端，稳压二极管Dll的负极的第二路连接电阻R36的另 一端，稳压二极管D11的负极的第三路连接电容C25的另一端，电阻R41的另一端的第一路 通过电阻R43接地，电阻R41的另一端的第二路连接CS8050型的三极管Q9的基极，三极管 Q9的发射极接地，三极管Q9的集电极的第一路通过电阻R38连接电源VCC-5V端，三极管 Q9的集电极的第二路连接控制电路的ShutDown端。
7. 根据权利要求1所述的磁粉探伤仪电源处理电路，其特征在于，所述磁粉探伤仪电 源处理电路还包括充电电路，所述充电电路和控制电路连接，所述充电电路包括MAX745EAP 芯片U7,所述MAX745EAP芯片U7设置有第1管脚、第2管脚、第3管脚、第4管脚、第5管 脚、第6管脚、第7管脚、第8管脚、第9管脚、第10管脚、第11管脚、第12管脚、第13管脚、 第14管脚、第15管脚、第16管脚、第17管脚、第18管脚、第19管脚和第20管脚； 所述第1管脚接地，所述第2管脚的第一路通过电容C37接地，所述第2管脚的第二路 连接充电输入Charge端，所述第2管脚的第三路通过电容C35接地，所述第2管脚的第四路 通过电容C36接地，所述第2管脚的第五路连接AUIRF7303Q型的M0S场效应管Q10A的漏 极，所述第3管脚通过电容C39接地，所述第4管脚依次通过电阻R50和电容C40接地，所 述第5管脚通过电容C45接地，所述第6管脚的第一路连接电阻R54的一端，所述第6管脚 的第二路通过电阻RT1接地，所述第7管脚的第一路通过电容C47接地，所述第7管脚的第 二路连接电阻R54的另一端，所述第7管脚的第三路连接电阻R55的一端，所述第7管脚的 第四路连接电阻R56的一端，所述第8管脚的第一路连接电阻R55的另一端，所述第8管脚 的第二路通过电阻R62接地，所述第9管脚的第一路连接电阻R56的另一端，所述第9管脚 的第二路通过电阻R59接地，所述第10管脚接地，所述第11管脚连接VL端，所述第12管 脚接地，所述第13管脚通过电阻R57连接VL端，所述第14管脚的第一路连接电阻R52的 一端，所述第14管脚的第二路通过电容C41接地，所述第14管脚的第三路通过电容C42接 地，所述第14管脚的第四路连接BIT-IN端，所述第14管脚的第五路通过CCFIN7型的保险 丝F1连接电源BAT+端，所述第15管脚的第一路连接电阻R52的另一端，所述第15管脚的 第二路连接MBRS340T3型的肖特基二极管D21的负极，所述第16管脚的第一路接地，所述 第16管脚的第二路连接AUIRF7303Q型场效应管Q10B的源极，所述第16管脚的第三路连 接MBRS340T3型的肖特基二极管D22的正极，所述第17管脚连接场效应管Q10B的栅极，所 述第18管脚连接AUIRF7303Q型的场效应管Q10A的栅极，所述第19管脚的第一路连接电 容C38的一端，所述第19管脚的第二路连接场效应管Q10A的源极，所述第19管脚的第三 路连接场效应管Q10B的漏极，所述第19管脚的第四路连接肖特基二极管D22的负极，所述 第19管脚的第五路通过22uH型的电感L1连接肖特基二极管D21的正极，所述第20管脚 的第一路连接电容C38的另一端，所述第20管脚的第二路连接IN4148型的二极管D20的 负极，二极管D20的正极连接VL端。
8. 根据权利要求1所述的磁粉探伤仪电源处理电路，其特征在于，所述磁粉探伤仪电 源处理电路还包括LED驱动电路，所述LED驱动电路和控制电路连接，所述LED驱动电路包 括LTC3621EMS8E#PBF芯片U10,所述LTC3621EMS8E#PBF芯片U10设置有第1管脚、第2管 脚、第3管脚、第4管脚、第5管脚、第6管脚、第7管脚和第8管脚； 所述第1管脚连接4. 7uH型电感L2的一端，所述第2管脚的第一路连接电源BAT+端， 所述第2管脚的第二路通过电容C49接地，所述第3管脚的第一路连接控制电路的LightON 端，所述第3管脚的第二路通过电阻R60接地，所述第4管脚悬空，所述第5管脚的第一路 通过电阻R61接地，所述第5管脚的第二路连接电阻R58的一端，所述第6管脚的第一路连 接所述第7管脚，所述第6管脚的第二路通过电容C51接地，所述第8管脚接地； 所述电感L2的另一端的第一路连接电阻R58的另一端，所述电感L2的另一端的第二 路通过电容C48接地，所述电感L2的另一端的第三路通过电容C50接地，所述电感L2的另 一端的第四路连接VLight端。
9. 一种磁粉探伤仪，其特征在于，包括如权利要求1?8任意一项所述的磁粉探伤仪电 源处理电路。
10. 根据权利要求9所述的磁粉探伤仪，其特征在于，包括壳体和电源接入座，所述电 源接入座和壳体上表面成30?60°角。
【文档编号】H02M7/5387GK203851032SQ201420214669
【公开日】2014年9月24日 申请日期:2014年4月28日 优先权日:2014年4月28日
【发明者】汪月银 申请人:深圳市神视检验有限公司