一种基于单向可控硅的过压保护电路的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种基于单向可控硅的过压保护电路，包括电阻R1、二极管D1、电容C1、单向可控硅VS1、三极管VT1和继电器J1，所述二极管D1负极分别连接电压采样端、开关S和电阻R3，开关S另一端连接三极管VT1发射极，二极管D1正极分别连接电阻R1和电阻R2，电阻R2另一端分别连接三极管VT1基极和三极管VT2基极，三极管VT2集电极连接电阻R3另一端，三极管VT2发射极通过电容C1连接单向可控硅VS1的G极。本实用新型基于单向可控硅的过压保护电路，采用单向可控硅VS1配合三极管以及继电器进行控制，有效对采样端负载进行过压保护，而且在故障解除后，能一键恢复到保护前的状态，安全便捷，电路结构简单，成本低，体积小。
【专利说明】
一种基于单向可控硅的过压保护电路
技术领域
[0001]本实用新型涉及一种保护电路，具体是一种基于单向可控硅的过压保护电路。
【背景技术】
[0002]随着现在电气设备的普及，给工农业生产、国防事业、科技带来了革命性的变化，加快了社会的发展，人们步入了电气化时代，也使人们的生活质量得到了大幅度的提高，也越来越离不开这些电器设备。随着科技的发展，电器设备的精度也逐渐提高，发生了翻天覆地的变化，但是如何保护好这些电器设备的不受外界的干扰，成了当今科技发展关注的主要问题。目前我国的电网正在普及，庞大的电网系统给了我们许多方便。但是随着接入电网的用户增多，和用户电器的多样化，也造成了电网电压的不稳定，忽高忽低的电压，也成了损坏电器设备的主要因素。如何在对用电负载进行过压保护，是人们一直在研究的一个课题，现有的过压保护电路多用运放采样然后配合单片机控制，不仅控制算法复杂，而且价格局昂。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型的目的在于提供一种基于单向可控硅的过压保护电路，以解决上述【背景技术】中提出的问题。
[0004]为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案:
[0005]—种基于单向可控硅的过压保护电路，包括电阻Rl、二极管Dl、电容Cl、单向可控硅VS1、三极管VTl和继电器J1，所述二极管Dl负极分别连接电压采样端、开关S和电阻R3，开关S另一端连接三极管VTl发射极，二极管Dl正极分别连接电阻Rl和电阻R2，电阻R2另一端分别连接三极管VTl基极和三极管VT2基极，三极管VT2集电极连接电阻R3另一端，三极管VT2发射极通过电容Cl连接单向可控硅VSI的G极，单向可控硅VS的A极连接继电器J2触点J2-1，继电器J2触点J2-1另一端连接继电器Jl线圈，继电器Jl线圈另一端连接电阻Rl另一端，所述单向可控硅VSl的K极连接继电器J2线圈并接地，继电器J2线圈另一端连接三极管VTl集电极。
[0006]作为本实用新型进一步的方案:所述单向可控硅VSl采用TL431。
[0007]作为本实用新型进一步的方案:所述二极管Dl为稳压二极管。
[0008]作为本实用新型再进一步的方案:所述继电器J2触点J2-1为常闭触点。
[0009]与现有技术相比，本实用新型的有益效果是:本实用新型基于单向可控硅的过压保护电路，采用单向可控硅VSl配合三极管以及继电器进行控制，有效对采样端负载进行过压保护，而且在故障解除后，能一键恢复到保护前的状态，安全便捷，电路结构简单，成本低，体积小。
【附图说明】
[0010]图1为基于单向可控硅的过压保护电路的电路图。
【具体实施方式】
[0011]下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0012]请参阅图1，本实用新型实施例中，一种基于单向可控硅的过压保护电路，包括电阻R1、二极管Dl、电容Cl、单向可控硅VSl、三极管VTl和继电器Jl，所述二极管Dl负极分别连接电压采样端、开关S和电阻R3，开关S另一端连接三极管VTl发射极，二极管Dl正极分别连接电阻Rl和电阻R2，电阻R2另一端分别连接三极管VTl基极和三极管VT2基极，三极管VT2集电极连接电阻R3另一端，三极管VT2发射极通过电容Cl连接单向可控硅VSl的G极，单向可控硅VS的A极连接继电器J2触点J2-1，继电器J2触点J2-1另一端连接继电器Jl线圈，继电器Jl线圈另一端连接电阻Rl另一端，所述单向可控硅VSl的K极连接继电器J2线圈并接地，继电器J2线圈另一端连接三极管VTl集电极;所述单向可控硅VSl采用TL431;所述二极管Dl为稳压二极管;所述继电器J2触点J2-1为常闭触点。
[0013]请参阅图1，首先保持开关S断开，当采样端Vi采样的电压信号超过稳压二极管Dl的稳压值时，二极管Dl导通，三极管VT2基极获得偏置，三极管VT2导通，通过电容Cl触发单向可控硅VSl导通，继电器Jl吸合，控制外部的分压回路(图1中未示出)进行分压，从而保护被采样端的负载(图1中未示出)；当负载电压恢复正常值时，只需要闭合开关S，稳压二极管Dl进入截止状态，三极管VT2截止，三极管VTl导通，继电器J2得电，触点J2-1断开，继电器Jl不再工作，切断分压回路，使负载进入正常工作状态。
[0014]对于本领域技术人员而言，显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
[0015]此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
【主权项】
1.一种基于单向可控硅的过压保护电路，包括电阻Rl、二极管Dl、电容Cl、单向可控硅VS1、三极管VTl和继电器Jl，其特征在于，所述二极管Dl负极分别连接电压采样端、开关S和电阻R3，开关S另一端连接三极管VTl发射极，二极管Dl正极分别连接电阻Rl和电阻R2，电阻R2另一端分别连接三极管VTl基极和三极管VT2基极，三极管VT2集电极连接电阻R3另一端，三极管VT2发射极通过电容Cl连接单向可控硅VSI的G极，单向可控硅VS的A极连接继电器J2触点J2-1，继电器J2触点J2-1另一端连接继电器Jl线圈，继电器Jl线圈另一端连接电阻Rl另一端，所述单向可控硅VSl的K极连接继电器J2线圈并接地，继电器J2线圈另一端连接三极管VTl集电极。2.根据权利要求1所述的基于单向可控硅的过压保护电路，其特征在于，所述单向可控硅乂31采用11431。3.根据权利要求1所述的基于单向可控硅的过压保护电路，其特征在于，所述二极管Dl为稳压二极管。4.根据权利要求1所述的基于单向可控硅的过压保护电路，其特征在于，所述继电器J2触点J2-1为常闭触点。
【文档编号】H02H9/04GK205693352SQ201620653742
【公开日】2016年11月16日
【申请日】2016年6月28日 公开号201620653742.9, CN 201620653742, CN 205693352 U, CN 205693352U, CN-U-205693352, CN201620653742, CN201620653742.9, CN205693352 U, CN205693352U
【发明人】侯飞燕
【申请人】南安泰达工业设计有限公司