带有温度检测电路的电源系统的制作方法
【专利摘要】一种带有温度检测电路的电源系统包括整流电路、开关型电源变换器电路、输出电路和温度检测电路，温度检测电路包括第一电流源I1、第二电流源I2、第三电流源I3、第四电流源I4、第一PNP管、第一电阻、第二电阻、第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第三PMOS管和第一反相器。利用本实用新型提供温度检测电路及其电源系统能够防止芯片温度过热而烧坏。
【专利说明】带有温度检测电路的电源系统
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及温度检测电路，尤其涉及到用于电源系统的温度检测电路。
【背景技术】
[0002]电源系统工作时，为了防止驱动芯片温度过热而烧坏，设置了温度检测电路。
【发明内容】
[0003]本实用新型旨在解决现有技术的不足，提供一种能够防止芯片温度过热而烧坏的温度检测电路。
[0004]带有温度检测电路的电源系统，包括整流电路、开关型电源变换器电路、输出电路和温度检测电路:
[0005]所述整流电路是连接到电源电路的输入端用于接收AC输入电压；
[0006]所述开关型电源变换器电路是连接到所述整流电路用于变换整流后的输入电压，以响应整流后的输入电压生成调节的输出电压；
[0007]所述输出电路是把所述开关型电源变换器电路输出的电压输出滤波得到直流电压；
[0008]所述温度检测电路是检测芯片温度并输出控制所述开关型电源变换器电路的输出。
[0009]所述温度检测电路包括第一电流源I1、第二电流源12、第三电流源13、第四电流源14、第一 PNP管、第一电阻、第二电阻、第一 PMOS管、第二 PMOS管、第一 NMOS管、第二 NMOS管、第三NMOS管、第三PMOS管和第一反相器:
[0010]所述第一电流源I1、所述第二电流源12、所述第三电流源13和所述第四电流源14提供给各个支路的电流，使得相应的元件建立工作点；
[0011]所述第一 PNP管的基极和集电极都接地，发射极接所述第二电流源12和所述第一PMOS管的栅极；
[0012]所述第一电阻的一端接所述第一电流源12和所述第二电阻的一端，另一端接所述第一 PMOS管的源极；
[0013]所述第二电阻的一端接所述第一电流源12和所述第一电阻的一端，另一端接所述第二 PMOS管的源极；
[0014]所述第一 PMOS管的栅极接所述第二电流源12和所述第一 PNP管的发射极，源极接所述第一电阻的一端，漏极接所述第一 NMOS管的漏极和所述第三NMOS管的栅极；
[0015]所述第二 PMOS管的栅极接基准电压VREF，源极接所述第二电阻的一端和所述第三PMOS管的源极，漏极接所述第一 NMOS管的栅极和所述第二 NMOS管的栅极和漏极；
[0016]所述第一 NMOS管的栅极接所述第二 NMOS管的栅极和漏极和所述第二 PMOS管的漏极，源极接地，漏极接所述第一 PMOS管的漏极和所述第三NMOS管的栅极；
[0017]所述第二 NMOS管的栅极接漏极和所述第一 NMOS管的栅极和所述第二 PMOS管的漏极，源极接地；
[0018]所述第三NMOS管的栅极接所述第一 PMOS管的漏极和所述第一 NMOS管的漏极，源极接地，漏极接所述第三电流源13和所述第一反相器的输入端和所述第三PMOS管的栅极；
[0019]所述第三PMOS管的栅极接所述第三电流源13和所述第三NMOS管的漏极和所述第一反相器的输入端，源极接所述第二电阻的一端和所述第二 PMOS管的源极，漏极接所述第四电流源14;
[0020]所述第一反相器的输入端接所述第三电流源13和所述第三PMOS管的栅极和所述第三NMOS管的漏极，输出端控制PWM产生电路输出；当所述第一反相器的输出为低电平时，当所述第一反相器的输出为高电平时PWM产生电路的输出端为低电平使得功率管NMOS管不导通。
[0021]所述第一电流源I1、所述第一电阻、所述第二电阻、所述第一 PMOS管、所述第二PMOS管、所述第一 NMOS管、所述第二 NMOS管、所述第三NMOS管和所述第三电流源13构成两级差分比较器。
[0022]所述第三PMOS管和所述第四电流源14构成正反馈回路，加快翻转速度，并产生迟滞。
