1.高升压比的二级升压电路，其特征在于，该高升压比的二级升压电路包括MOS管驱动模块，第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第一变压器和第二变压器，该第一MOS管的漏极连接于直流高电压的正极，源极连接于该第二MOS管的漏极，栅极连接于该MOS管驱动模块，该第二MOS管的栅极连接于该MOS管驱动模块，源极连接于直流高电压的负极，该第三MOS管的漏极连接于直流高电压的正极，源极连接于该第四MOS管的漏极，栅极连接于该MOS管驱动模块，该第四MOS管的栅极连接于该MOS管驱动模块，源极连接于直流高电压的负极，该第一变压器的初级线圈的一端连接在该第三MOS管和该第四MOS管之间，另一端连接于该MOS管驱动模块，该第二变压器的初级线圈耦接于该第一变压器的次级线圈，该第二变压器的次级线圈为输出端，该MOS管驱动模块控制该第一MOS管、该第二MOS管、该第三MOS管和该第四MOS管的开启，该第一MOS管、该第二MOS管、该第三MOS管和该第四MOS管输出交流电给该第一变压器，通过该第一变压器和该第二变压器的升压，在输出端输出高压交流电压。
2.根据权利要求1所述的高升压比的二级升压电路，其特征在于，该MOS管驱动模块包括移相控制芯片、MOS管驱动器、第三变压器和第四变压器，该移相控制芯片的四个输出端分别连接于该MOS管驱动器的四个输入端，该MOS管驱动器的第一输出端耦接于该第三变压器的初级线圈的一端，该第三变压器的初级线圈的另一端接地，该MOS管驱动器的第二输出端耦接于该第二MOS管的栅极，该MOS管驱动器的第三输出端耦接于该第四变压器的初级线圈的一端，该第四变压器的初级线圈的另一端接地，该MOS管驱动器的第四输出端耦接于该第四MOS管的栅极，该第三变压器的次级线圈的一端耦接于该第一MOS管的栅极，另一端连接于该第一变压器的初级线圈的另一端，该第四变压器的次级线圈的一端耦接于该第三MOS管的栅极，另一端连接在该第三MOS管和该第四MOS管之间。
3.根据权利要求2所述的高升压比的二级升压电路，其特征在于，该MOS管驱动模块还包括第一电容和第二电容，该第一电容的一端连接于该MOS管驱动器的第一输出端，另一端连接于该第三变压器的初级线圈的一端，该第二电容的一端连接于该MOS管驱动器的第三输出端，另一端连接于该第四变压器的初级线圈的一端，该移相控制芯片通过该MOS管驱动器将输出的驱动信号进行缓冲，通过该第一电容和该第二电容将输出的驱动信号进行过滤，以控制该第一MOS管、该第二MOS管、该第三MOS管和该第四MOS管的开启。
4.根据权利要求1所述的高升压比的二级升压电路，其特征在于，该高升压比的二级升压电路还包括第三电容，该第三电容的一端连接于该第一变压器的次级线圈的一端，另一端连接于该第二变压器的初级线圈的一端，以过滤杂乱信号，并使该第一变压器的输出信号保持最大。
5.根据权利要求1所述的高升压比的二级升压电路，其特征在于，该高升压比的二级升压电路还包括第四电容和第一电感，该第四电容和该第一电感并联后，连接在该第二变压器的初级线圈两端之间，以使该第一变压器的输出信号保持最大。
6.根据权利要求1所述的高升压比的二级升压电路，其特征在于，该高升压比的二级升压电路还包括第一电阻，该第一电阻连接在该第二变压器的次级线圈两端之间，与该第二变压器的次级线圈构成输出端。