1.一种励磁式自动转换开关电器控制器，包括与第一电源连接的第一采样模块(1)、与第二电源连接的第二采样模块(2)、处理模块(3)、第一励磁机构驱动装置(5)和第二励磁机构驱动装置(6)；其特征在于：
所述第一(1)、二采样模块(2)分别与处理模块(3)连接，用于将与其连接的电源的高压强电信息转化为低电压等级集成电路系统能够接受的信号，并在接收到处理模块(3)的调用指令后，将该信号传输至处理模块(3)；
所述处理模块(3)将接收到的信号进行分析，判断需要转换电源时向所述第一励磁机构驱动装置(5)和第二励磁机构驱动装置发送信号(6)；
所述第一(5)、第二励磁机构驱动装置(6)结构相同，分别用于控制第一、第二电源在执行开关上的接通或断开；
所述第一励磁机构驱动装置5包括整流桥D4、N型MOSFET Q1、N型MOSFET Q2、电磁铁L1、TVS管D1、TVS管D2、TVS管D3、TVS管D5、电阻器R1～R8和继电器REA1；所述继电器REA1连接在所述处理模块(3)上，由其控制；所述继电器REA1的第一常开触点连接在电阻器R1的第一端；电阻器R1的第二端连接在整流桥D4直流侧高电平管脚上；整流桥D4直流侧低电平管脚接参考点；整流桥D4的交流侧直接接交流660V电源；电阻R5与电阻器R1的第二端和电阻器R6的第一端相连，电阻器R6的第二端连接N型MOSFET Q1的栅极；电阻器R7与电阻器R6的第二端和TVS管D1的阴极相连；TVS管D1的阳极接TVS管D2的阴极，TVS管D2的阳极接参考点；
电磁铁L1的一端连接在整流桥D4直流侧高电平管脚上，另一端连接在N型MOSFET Q1的漏极；N型MOSFET Q1的栅极与TVS管D5阴极相连，N型MOSFET Q1的源极与TVS管D5阳极相连；N型MOSFET Q1的源极与N型MOSFET Q2的漏极相连，N型MOSFET Q2的源极接参考点；
继电器REA1的第二常开触点串联有电阻器R2、电阻器R3、电阻器R4和电阻器R8，电阻器R8连接TVS管D3的阴极，TVS管D3的阳极接参考点；
所述电磁铁L1为执行开关内的电磁铁，其导通时产生磁力吸附合闸。
2.如权利要求1所述励磁式自动转换开关电器控制器，其特征在于：所述励磁式自动转换开关电器控制器还包括HMI模块(4)，其与处理模块(3)连接，用于显示所述处理模块(3)中的数据及人工向所述处理模块(3)中输入相关数据。
3.如权利要求1所述励磁式自动转换开关电器控制器，其特征在于：还包括位置反馈模块(7)，与处理模块(3)相连，用于向所述处理模块(3)反馈执行开关的状态；所述处理模块(3)接收到所述位置反馈模块(7)的信息后，判断执行开关的状态是否与其上次发出指令的状态一致。
4.如权利要求1或2所述励磁式自动转换开关电器控制器，其特征在于：所述处理模块的工作步骤如下：
步骤S01：初始化；
步骤S02：处理模块向第一采样模块(1)、第二采样模块(2)分别发送指令，调取数据，所述第一(1)、二采样模块(2)分别将采集到的第一、二电源的相关数据传送至所述处理模块(3)；
步骤S03：所述处理模块(3)对接收到的数据进行计算；
步骤S04：依据计算结果判断数据是否正常，正常则代表电源符合使用要求，返回步骤S02；不正常，则需对数据出现不正常的次数进行累加；
步骤S05：判断累加后次数是否超出预设值，没有超过则返回步骤S02；超过则进入下一步逻辑判断S06；
步骤S06：依据接收到的数据和预设条件进行逻辑判断，确定是否需要启动相应励磁机构驱动装置，控制执行开关的开合；
步骤S07：若步骤S06判断的结果是需要启动相应励磁机构驱动装置，则在相应励磁机构驱动装置的光电耦合器U1的输入端加电信号。
5.如权利要求3所述励磁式自动转换开关电器控制器，其特征在于：所述处理模块的工作步骤如下：
步骤S01：初始化；
步骤S02：处理模块向第一采样模块(1)、第二采样模块(2)分别发送指令，调取数据，所述第一(1)、二采样模块(2)分别将采集到的第一、二电源的相关数据传送至所述处理模块(3)；
步骤S03：所述处理模块(3)对接收到的数据进行计算；
步骤S04：依据计算结果判断数据是否正常，正常则代表电源符合使用要求，返回步骤S02；不正常，则需对数据出现不正常的次数进行累加；
步骤S05：判断累加后次数是否超出预设值，没有超过则返回步骤S02；超过则进入下一步逻辑判断S06；
步骤S06：依据接收到的数据和预设条件进行逻辑判断，确定是否需要启动相应励磁机构驱动装置，控制执行开关的开合；
步骤S07：若步骤S06判断的结果是需要启动相应励磁机构驱动装置，则在相应励磁机构驱动装置的光电耦合器U1的输入端加电信号；
步骤S08：依据位置反馈模块(7)反馈的执行开关的状态，判断执行开关的状态是否与其上次发出指令的状态一致，若一致，则结束程序，反之报警。