[0023]在电路正常工作时，所述第一 PNP管的BE结电压大于参考电压VREF，此时所述第一反相器输出为低电平，PWM产生电路的输出端正常输出为PWM信号，此时正反馈回路断开；当温度升高时，由于PNP管的BE结电压具有负温度系数特性，所述第一 PNP管的BE结电压降低，当BE结电压降至低于基准电压VREF时，差分比较器翻转，所述第一反相器输出高电平，表示温度超出正常工作范围，此时控制PWM产生电路的输出端为低电平使得功率管NMOS管不导通；此时所述第三PMOS管导通，这会使所述第二 PMOS管的源级电压下降，使差分对所述第一 PMOS管和所述第二 PMOS管的平衡点偏移，此时的偏移量就是迟滞电压。如果芯片温度回落，则所述第一 PNP管的BE结电压上升，当高过基准电压VREF加上偏移量后，所述第一反相器变为低电平，电路恢复正常。
【专利附图】
【附图说明】
[0024]图1为本实用新型的温度检测电路及其电源系统的电路图。
【具体实施方式】
[0025]以下结合附图对本实用新型内容进一步说明。
[0026]带有温度检测电路的电源系统，如图1所示，包括整流电路100、开关型电源变换器电路200、输出电路300和温度检测电路400:
[0027]所述整流电路100是连接到电源电路的输入端用于接收AC输入电压；
[0028]所述开关型电源变换器电路200是连接到所述整流电路100用于变换整流后的输入电压，以响应整流后的输入电压生成调节的输出电压；
[0029]所述输出电路300是把所述开关型电源变换器电路200输出的电压输出滤波得到直流电压；
[0030]所述温度检测电路400是检测芯片温度并输出控制所述开关型电源变换器电路200的输出。
[0031 ] 所述温度检测电路400包括第一电流源11、第二电流源12、第三电流源13、第四电流源14、第一 PNP管401、第一电阻402、第二电阻407、第一 PMOS管403、第二 PMOS管406、第一 NMOS管404、第二 NMOS管405、第三NMOS管409、第三PMOS管410和第一反相器408:
[0032]所述第一电流源I1、所述第二电流源12、所述第三电流源13和所述第四电流源14提供给各个支路的电流，使得相应的元件建立工作点；
[0033]所述第一 PNP管401的基极和集电极都接地，发射极接所述第二电流源12和所述第一 PMOS管403的栅极；
[0034]所述第一电阻402的一端接所述第一电流源12和所述第二电阻407的一端，另一端接所述第一 PMOS管403的源极；
[0035]所述第二电阻407的一端接所述第一电流源12和所述第一电阻402的一端，另一端接所述第二 PMOS管406的源极；
[0036]所述第一 PMOS管403的栅极接所述第二电流源12和所述第一 PNP管401的发射极，源极接所述第一电阻402的一端，漏极接所述第一 NMOS管404的漏极和所述第三NMOS管409的栅极；
[0037]所述第二 PMOS管406的栅极接基准电压VREF，源极接所述第二电阻407的一端和所述第三PMOS管410的源极，漏极接所述第一 NMOS管404的栅极和所述第二 NMOS管405的栅极和漏极；
[0038]所述第一 NMOS管404的栅极接所述第二 NMOS管405的栅极和漏极和所述第二PMOS管406的漏极，源极接地，漏极接所述第一 PMOS管403的漏极和所述第三NMOS管409的栅极；
[0039]所述第二 NMOS管405的栅极接漏极和所述第一 NMOS管404的栅极和所述第二PMOS管407的漏极，源极接地；
[0040]所述第三NMOS管409的栅极接所述第一 PMOS管403的漏极和所述第一 NMOS管404的漏极，源极接地，漏极接所述第三电流源13和所述第一反相器408的输入端和所述第三PMOS管410的栅极；
[0041]所述第三PMOS管410的栅极接所述第三电流源13和所述第三NMOS管409的漏极和所述第一反相器408的输入端，源极接所述第二电阻407的一端和所述第二 PMOS管406的源极，漏极接所述第四电流源14 ;
