1.一种新型H桥高压变频器功率单元，包括基体(1)、上盖(2)和前面板(3)、检测控制系统(11)、进线端子(12)、出线端子(13)、散热器(14)、快熔(21)、整流二极管(22)、IGBT功率模块(23)、均压电阻(24)、电容组(25)、旁路可控硅(26)和吸收电容(28)；其特征在于：所述基体、上盖和前面板形成一密闭的壳体，所述检测控制系统、散热器(14)、快熔(21)、整流二极管(22)、IGBT功率模块(23)、均压电阻(24)、电容组(25)、旁路可控硅(26)和吸收电容(28)均设置于壳体内。
2.根据权利要求1所述的新型H桥高压变频器功率单元，其特征在于：所述进线端子与出线端子分别设置于前面板上，进线端子通过快熔与整流二极管连接，出线端子与IGBT功率模块连接，旁路可控硅并联在两个出线端子上。
3.根据权利要求2所述的新型H桥高压变频器功率单元，其特征在于：所述散热器固定在基体的一侧，所述旁路可控硅、IGBT功率模块、整流二极管和均压电阻依次设置于散热器上，所述旁路可控硅靠近前面板设置。
4.根据权利要求3所述的新型H桥高压变频器功率单元，其特征在于：所述电容组由9个电解电容串、并联构成，电容组设置于基体的另一侧，电容组通过母线(27)与整流二极管的直流出线连接。
5.根据权利要求4所述的新型H桥高压变频器功率单元，其特征在于：所述检测控制系统通过绝缘安装板固定在电容组的上部。