一种基于可控硅的放电电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型属于一种放电电路，具体涉及一种基于可控硅的放电电路。
【背景技术】
[0002]充磁电源是一种特殊的高压电气设备，在其工作过程中，直流端一直保持高达3000V的直流电压，高电压的存在对充磁电源内部器件及人身安全都有一定的危害。为了避免发生人身安全事故，使充磁电源安全、稳定的工作，在电源内部加入了放电电路，提高系统的安全性能。
【发明内容】
[0003]本实用新型为解决现有技术存在的问题而提出，其目的是提供一种基于可控硅的放电电路。
[0004]本实用新型的技术方案是:一种基于可控硅的放电电路，包括直流高压正极端依次串联的电阻R1~R6，电阻R6另一端与第一可控娃模块中的I号可控娃、II号可控娃，第二可控硅模块中的III号可控硅、IV号可控硅依次串联，所述的I号可控硅两端与电阻R7并联，II号可控硅与电阻R8并联，III号可控硅与电阻R9并联，IV号可控硅与电阻RlO并联，I号可控娃的K1、G1引脚，II号可控娃的K2、G2引脚、III号可控娃的K3、G3引脚、IV号可控娃的K4、G4引脚均由驱动电路的脉冲信号驱动。
[0005]本实用新型能够保证充磁电源安全性，充磁电源的封闭环境一旦遭到破坏，驱动电路发出脉冲驱动信号，驱动可控硅的导通，可控硅导通的同时充磁电源上的高压直流电通过放电电阻立即放电，使充磁电源内部各器件都处于安全范围，避免了人身伤害。
【附图说明】
[0006]图1是本实用新型的电原理图；
[0007]图2是图1中驱动电路的连接结构示意图。
[0008]其中:
[0009]I第一可控硅模块2第二可控硅模块
[0010]3 I号可控硅 4II号可控硅
[0011]5 III号可控硅 6IV号可控硅
[0012]7 驱动电路 82W10整流桥
[0013]9 RY继电器 10PTl脉冲变压器
[0014]11 PT2脉冲变压器 11PT3脉冲变压器。
【具体实施方式】
[0015]以下，参照附图和实施例对本实用新型进行详细说明:
[0016]如图1所示，一种基于可控硅的放电电路，包括直流高压正极端依次串联的电阻Rl~6，电阻R6另一端与第一可控娃模块I中的I号可控娃3、II号可控娃4，第二可控娃模块2中的III号可控硅5、IV号可控硅6依次串联，所述的I号可控硅3两端与电阻R7并联，II号可控硅4与电阻R8并联，III号可控硅5与电阻R9并联，IV号可控硅6与电阻RlO并联，I号可控硅3的K1、G1引脚，II号可控硅4的K2、G2引脚、III号可控硅5的K3、G3引脚、IV号可控娃6的K4、G4引脚均由驱动电路7的脉冲信号驱动。
[0017]所述的电阻R1~R6阻值为25 Ω、功率为500W，电阻R7~R10阻值为10k Ω，功率为
200ffo
[0018]如图2所示，接线端子CNl连接2W10整流桥8的交流端，2W10整流桥8的直流端连接RY继电器9的线圈，RY继电器9的线圈端并接二级管Dl和电解电容Cl，RY继电器9的线圈端负极与公共端之间连接电解电容C2，在RY继电器9的线圈端正极与继电器的常开触点之间连接二极管D2，在RY继电器9的线圈端负极与继电器的常闭触点之间连接电阻Rii与电容C3，将PTl脉冲变压器10的初级并接于电容C3上，将二极管D3并接于PTl脉冲变压器10的初级，PTl脉冲变压器10的两组次级分别连接PT2脉冲变压器11和PT3脉冲变压器12的初级，将二级管D4和D5分别并接于PT2脉冲变压器11和PT3脉冲变压器12的初级，PT2脉冲变压器11的两组次级分别连接于接线端子CN2和CN3，PT3脉冲变压器12的两组次级分别连接于接线端子CM和CN5，接线端子CN2两端并接电阻R21和电容C4，接线端子CN3两端并接电阻R31和电容C5，接线端子CM两端并接电阻R41和电容C6，接线端子CN5两端并接电阻R51和电容C7。