[0042]所述第一反相器408的输入端接所述第三电流源13和所述第三PMOS管410的栅极和所述第三NMOS管409的漏极，输出端控制PWM产生电路204输出；当所述第一反相器408的输出为低电平时，当所述第一反相器408的输出为高电平时PWM产生电路204的输出端为低电平使得功率管NMOS管205不导通。
[0043]所述第一电流源I1、所述第一电阻402、所述第二电阻407、所述第一 PMOS管403、所述第二 PMOS管406、所述第一 NMOS管404、所述第二 NMOS管405、所述第三NMOS管409和所述第三电流源13构成两级差分比较器。
[0044]所述第三PMOS管410和所述第四电流源14构成正反馈回路，加快翻转速度，并产生迟滞。
[0045]在电路正常工作时，所述第一 PNP管401的BE结电压大于参考电压VREF，此时所述第一反相器408输出为低电平，PWM产生电路204的输出端正常输出为PWM信号，此时正反馈回路断开；当温度升高时，由于PNP管的BE结电压具有负温度系数特性，所述第一 PNP管401的BE结电压降低，当BE结电压降至低于基准电压VREF时，差分比较器翻转，所述第一反相器408输出高电平，表示温度超出正常工作范围，此时控制PWM产生电路204的输出端为低电平使得功率管NMOS管205不导通；此时所述第三PMOS管410导通，这会使所述第二PMOS管406的源级电压下降，使差分对所述第一 PMOS管402和所述第二 PMOS管406的平衡点偏移，此时的偏移量就是迟滞电压。如果芯片温度回落，则所述第一 PNP管401的BE结电压上升，当高过基准电压VREF加上偏移量后，所述第一反相器408变为低电平，电路恢复正常。
【权利要求】
1.带有温度检测电路的电源系统，包括整流电路、开关型电源变换器电路、输出电路和温度检测电路，其特征在于所述温度检测电路包括第一电流源I1、第二电流源12、第三电流源13、第四电流源14、第一 PNP管、第一电阻、第二电阻、第一 PMOS管、第二 PMOS管、第一NMOS管、第二 NMOS管、第三NMOS管、第三PMOS管和第一反相器: 所述第一电流源I1、所述第二电流源12、所述第三电流源13和所述第四电流源14提供给各个支路的电流，使得相应的元件建立工作点； 所述第一 PNP管的基极和集电极都接地，发射极接所述第二电流源12和所述第一 PMOS管的栅极； 所述第一电阻的一端接所述第一电流源12和所述第二电阻的一端，另一端接所述第一PMOS管的源极； 所述第二电阻的一端接所述第一电流源12和所述第一电阻的一端，另一端接所述第二PMOS管的源极； 所述第一 PMOS管的栅极接所述第二电流源12和所述第一 PNP管的发射极，源极接所述第一电阻的一端，漏极接所述第一 NMOS管的漏极和所述第三NMOS管的栅极； 所述第二 PMOS管的栅极接基准电压VREF，源极接所述第二电阻的一端和所述第三PMOS管的源极，漏极接所述第一 NMOS管的栅极和所述第二 NMOS管的栅极和漏极； 所述第一 NMOS管的栅极接所述第二 NMOS管的栅极和漏极和所述第二 PMOS管的漏极，源极接地，漏极接所述第一 PMOS管的漏极和所述第三NMOS管的栅极； 所述第二 NMOS管的栅极接漏极和所述第一 NMOS管的栅极和所述第二 PMOS管的漏极，源极接地； 所述第三NMOS管的栅极接所述第一 PMOS管的漏极和所述第一 NMOS管的漏极，源极接地，漏极接所述第三电流源13和所述第一反相器的输入端和所述第三PMOS管的栅极； 所述第三PMOS管的栅极接所述第三电流源13和所述第三NMOS管的漏极和所述第一反相器的输入端，源极接所述第二电阻的一端和所述第二 PMOS管的源极，漏极接所述第四电流源14 ； 所述第一反相器的输入端接所述第三电流源13和所述第三PMOS管的栅极和所述第三NMOS管的漏极，输出端控制PWM产生电路输出；当所述第一反相器的输出为低电平时，当所述第一反相器的输出为高电平时PWM产生电路的输出端为低电平使得功率管NMOS管不导通。
【文档编号】H02M7/217GK204244103SQ201420724036
【公开日】2015年4月1日 申请日期:2014年11月27日 优先权日:2014年11月27日
【发明者】王文建 申请人:浙江商业职业技术学院