高升压比的二级升压电路的制作方法

本发明涉及医疗器械技术领域，特别是涉及到一种高升压比的二级升压电路。

背景技术：

高频设备由于供电电压不足难以启动，因此需要进行升压以满足工作电压，获取最后的高压信号。目前的升压方法采取的是由直流信号变换为交流信号，再由交流信号进行升压，这样的升压方式不仅仅存在着效率低的问题，还因元件使用过多，占用过多空间。为此我们发明了一种新的高升压比的二级升压电路，解决了以上技术问题。

技术实现要素：

本发明的目的是提供一种能够在输入端提供交流信号，以保证在输出端输出高压交流信号的高升压比的二级升压电路。

本发明的目的可通过如下技术措施来实现：高升压比的二级升压电路，该高升压比的二级升压电路包括MOS管驱动模块，第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第一变压器和第二变压器，该第一MOS管的漏极连接于直流高电压的正极，源极连接于该第二MOS管的漏极，栅极连接于该MOS管驱动模块，该第二MOS管的栅极连接于该MOS管驱动模块，源极连接于直流高电压的负极，该第三MOS管的漏极连接于直流高电压的正极，源极连接于该第四MOS管的漏极，栅极连接于该MOS管驱动模块，该第四MOS管的栅极连接于该MOS管驱动模块，源极连接于直流高电压的负极，该第一变压器的初级线圈的一端连接在该第三MOS管和该第四MOS管之间，另一端连接于该MOS管驱动模块，该第二变压器的初级线圈耦接于该第一变压器的次级线圈，该第二变压器的次级线圈为输出端，该MOS管驱动模块控制该第一MOS管、该第二MOS管、该第三MOS管和该第四MOS管的开启，该第一MOS管、该第二MOS管、该第三MOS管和该第四MOS管输出交流电给该第一变压器，通过该第一变压器和该第二变压器的升压，在输出端输出高压交流电压。

本发明的目的还可通过如下技术措施来实现：

该MOS管驱动模块包括移相控制芯片、MOS管驱动器、第三变压器和第四变压器，该移相控制芯片的四个输出端分别连接于该MOS管驱动器的四个输入端，该MOS管驱动器的第一输出端耦接于该第三变压器的初级线圈的一端，该第三变压器的初级线圈的另一端接地，该MOS管驱动器的第二输出端耦接于该第二MOS管的栅极，该MOS管驱动器的第三输出端耦接于该第四变压器的初级线圈的一端，该第四变压器的初级线圈的另一端接地，该MOS管驱动器的第四输出端耦接于该第四MOS管的栅极，该第三变压器的次级线圈的一端耦接于该第一MOS管的栅极，另一端连接于该第一变压器的初级线圈的另一端，该第四变压器的次级线圈的一端耦接于该第三MOS管的栅极，另一端连接在该第三MOS管和该第四MOS管之间。

该MOS管驱动模块还包括第一电容和第二电容，该第一电容的一端连接于该MOS管驱动器的第一输出端，另一端连接于该第三变压器的初级线圈的一端，该第二电容的一端连接于该MOS管驱动器的第三输出端，另一端连接于该第四变压器的初级线圈的一端，该移相控制芯片通过该MOS管驱动器将输出的驱动信号进行缓冲，通过该第一电容和该第二电容将输出的驱动信号进行过滤，以控制该第一MOS管、该第二MOS管、该第三MOS管和该第四MOS管的开启。

该高升压比的二级升压电路还包括第三电容，该第三电容的一端连接于该第一变压器的次级线圈的一端，另一端连接于该第二变压器的初级线圈的一端，以过滤杂乱信号，并使该第一变压器的输出信号保持最大。

该高升压比的二级升压电路还包括第四电容和第一电感，该第四电容和该第一电感并联后，连接在该第二变压器的初级线圈两端之间，以使该第一变压器的输出信号保持最大。

该高升压比的二级升压电路还包括第一电阻，该第一电阻连接在该第二变压器的次级线圈两端之间，与该第二变压器的次级线圈构成输出端。

本发明中的高升压比的二级升压电路，简单，高效，安全性高，并且能够控制生产成本。本发明电路简单,较之已使用电路,安全高效,可实现性较强,控制性强,节约医疗器械设备空间。本发明能够应用到便携式医疗器械设备的控制电路中,可以方便医护人员随时就医,较之人性化。本发明能够节约较多的元器件,不仅仅能够节约制造成本,在医疗废料方面也起到了一定的积极作用。

附图说明

图1为本发明的高升压比的二级升压电路的一具体实施例的结构图；

图2是本发明的一具体实施例的升压输出波形图。

具体实施方式

为使本发明的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举出较佳实施例，并配合附图所示，作详细说明如下。

如图1所示，图1为本发明的高升压比的二级升压电路的结构图。该高升压比的二级升压电路由第一MOS管D1、第二MOS管D2、第三MOS管D3、第四MOS管D4、T1变压器、T2变压器、T3变压器、T4变压器、电感、电容、移相控制芯片、MOS管驱动器组成。

第一MOS管D1与第三MOS管D3的漏极连接高电压，第一MOS管D1的源极与第二MOS管D2的漏极连接，第三MOS管D3的源极与第四MOS管D4的漏极连接，第一MOS管D1的栅极与第三MOS管D3的栅极分别与T1变压器的次级线圈一端和T4的次级线圈端连接。第二MOS管D2的源极与第四MOS管D4的源极与高电压负极连接，第二MOS管D2的栅极与第四MOS管D4的栅极分别与移相控制芯片的B输出端和D输出端连接。

T1变压器的初级线圈的一端连接于第三MOS管D3和第四MOS管D4之间，另一端与T3变压器的次级线圈的另一端连接。T1变压器的次级线圈通过Cs电感与T2变压器的初级线圈连接，T2变压器的次级线圈与电阻Rc构成输出端。T3变压器的初级线圈一端与移相控制芯片的A输出连接，另一端接地。T4变压器的初级线圈的一段与移相控制芯片的C输出端连接，另一端接地。

当开启电源时，移相控制芯片通过MOS管驱动器将输出信号进行缓冲，通过电容C1、C2将杂乱信号进行过滤，过滤后的信号会控制第一MOS管D1、第二MOS管D2、第三MOS管D3、第四MOS管D4的开启，输入端变为交流电，通过T1变压器和T2变压器的升压，在输出端可得到需要的高压交流电压。

t1开始，第一MOS管D1与第四MOS管D4导通，第三MOS管D3与第二MOS管D2关闭，直流电源输出恒定电压，输出波形入图2中的(1)。

t1-t2时段开始，第一MOS管D1与第四MOS管D4关闭，第三MOS管D3与第二MOS管D2开启，此时电压输出波形如图2的(2)。按照这种方式改变电压输出方式。

当不同时段的电压输入到T1变压器的初级线圈时，移相变压器会将控制电压信号通过B、C输出端传输到此，是输入电压信号的方向如图2(3)。通过T1的初级变压会产生带有杂波信号的交流高压，由于T1会产生漏感，因此T1的漏感可以作为谐振电感与Cs串联结合，可以过滤杂乱信号，使产生整齐的交流信号，并且可以保持最大信号。此时输出波形如图2(4)。CpLp并联，可以将T1的输出信号保持最大，并通过T2变压器实现二次升压，获取最终的高压交流电压，如图2(5)，此时在输出端可以获取理想的高压信号。