专利名称：一种双向可控硅的保护电路的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种应用于交流电网中的双向可控硅的保护电路。
背景技术：
目前，在交流电网中，对感性负载的控制与开关切换是双向可控硅最常用的功能。 感性负载，如电动机、电磁铁、继电器、电磁线圈等在开关的瞬间会产生自感反向电动势与 输入电压串联叠加，形成约两倍左右的交流电网峰值电压，施加于可控硅的阳极上。如遇电 网电压波动、雷电、浪涌峰值时，会瞬时超过可控硅的极限安全值，而导致双向可控硅的击 穿损坏。所以双向可控硅在以上领域应用时，都必须在双阳极之间附加吸收保护电路。比 较常用的保护方案是采用阻容串联电路，但是，该方案的缺点是吸收能量小，瞬态响应速度 慢，匹配兼容性差，很难保证可控硅的绝对安全性。
发明内容针对上述现有技术中的缺陷，本实用新型的目的在于提供一种利用压敏电阻的双 向压敏特性实现的双向可控硅保护电路。 本实用新型所采用的技术方案一种双向可控硅的保护电路，其特征在于，包括双 向可控硅，以及与该双向可控硅的两个阳极端并联的压敏电阻，所述双向可控硅和压敏电 阻组成的并联电路接入交流电源的火线、零线两端。 上述压敏电阻为氧化锌压敏电阻。所述压敏电阻的嵌位电压为500V。 上述双向可控硅的两个阳极端还并联有电阻和电容组成的阻容串联电路。所述双
向可控硅的触发端通过光耦合器与控制电路连接。 本实用新型选用氧化锌压敏电阻作为双向可控硅的峰值吸收保护元件，将压敏电 阻并联于双向可控硅的双阳极之上，利用压敏电阻的双向压敏特性，对保护对象(双向可 控硅)进行峰值电压嵌位，吸收过电压能量，任何时候都能使可控硅上所施加的电压不超 过压敏电阻的标称电压值范围，从而达到有效、可靠地保护可控硅的目的。
图1是本实用新型的电路原理图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的具体结构作进一步的描述。 如图l所示，本实用新型所述双向可控硅的保护电路(如图中虚线框所示)，包括 双向可控硅U2，以及与该双向可控硅U2的两个阳极端并联的压敏电阻ZV2，所述双向可控 硅U2和压敏电阻ZV2组成的并联电路接入负载的交流电源的火线(AC-L)、零线(AC-N)两 端。所述双向可控硅U2的两端还并联有电阻R28和电容C12组成的阻容串联电路，双向可 控硅U2的触发端通过光耦合器IC5与控制电路连接，所述控制电路通过光耦合器IC5控制
3双向可控硅U2的通断，并进一步控制负载的交流电源导通或关断。 本实用新型利用氧化锌压敏电阻(5D471)的双向压敏特性，将双向可控硅U2双阳 极上的反向峰值电压嵌位在500V以内，从而可靠地防止器件过压击穿损坏。
权利要求一种双向可控硅的保护电路，其特征在于，包括双向可控硅，以及与该双向可控硅的两个阳极端并联的压敏电阻，所述双向可控硅和压敏电阻组成的并联电路接入交流电源的火线、零线两端。
2. 根据权利要求1所述双向可控硅的保护电路，其特征在于，所述压敏电阻为氧化锌 压敏电阻。
3. 根据权利要求1或2所述双向可控硅的保护电路，其特征在于，所述压敏电阻的嵌位 电压为500V。
4. 根据权利要求1所述双向可控硅的保护电路，其特征在于，所述双向可控硅的两个 阳极端还并联有电阻和电容组成的阻容串联电路。
5. 根据权利要求1所述双向可控硅的保护电路，其特征在于，所述双向可控硅的触发 端通过光耦合器与控制电路连接。
专利摘要本实用新型公开了一种双向可控硅的保护电路，其特征在于，包括双向可控硅，以及与该双向可控硅的两个阳极端并联的压敏电阻，所述双向可控硅和压敏电阻组成的并联电路接入交流电源的火线、零线两端。本实用新型选用氧化锌压敏电阻作为双向可控硅的峰值吸收保护元件，将压敏电阻并联于双向可控硅的双阳极之上，利用压敏电阻的双向压敏特性，对保护对象(双向可控硅)进行峰值电压嵌位，吸收过电压能量，任何时候都能使可控硅上所施加的电压不超过压敏电阻的标称电压值范围，从而达到有效、可靠地保护可控硅的目的。
文档编号H02H7/22GK201541121SQ20092023859
公开日2010年8月4日 申请日期2009年11月6日 优先权日2009年11月6日
发明者肖培荣 申请人:佛山市南庄广昌电器塑料有限公司