[0019]本实用新型的工作过程:当充磁电源正常工作时，接线端子CNl有15V交流电压，通过2W10整流桥8将15V交流电压转换成1V直流电压，RY继电器9线圈有电，继电器常开触点闭合，通过RY继电器9给电解电容C2充电。当充磁电源发生异常情况时，接线端子CNl上交流电压消失，导致RY继电器9线圈失电，继电器常开触点断开，常闭触点闭合，电解电容C2上存储的电能通继电器常闭触点释放，通过PTl脉冲变压器10、PT2脉冲变压器11、PT3脉冲变压器12隔离后在接线端子CN2、CN3、CM、CN5产生脉冲信号，该信号可驱动4组可控硅的导通。其中I号可控硅3的K1、Gl引脚接收接线端子CN2产生脉冲信号，II号可控硅4的K2、G2引脚接收接线端子CN3产生脉冲信号，III号可控硅5的K3、G3引脚接收接线端子CM产生脉冲信号，IV号可控硅6的K4、G4引脚接收接线端子CN5产生脉冲信号。
[0020]本实用新型能够保证充磁电源安全性，充磁电源的封闭环境一旦遭到破坏，驱动电路发出脉冲驱动信号，驱动可控硅的导通，可控硅导通的同时充磁电源上的高压直流电通过放电电阻立即放电，使充磁电源内部各器件都处于安全范围，避免了人身伤害。
【主权项】
1.一种基于可控硅的放电电路，包括直流高压正极端依次串联的电阻R1~R6，其特征在于:电阻R6另一端与第一可控硅模块(I)中的I号可控硅(3)、II号可控硅(4)，第二可控硅模块(2)中的III号可控硅(5)、IV号可控硅(6)依次串联，所述的I号可控硅(3)两端与电阻R7并联，II号可控硅(4)与电阻R8并联，III号可控硅(5)与电阻R9并联，IV号可控硅(6)与电阻RlO并联，I号可控硅(3)的K1、G1引脚，II号可控硅(4)的K2、G2引脚、III号可控硅(5)的K3、G3引脚、IV号可控硅(6)的K4、G4引脚均由驱动电路(7)的脉冲信号驱动。
2.根据权利要求1所述的一种基于可控硅的放电电路，其特征在于:所述的电阻R1~R6阻值为25 Ω、功率为500W，电阻R7~R10阻值为10k Ω，功率为200W。
【专利摘要】本实用新型公开了一种基于可控硅的放电电路，包括直流高压正极端依次串联的电阻R1~R6，电阻R6另一端与第一可控硅模块中的Ⅰ号可控硅、Ⅱ号可控硅，第二可控硅模块中的Ⅲ号可控硅、Ⅳ号可控硅依次串联，所述的Ⅰ号可控硅两端与电阻R7并联，Ⅱ号可控硅与电阻R8并联，Ⅲ号可控硅与电阻R9并联，Ⅳ号可控硅与电阻R10并联，Ⅰ号可控硅的K1、G1引脚，Ⅱ号可控硅的K2、G2引脚、Ⅲ号可控硅的K3、G3引脚、Ⅳ号可控硅的K4、G4引脚均由驱动电路的脉冲信号驱动。本实用新型能够保证充磁电源安全性，充磁电源的封闭环境一旦遭到破坏，驱动电路发出脉冲驱动信号，驱动可控硅的导通，可控硅导通的同时充磁电源上的高压直流电通过放电电阻。
【IPC分类】H02H9-04
【公开号】CN204538691
【申请号】CN201520240135
【发明人】赵秋毅, 于民东, 彭树文, 王麟
【申请人】核工业理化工程研究院
【公开日】2015年8月5日
【申请日】2015年4月13日